KR970003851B1 - Method of manufacturing and electric luminescence device - Google Patents

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    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof

Abstract

The present invention relates to an electro luminescence device and a method of making the same which can increase luminance and contrast. This method includes the steps of: forming a lower electrode pattern on a substrate; forming an insulating film by anode-oxidizing the lower electrode's surface; etching the lower electrode; forming a first insulating film all over the surface; forming a luminous layer on the first insulating film and etching the surface except pixels; forming a second insulating film all over the surface; and forming a transparent electrode on the second insulating film.

Description

전계발광소자 및 그 제조방법Electroluminescent element and manufacturing method thereof

제1도는 종래 전계발광소자의 단면구조도.1 is a cross-sectional view of a conventional electroluminescent device.

제2도는 제1도에 대한 에너지 밴드구조도.2 is an energy band structure diagram of FIG.

제3도는 본 발명 전계발광소자의 평면구조도.3 is a plan view of the electroluminescent device of the present invention.

제4도는 본 발명 전계발광소자의 단면구조도.4 is a cross-sectional view of the electroluminescent device of the present invention.

제5도는 본 발명 전계발광소자의 입체구조도.5 is a three-dimensional structure diagram of the electroluminescent device of the present invention.

제6도는 (가) 내지 (마)는 본 발명 전계발광소자의 제조공정도.6 (a) to (e) are manufacturing process diagrams of the electroluminescent device of the present invention.

제7도는 양극산화장치 구조도.7 is a structure diagram of the anodizing device.

제8도는 (가)는 종래 전계발광소자의 빛 발광 표시도.8 is a light emitting display diagram of a conventional electroluminescent device.

(나)는 본 발명 전계발광소자의 빛 발광 표시도.(B) is a light emission display of the electroluminescent device of the present invention.

*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *

11 : 유리기관12 : 하부전극11 glass tube 12 lower electrode

13 : 절연막14 : 제1절연막13 insulating film 14 first insulating film

15 : 형광층16 : 제2절연막15 fluorescent layer 16: second insulating film

17 : 투명전극17: transparent electrode

본 발명은 전계 발광소자(Eledtro Luminescence Device)에 관한 것으로, 특히 하부전극, 즉 금속전극을 요철(凹) 형태로 제작하여 발광휘도를 증가시키고, 콘트라스트(Contrast)를 향상시키도록 한 전계발광소처럼 그 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electroluminescent device, and in particular, to produce a lower electrode, that is, a metal electrode in an uneven form, to increase luminous luminance and to improve contrast. It relates to a manufacturing method.

제1도는 종래 전계 발광소자의 단면 구조도로서, 이에 도서된 바와 같이 유리기관(1) 위에 하부전극(2)이 형성되고, 상기 하부전극(2) 위에 제1전연막(3), 형광층(4), 제2절연막(5)이 차례로 형성되며, 상기 제2절연막(5) 위에 상부전극(6)이 형성되어 구성된 것으로 이의 제조방법을 설명하면 다음과 같다.FIG. 1 is a cross-sectional structure diagram of a conventional electroluminescent device, and as shown therein, a lower electrode 2 is formed on a glass tube 1, and a first electrode film 3 and a fluorescent layer 3 are formed on the lower electrode 2. 4), the second insulating film 5 is formed in turn, and the upper electrode 6 is formed on the second insulating film 5, and the manufacturing method thereof will be described below.

유리기관(1) 상에 아이티오(INdium Tio Oxid: 이하 ITO라 칭함)를 증착한 후 패터닝(Patterning) 및 에칭(Etching)여 하부전극(2)을 형성한 다음 그 위에 Ta2O5, SiO2등을 스퍼터링(Sputtering)방법으로 증착하여 제1절연막(3)을 형성한다.After depositing Indium Tio Oxid (ITO) on the glass tube 1, the lower electrode 2 was formed by patterning and etching, and then Ta 2 O 5 , SiO was formed thereon. 2 and the like are deposited by a sputtering method to form the first insulating film 3.

이와 같이 형성된 상기 제1절연막(3)은 유전상수와 절연파괴강도(Dieledtric Breakdown Strength)가 켜야 하며, 또한 투과도(Transmittance) 및 밀착력 등이 우수해야 한다.The first insulating film 3 formed as described above must have a dielectric constant and a dielectric breakdown strength, and also have excellent transmittance and adhesion.

이후 상기 제1절연막(3) 위에 전자빔 증착(Electron-Beam Evaportation)방법이나 스퍼터링(Sputtering)방법으로 발광층(4)을 형성하는데, 이 발광층(4)은 가시광(Visible Light)영역이 스펙트럼을 갖는 넓은 에너지 밴드 갭(Energy Band Cap)을 가져야 하고 모체(예를들어 2nS)와 발광중심(예를들어 Mn2+)과의 전하보상 및 이온반경이 잘 맞아야 한다. 따라서 에너지 밴드 갭이 넓은 II-IV족 화합물 반도체가 이용된다.Thereafter, the light emitting layer 4 is formed on the first insulating layer 3 by an electron beam deposition method or a sputtering method, and the light emitting layer 4 has a broad visible light region having a spectrum. It should have an energy band gap and have good matching of charge compensation and ion radius between the parent (eg 2nS) and the emission center (eg Mn 2+ ). Therefore, a group II-IV compound semiconductor having a wide energy band gap is used.

다음 공정으로 상기 형광층(4) 위에 상기 제1절연막(3)과 동일한 조건이 Ta2O2, SiO2등을 스퍼터링 방법으로 증착하여 제2절연막(5)을 형성하고, 그 제2절연막(5) 위에 알루미늄(Al)을 전자빔증착(Electron-Bean)방법으로 증착한 후 패터닝하여 상부전극(S)을 형성한 다음 상기 제2절연막(5), 형광층(4), 제1절연막(3)을 패터닝함과 동시에 전식에칭(Dry Etchig)의 일종인 반응성 이온 에칭(Reactive ion Etch)하여 상기 하부전극(2)의 패드(Pad)부분을 시킴으로써 종래 전계 발광소자를 제조하였다.In the next step, Ta 2 O 2 , SiO 2 , and the like are deposited on the fluorescent layer 4 by sputtering to form a second insulating film 5, and the second insulating film ( 5) After deposition of aluminum (Al) by the electron beam deposition (Electron-Bean) method to form an upper electrode (S) by the patterning and then the second insulating film (5), the fluorescent layer (4), the first insulating film (3) ) And at the same time a reactive ion etching is a type of dry etching to form a pad portion of the lower electrode (2) to manufacture a conventional EL device.

이와같이 제조되는 종래 전계 발광소자에 있어서 하부전극(2)과 상부전극(6) 양단에 전압을 인가하면 제1절연막(3)과 형광층(4), 형광층(4), 제2절연막(5)의 계면상태(Interface State)로부터 전자(Electron)과 전도대(Conduct Band)로 터널링(Tunneling)하면서 형광층(4) 내의 고전계의 의해 에너지성전자(Hot Election)로 가속되고, 이 가속된 전자는 형광층(4)의 모체(예를들어 ZnS) 내에 도핑된 발광중심(예를들어 Mn2+)를 충돌(Impact)시켜 여기(Exictation)시키며, 또한 일부전자는 모체를 이온화시키면서 정공(Hole)과 결합하여 전자-홀쌍(Electron-Hole Pair)을 만들게 된다.In the conventional EL device manufactured as described above, when a voltage is applied across the lower electrode 2 and the upper electrode 6, the first insulating film 3, the fluorescent layer 4, the fluorescent layer 4, and the second insulating film 5 are applied. Is tunneled from the interface state to the electron and the conduction band, and accelerated into hot electrons by the high electric field in the fluorescent layer 4, which is accelerated. Impinges and excites the emission center (e.g., Mn 2+ ) doped in the mother layer (e.g., ZnS) of the fluorescent layer 4, and some electrons ionize the mother ) To form an electron-hole pair.

한편, 에너지성 전자(Hot Electron)에 의해 전도대로 여기된 전자는 다시 가전자대(Valence Band)로 떨어지는데, 이때 전도대에서 가전자대로 떨어지는 에너지와 에너지차 만큼의 빛이 형광층(4)에서 방출된다.On the other hand, the electrons excited by the conduction band by the hot electrons fall back to the valence band, in which the energy falling in the conduction band from the conduction band and as much as the energy difference are emitted from the fluorescent layer 4. .

이와 같은 종래 전계 발광소자의 에너지 밴드 구조를 통한 발광 메카니즘을 제2도에 도시하였다.The light emitting mechanism through the energy band structure of the conventional EL device is illustrated in FIG. 2.

그러나 상기에서 설명한 바와 같이 종래의 전계발광소자는 형광층(4)에서 빛이 발광할 때 표시소자로 사용되는 부분, 즉 하부전극(2)쪽으로 방출되는 빛이 양이 전체발생된 빛의 양(발광)의 1/10수준밖에 되지 않고, 나머지 빛의 양은 사랑으로 방출된다.However, as described above, in the conventional electroluminescent device, when the light is emitted from the fluorescent layer 4, the amount of light in which the total amount of light emitted toward the lower electrode 2, i.e. Only one tenth of the light is emitted, and the remaining amount of light is emitted by love.

다시말하면, 제8도의 (가)에 도시한 바와 같이 형광층(4)에서 발생한 빛이 하부전극(2)쪽으로 방출되는 양보다 픽셀(Pixel)의 측면으로 방출되는 양이 많게 되어 발광휘도는 청색광인 경우, 표시소자로 사용하기에 너무 약하고, 또한 관측자방향, 즉 상부전극 이외의 부분으로 방출된 빛은 다른 픽셀(Pixel)에 영향을 주어 소자의 콘트라스트(Contrast)를 저하시키는 문제점이 있었다.In other words, as shown in (a) of FIG. 8, the amount of light emitted from the fluorescent layer 4 is emitted to the side of the pixel more than the amount emitted to the lower electrode 2, so that the luminous luminance is blue light. In this case, the light is too weak to be used as a display element, and the light emitted to the observer direction, that is, the portion other than the upper electrode, affects other pixels, thereby lowering the contrast of the element.

본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위하여 하부전극을 패터닝하고, 양극산화처리한 후 이 양극산화된 투명전극을 요철(凹) 형상으로 애칭하여 뒤이어 형성하는 형광층에서 발광되는 빛이 측면발광은 되지 않고 한쪽 방향, 즉 상부전극인 투명전극쪽으로 방출되도록 하여 높은 발광취도를 얻도록 함과 동시에 소지의 콘트라스트(Contrast)를 향상시키도록 한 전계발광소자 및 그 제조방법을 창안한 것으로, 이를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.In order to solve this problem, the present invention is to pattern the lower electrode, anodize, and then etch the anodized transparent electrode into a concave-convex shape so that the light emitted from the fluorescent layer subsequently formed does not emit side light. Invented an electroluminescent device and a method of manufacturing the same, which are designed to be emitted toward one side of the transparent electrode, that is, to obtain a high light emission, and to improve the contrast of the substrate. Detailed description with reference to the following.

제3도는 본 발명 전계발광소자의 평면구조도이고, 제4도는 단면구조도, 제5도는 입체사시도를 나타낸 것으로서, 상기 제3도, 제4도 및 제5도를 참조하면 유리기판(11)상에 요철(凹) 형태의 하부전극(12)을 형성하고, 상기 하부전극(12)의 가장자리 부분과 측면에 절연막(13)을 형성하며, 기판 전면에 제1절연막(14)을 형성하고, 상기 제1절연막(14) 위의 중앙에 형광층(15)을 형성하고, 기판 전면에 제2절연막(16)과 상부전극인 투명전극(17)을 차례로 형성하여 구성한 것으로, 이러 제조방법을 첨부한 제6도를 참조하여 설명하면 다음과 같다.FIG. 3 is a planar structural diagram of the electroluminescent device of the present invention, FIG. 4 is a cross-sectional structural diagram, and FIG. 5 is a stereoscopic perspective view. Referring to FIGS. 3, 4 and 5, the glass substrate 11 is formed. A lower electrode 12 having a concave-convex shape on the upper surface of the lower electrode 12, an insulating film 13 formed on edges and sides of the lower electrode 12, a first insulating film 14 formed on the entire surface of the substrate, and The fluorescent layer 15 is formed in the center on the first insulating film 14, and the second insulating film 16 and the transparent electrode 17, which are upper electrodes, are sequentially formed on the entire surface of the substrate. Referring to Figure 6 as follows.

제6도의 (가) 내지 (라)는 본 발명 전계발광소자의 제조공정도로서, 제6도의 (가)에 도시한 바와 같이 유리기판(11) 위에 전자빔 증착(Electronaa-Beam Evaporation)방법이나 스퍼터링(Sputtering)방법으로 알루미늄(Al)을 증착한 후 패터닝(Patterning)하여 하부전극(12)을 형성한 다음 상기의 기판을 첨부한 제7도와 같은 양극산화장치에 넣어 양극산화시키면 알루미늄(Al)이 Al2O3산화막으로 산화되어 제6도의 (나)에 도시한 바와 같이 상기 하부전극(12)의 일부가 절연막(13)으로 형성된다.6A to 6D are manufacturing process diagrams of the electroluminescent device of the present invention, and as shown in FIG. 6A, an electron beam deposition method or sputtering on the glass substrate 11 After deposition of aluminum (Al) by patterning (patterning) to form a lower electrode 12, and then anodized into the anodization apparatus as shown in Figure 7 attached to the substrate (Al) is Al 2 Al 2 A portion of the lower electrode 12 is formed of an insulating film 13 as oxidized to an O 3 oxide film and as shown in FIG. 6B.

이후 제6도의 (다)에 도시한 바와 같이 상기 절연막(13)이 형성된 하부전극(12)을 전시에칭(Dry Etching)의 일종인 반응성 이온 에칭(Reactive Ion Etching: Etching: RIE)방법을 사용하여 요철(凹) 형태로 에칭한 다음 그 위에 제1절연막(14)을 스퍼터링(Sputtering)방법으로 증착된다.Subsequently, as shown in FIG. 6C, the lower electrode 12 having the insulating layer 13 is formed by using reactive ion etching (RIE), which is a kind of dry etching. After etching in the form of unevenness, the first insulating film 14 is deposited thereon by a sputtering method.

이와 같이 증착된 상기 제1절연막(14)은 유전상수와 절연파괴강도(Dieledtric Breakdown Strength)가 커야 하며, 또한 투과도(Transmittance) 및 밀착력이 우수해야 한다.The first insulating layer 14 deposited as described above should have a high dielectric constant and a dielectric breakdown strength, and also have excellent transmittance and adhesion.

이후 기판상에 전자빔 증착(Electron Beam Evaporation)방법이나 스퍼터링(Sputtering)방법으로 형광층(15)을 증착한 후 화소(pixel)부분만을 남겨두고 그 외의 부분은 에칭하여 제6도의 (라)와 같은 형태로 형성한 다음 제6도의 (마)와 같이 기판 전면에 상기 제1절연막(14)과 동일한 방법으로 제2절연막(16)을 형성하고, 그 위에 상부전극으로 사용하는 투명전극(17)을 전자빔 증착방법이나 스퍼터링 방법으로 증착시켜 원하는 모양으로 패터닝하여 본 발명 전계발광소자를 제조한다.After the deposition of the fluorescent layer 15 on the substrate by an electron beam evaporation method or a sputtering method, leaving only the pixel portion and etching the other portions, as shown in FIG. Next, as shown in FIG. 6E, the second insulating film 16 is formed on the entire surface of the substrate in the same manner as the first insulating film 14, and the transparent electrode 17 used as the upper electrode is formed thereon. The electroluminescent device of the present invention is manufactured by depositing by an electron beam deposition method or a sputtering method and patterning to a desired shape.

이와 같이 제조한 본 발명 전계발광소자의 발광메카니즘은 종래 전계발광소자의 발광메카니즘과 동일하다.The light emitting mechanism of the electroluminescent device of the present invention manufactured as described above is the same as the light emitting mechanism of the conventional electroluminescent device.

그러나 본 발명 전계발광소자는 하부전극(12)과 투명전극(17)에 교류(AC)전압을 인가해 주면 형광층(15)에서 빛이 발생하게 되고, 상기 형광층(15)에서 발생한 빛은 사방으로 퍼지게 되는데, 이중에서 픽셀(pixel)의 측면을 향한 빛은 제8도의 (나)에 도시한 바와 같이 요철(凹) 형태로 형상화된 하부전극(12)과 절연막(13)에 부딪혀 반사되어 빛이 경로가 투명전극(17) 쪽으로 향하게 된다.However, in the electroluminescent device of the present invention, when an alternating current (AC) voltage is applied to the lower electrode 12 and the transparent electrode 17, light is generated in the fluorescent layer 15, and the light generated in the fluorescent layer 15 is It spreads in all directions, and the light directed toward the side of the pixel is reflected by hitting the lower electrode 12 and the insulating film 13, which are shaped in the form of irregularities as shown in (b) of FIG. The path of light is directed towards the transparent electrode 17.

상기에서 설명한 바와 같이 본 발명의 전계발광소자는 하부전극, 즉 금석전극을 양극산화처리하고, 이를 요철형태로 형성하여 형광층에서 발생한 빛이 측면으로 방출되는 것을 억제하고, 표시부분만 투명전극쪽으로 방출시킴으로써 높은 발광하도록 얻을 수 있을 뿐만 아니라 각 픽셀(pixel)간의 빛의 크로스톡(Crosstalk)을 없게 하여 소자의 콘트라스트(Contrast)를 좋게 하는 효과가 있다.As described above, the electroluminescent device of the present invention anodizes the lower electrode, that is, the gold electrode, and forms it in the form of irregularities so that the light generated from the fluorescent layer is prevented from being emitted to the side, and only the display portion is directed toward the transparent electrode. Not only can the light be emitted to emit high light, but also there is no crosstalk of light between pixels, thereby improving the contrast of the device.

Claims (5)

기판 위에 하부전극패턴을 형성하는 공정과, 상기 하부전극의 표면을 양극산화하여 절연막을 형성하는 공정과, 상기 하부전극을 에칭하는 공정과, 상기소자의 전면에 제1절연막을 형성하는 공정과, 상기 제1절연막 위에 형광층을 형설한 후, 호 소부분만을 제외하고 에칭하는 공정과, 상기 소자워 전면에 제2절연막을 형성하는 공정과, 상기 제2절연막 위에 투명전극을 형성하는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전계발광소자 제조방법.Forming a lower electrode pattern on a substrate, forming an insulating film by anodizing the surface of the lower electrode, etching the lower electrode, forming a first insulating film on the entire surface of the device; Forming a fluorescent layer on the first insulating film, and then etching only a portion of the foil, forming a second insulating film on the entire surface of the device, and forming a transparent electrode on the second insulating film. Electroluminescent device manufacturing method characterized in that. 제1항에 있어서, 하부전극 에칭공정은 하부전극을 요철(凹) 형태로 형성하는 것을 특징으로 하는 전계발전소자 제조방법.The method of claim 1, wherein the lower electrode etching process forms the lower electrode in an uneven form. 기판 상에 하부전극과 절연막을 차례로 형성하고, 상기 소자의 전면에 제1절연막을 형성하며, 상기 제1절연막 위의 중앙에 형광층을 형성하고, 상기 소자워 전면에 제2절연막을 형성하고, 이 제2절연막 위에 투명전극이 형성되어 구성되는 것을 특징으로 하는 전계발광소자.A lower electrode and an insulating film are sequentially formed on the substrate, a first insulating film is formed on the entire surface of the device, a fluorescent layer is formed on the center of the first insulating film, and a second insulating film is formed on the entire surface of the device, And a transparent electrode formed on the second insulating film. 제3항에 있어서, 하부전극은 요철(凹) 모양으로 형성되는 것을 특징으로 하는 전계발광소자.The electroluminescent device according to claim 3, wherein the lower electrode is formed in an uneven shape. 제3항에 있어서, 절연막은 하부전극의 가장자리 위와 측면에 형성되는 것을 특징으로 하는 전계발광소자.The electroluminescent device according to claim 3, wherein the insulating film is formed on the side and the side of the lower electrode.
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