KR970030106A - 전계방출형 소자의 에미터 어레이 및 그 제조방법 - Google Patents

전계방출형 소자의 에미터 어레이 및 그 제조방법 Download PDF

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엄길용
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Abstract

본 발명은 전계 방출형 소자의 에미터 어레이 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 반도체 기판의 일측에 드레프트를 위한 드레인영역이 에미터 영역까지 확장되어 있는 MOSFET 구조의 트랜지스터를 형성하고, 상기 드레인의 반도체 기판을 식각하여 원뿔 형상의 에미터를 형성하되, 상기 그리프트 영역을 RTP 방법으로 빠르게 형성하여 소자에 다른 영향이 없도록하고, 트랜지스터 형성후 질화막을 두껍게 형성하여 에미터 어레이 형성과 정시 트랜지스터에 영향이 없도록 하였으므로, EDMOSFET의 채널 넓이를 조절하여 과도한 전류의 유입을 막는 전류 제한자(CURRENT LIMITER)의 역할을 하고, 에미터 어레이와 함께 고전압소자를 집적하므로써 드라이버 LSI이 형성 과정에서 고전압소자의 영역과 저전압 로직회로 불리할 수 있어 소자의 형성이 용이하여 공정수율 및 소자 동작의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.

Description

전계방출형 소자의 에미터 어레이 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1a 도 내지 제1e도는 본 발명에 따른 전계방출형 소자의 에미터 어레이에 사용되는 고전압소자의 제조 공정도.
제2a도 내지 제2k도는 본 발명에 따른 전계방출형 소자의 에미터 어레이 제조 공정도.

Claims (4)

  1. 반도체 기판상에 형성되어 있는 다수개의 에미터 어레이와, 상기 에미터 어레이와 연결되는 트랜지스터를 구비하는 전계방출형 소자의 에미터 어레이에 있어서, 상기 트랜지스터의 드레인 영역에 형성되어 있는 에미터 어레이의 에미터용 팁들을 구비하는 전계방출형 소자의 에미터 어레이.
  2. 제1도전형의 반도체 기판상에 형성되어 있는 MOSFET 구조의 트랜지스터와, 상기 트랜지스터와 연결되는 에미터 어레이의 에미터용 팁들을 구비하는 전계방출형 소자의 에미터 어레이에 있어서, 상기 트랜지스터의 게이트 일측의 반도체 기판에 제1도전형의 고농도 불순물로 형성되어 있는 소오스 영역과, 상기 소오스 영역내의 일측에 제2도전형의 불순물 형성되어 있는 소오스 콘택 영역과, 상기 게이트 타측의 반도체 기판상에 형성되어 있는 제2도전형의 불순물로된 드레인영역과, 상기 드레인 영역에 형성되어 있는 에미터 어레이용 팁들을 구비하는 전계방출형 소자의 에미터 어레이.
  3. 일측에 트랜지스터를 구비하는 전계방출형 소자의 에미터 어레이 제조방법에 있어서, 반도체 기판의 일측에 MOSFET 구조의 트랜지스터를 형성하되, 상기 트랜지스터의 드레인을 에미터 영역까지 확강되도록 형성하는 공정과, 상기 드레임의 반도체 기판을 식각하여 원뿔 형상의 에미터를 형성하는 공정을 구비하는 전계방출형 소자의 에미터 어레이 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 드레인 형성시 RTP 방법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 전계방출형 소자의 에미터 어레이 제조방법.
KR1019950045405A 1995-11-30 1995-11-30 전계방출형 소자의 에미터 어레이 및 그 제조방법 KR100235318B1 (ko)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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