KR970003811A - 반도체 소자분리막 형성 방법 - Google Patents

반도체 소자분리막 형성 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 기판 상에 패드산화막을 형성하는 단계; 고온에서 MH3가스에 장시간 노출시키는 NH3어닐링을 실시하여 상기 반도체 기판과 상기 패드산화막의 계면에 소량의 질소 원자를 축적시키는 단계; 상기 패드 산화막 상에 반도체 기판 산화방지용 제1산화방지막을 형성하는 단계; 예정된 소자분리영역의 상기 제1산화방지막 및 패드산화막을 식각 제거하여 제1산화방지막 및 패드산화막 패턴을 형성하는 단계; 상기 제1산화방지막 및 패드산화막 패턴 측벽에 반도체 기판 산화방지용 제2산화 방지막 스페이서를 형성하는 단계; 노출된 상기 반도체 기판을 소정 깊이 식각하는 단계; 및 열 산화 공정으로 노출된 상기 반도체 기판을 산화시켜 소자분리용 필드산화막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자분리막 형성 방법에 관한 것으로, 실리콘 기판과 패드산화막의 경계 부근에 질소 원소를 축적시켜, 필드산화막 형성시 산소 원자가 패드산화막에 쉽게 확산되지 않도록 하여 버즈비크를 줄이고, 이러한 효과로 인해 질화막 스페이서 두께는 더욱 얇게 할 수가 있어 충분한 필드산화막 두께를 얻을 수 있기 때문에 소자의 고집적화 및 고집적 소자의 활성 영역을 확보하는 효과를 가져온다.

Description

반도체 소자분리막 형성 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도 내지 제1E도는 본 발명의 일실시예에 따른 소자분리막 형성 공정도.

Claims (10)

  1. 반도체 기판상에 패츠산화막을 형성하는 단계; 상기 반도체 기판과 상기 패드산화막의 계면에 소량의 질소 원자를 축적시키는 단계; 상기 패드 산화막 상에 반도체 기판 산화방지용 제1산화방지막을 형성하는 단계; 예정된 소자분리영역의 상기 제1산화방지막 및 패드산화막을 식각 제거하여 제1산화방지막 및 패드산화막 패턴을 형성하는 단계; 상기 제1산화방지막 및 패드산화막 패턴 측벽에 반도체 기판 산화방지용 제2산화방지막 스페이서를 형성하는 단계; 노출된 상기 반도체 기판을 소정 깊이 식각하는 단계; 열 선화 공정으로 노출된 상기 반도체 기판을 산화시켜 소자분리용 필드 산화막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 분리막 형성 방법.
  2. 제1항에 있어서; 상기 질소 원자를 축적시키는 단계는, NH3어닐링을 실시하는 것에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 분리막 형성 방법.
  3. 제2항에 있어서; 상기 NH3어닐링은 900℃ 내지 1000℃의 온도 중 어느 한 온도에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 분리막 형성 방법.
  4. 제2항 또는 제3항에 있어서; 상기 NH3어닐링은 30분 내지 2시간 중 어느 한 온도에서 이루어지는 것을특징으로 하는 반도체 소자 분리막 형성 방법.
  5. 제2항 또는 제3항에 있어서; 상기 NH3농도를 전체 가스의 50% 내지 100%로 하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 분리막 형성 방법.
  6. 제2항 또는 제3항에 있어서; 상기 NH3어닐링은 10torr 내지 100torr 중 어느 한 압력하에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 분리막 형성 방법.
  7. 제4항에 있어서; 상기 NH3어닐링은 NH3농도를 전체 가스의 50% 내지 100%로 하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자분리막 형성 방법.
  8. 제4항에 있어서; 상기 NH3어닐링은 10torr 내지 100torr 중 어느 한 압력하에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자분리막 형성 방법.
  9. 제5항에 있어서; 상기 NH3어닐링은 10torr 내지 100torr 중 어느 한 압력하에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자분리막 형성 방법.
  10. 제6항에 있어서; 상기 NH3어닐링은 10torr 내지 100torr 중 어느 한 압력하에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자분리막 형성 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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