KR970052917A - 반도체소자의 커패시터 제조방법 - Google Patents

반도체소자의 커패시터 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 소자의 커패시터 제조방법에 관한 것으로, 평탄화 공정시에 주변부에 필라산화막(pillar oxide)을 남긴 상태에서 평탄화공정을 수행하므로써 공정을 단순화 시킬 수 있고, 셀부와 주변부와의 단차를 효과적으로 낮출 수 있도록 한 것이다.
본 발명에 따른 반도체 소자의 커패시터 제조방법은 반도체기판을 준비하는 단계; 상기 반도체 기판위에 제1절연막을 중착하는 단계; 상기 제1절연막을 선택적으로 제거하여 노드콘택홀을 형성하는 단계; 상기 콘택홀을 포함한 상기 제1절연막위에 제1도전층을 형성하고 상기 제1도전층을 선택적으로 제거하는 단계; 상기 제1도전층을 포함한 제1절연막위에 제2절연막을 형성하는 단계; 상기 제2절연막과 제1도전층을 선택적으로 제거하여 제1 및 제2임시막과 스토리지노드를 형성하는 단계; 상기 제1 및 2임시막과 스토리지노드를 포함한 제1절연막 위에 제2도전층을 형성하는 단계; 상기 제2도전층을 상기 제2절연막과 상기 제1도전층 측면에만 남도록 선택적으로 제거하여 노드필라를 형성하는 단계; 상기 스토리지노드상에 형성된 제1임시막만 제거하고 상기 노드필라와 스토리지노드의 노출된 표면에 커패시터의 유전체막을 형성하는 단계; 상기 커패시터 유전체막을 포함한 상기 제2임시막 및 1절연막위에 제3도전층을 형성하는 단계; 상기 제3도전층을 포함한 상기 제2임시막위에 제3절연막을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진다.

Description

반도체 소자의 커패시터 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2a∼2h도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 커패시터 제조공정 단면도.

Claims (2)

  1. 반도체기판을 준비하는 단계; 상기 반도체 기판위에 제1절연막을 중착하는 단계; 상기 제1절연막을 선택적으로 제거하여 노드콘택홀을 형성하는 단계; 상기 콘택홀을 포함한 상기 제1절연막위에 제1도전층을 형성하고 상기 제1도전층을 선택적으로 제거하는 단계; 상기 제1도전층을 포함한 제1절연막위에 제2절연막을 형성하는 단계; 상기 제2절연막과 제1도전층을 선택적으로 제거하여 제1 및 제2임시막과 스토리지노드를 형성하는 단계; 상기 제1 및 2임시막과 스토리지노드를 포함한 제1절연막 위에 제2도전층을 형성하는 단계; 상기 제2도전층을 상기 제2절연막과 상기 제1도전층 측면에만 남도록 선택적으로 제거하여 노드필라를 형성하는 단계; 상기 스토리지노드상에 형성된 제1임시막만 제거하고 상기 노드필라와 스토리지노드의 노출된 표면에 커패시터의 유전체막을 형성하는 단계; 상기 커패시터 유전체막을 포함한 상기 제2임시막 및 1절연막위에 제3도전층을 형성하는 단계; 상기 제3도전층을 포함한 상기 제2임시막위에 제3절연막을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 커패시터 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1임시막은 셀부에 위치하고, 상기 제2임시막은 주변부에 위치하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 커패시터 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100419748B1 (ko) * 1996-09-06 2004-06-04 주식회사 하이닉스반도체 반도체소자의제조방법
KR100702112B1 (ko) * 2000-08-28 2007-03-30 주식회사 하이닉스반도체 반도체 메모리장치의 스토리지노드 전극 제조방법

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