KR970020216A - 무정형 SiNC 도료의 증착방법 - Google Patents

무정형 SiNC 도료의 증착방법 Download PDF

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고세 복스호론
칼 요한 게리트 반 데르 그리프트
마크 크로커
박상철
박찬호
로트거링크 한스 란징크
슈테판 빌란트
엠마누엘 아우어
요시아끼 가도마
다까유끼 후루하타
이와오 니하시
사또루 다까하시
모도끼 와따나베
마크 존 로보다
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알베르투스 빌헬무스 요아네스 째스트라텐
셀 인터나쵸나아레 레사아치 마아츠샤피 비이부이
이형도
삼성전기 주식회사
메르크 볼프강·헤르만 라인하르트
데구사 아크티엔게젤샤프트
와다 아키히로
도요타 지도샤 가부시키가이샤
루이스 노만 에드워드
다우 코닝 코포레이션
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    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
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Abstract

규소, 탄소 및 질소를 함유하는 무정형 도막은 유기 규소 재료와 질소 공급원을 포함하는 반응성 가스 혼합물의 화학 증착에 의해 형성된다. 본 방법은 반응성 가스 혼합물을 피복될 지지체를 함유하는 증착실로 도입한 후 반응시켜 도막을 형성시킴을 포함한다.

Description

무정형 SiNC 도료의 증착방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (9)

  1. 유기 규소 재료와 질소 공급원을 포함하는 반응성 가스 혼합물을 지지체가 들어 있는 증착실로 도입시키고 반응성 가스 혼합물을 반응시켜 규소, 탄소 및 질소를 함유하는 무정형 도료를 형성시킴을 포함하여, 규소, 탄소 및 질소를 함유하는 무정형 도료를 지지체에 증착시키는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 유기 규소 재료가 메틸실란, 디메틸실란 및 트리메틸실란으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 방법.
  3. 제1항에 있어서, 질소 공급원이 질소와 암모니아로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 방법.
  4. 제1항에 있어서, 반응성 가스 혼합물이 캐리어 가스를 추가로 포함한 방법.
  5. 제1항에 있어서, 반응성 가스 혼합물이 100 내지 1000℃의 고온에 노출됨으로써 반응이 일어나는 방법.
  6. 제1항에 있어서, 반응성 가스 혼합물이 무선주파수 에너지 및 마이크로파 에너지로 이루어진 그룹으로부터 선택된 플라즈마에 노출됨으로써 반응이 일어나는 방법.
  7. 제1항에 있어서, 지지체가 전자 장치를 포함하는 방법.
  8. 제1항의 방법으로 수득할 수 있는 도포된 지지체.
  9. 제1항에서 언급한, 화학식 SixCyNz(여기서, x/(y+z)는 1에 근접하며, y는 0.01 내지 0.99 내지 0.01이다)의 무정형 도료.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960049669A 1995-10-09 1996-10-29 무정형 SiNC 도료의 증착방법 KR970020216A (ko)

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