KR970003622A - 반도체 소자의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 소자의 제조방법에 관한 것으로서, 특히 서브미크론급 소자를 제조시 금속 배선간의 절연막을 평탄화하기 위한 SOG 에치백 후에 SOG와 산화막의 계면에서 발생되는 접착 문제를 해결케 하는 반도체 소자의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명은 실리콘 기판상에 필드 산화막, 게이트 산화막, 게이트 전극, 산화막 스페이서를 공지의 방법으로 형성한 다음에, 제1절연용 산화막, 제2절연용 산화막, 금속 배선, 제3절연용 산화막, SOG을 순차적으로 형성하고 지체없이 N2분위기에서 열처리하며, 상기 하부 금속 배선이 노출되도록 상기 SOG을 에치백 한 다음, 제4절연용 산화막을 형성하는 반도체 소자의 제조 방법에 있어서, 상기 SOG 에치백 공정시에 인 - 시튜 Ar 플라즈마 처리 및 솔벤트 세정을 실시하여 SOG와 산화막 간의 접착력을 향상시키는 것을 특징으로 한다. 따라서, 본 발명은 SOG와 산화막 간의 접착력을 향상케 하여 반도체 소자의 제조수율 및 신뢰성을 향상시킬 수 있다.

Description

반도체 소자의 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 방법에 따라 제조된 반도체소자의 요부단면도.

Claims (4)

  1. 반도체 소자의 금속 배선 패턴에 SOG막을 도포하고, 에치 백하여 평탄화를 이루는 반도체 소자의 제조방법에 있어서, 상기 SOG 에치백 공정시에 인 - 시튜 Ar 플라즈마 처리 및 솔벤트 세정을 실시하여 SOG와 산화막간의 접착력을 향상시키는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 인 - 시튜 Ar 플라즈마 처리는 100 ~ 500mT의 압력, 50 ~ 500W의 전력, 30 ~ 100Gauss의 자장, 50 ~ 200SCCM의 Ar의 조건으로 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 솔벤트 세정은 솔벤트 85℃에서 30분, 솔벤트 50℃에서 5분, 이소프로필 알코올세정 2분, CO2분사 초순수 세정 3분, 회전 건조 10분의 조건하에서 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 솔벤트는 금속 배선 형성 이후의 공정에서 통상적으로 사용하는 CT - 935, ACT - 690, ACT - CMI, R - 10, R - 502 등과 같은 감광막 제거용 화학용액인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950016858A 1995-06-22 1995-06-22 반도체 소자의 제조 방법 KR0171977B1 (ko)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100466307B1 (ko) * 1997-10-25 2005-05-19 삼성전자주식회사 반도체소자제조장치및이를이용한디가스공정,식각공정및열처리공정
KR100741099B1 (ko) * 2005-12-20 2007-07-20 삼성에스디아이 주식회사 평판표시장치 및 그의 제조방법

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KR100466307B1 (ko) * 1997-10-25 2005-05-19 삼성전자주식회사 반도체소자제조장치및이를이용한디가스공정,식각공정및열처리공정
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