KR970003394A - 반도체 웨이퍼상의 자연 산화막 제거 방법 - Google Patents
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Abstract
1. 청구 범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
고집적 반도체 소자 제조 방법.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
폴리실리콘의 도핑을 실시한 후에 형성되는 자연 산화막을 제거하는 종래의 방법은 불산 용액을 이용하여 습식 식각을 실시하여 제거하였는데, 린스조건이나 단차 등의 영향으로 자연 산화막이 완전히 제거되지 않고 잔류하는 현상이 발생하며 이로 인해 후속 공정에서 소자 불량을 유발하는 문제점을 해결하고자 함.
3. 발명의 해결방법의 요지
자연산화막상에 얇은 산화막을 더 증착한 다음, 이 산화막을 자연 산화막과 함께 건식 식각하여 제거하므로써, 효과적으로 자연 산화막을 제거하는 방법을 제공하고자 함.
4. 발명의 중요한 용도
고집적 반도체 소자의 제조에 이용됨.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도는 본 발명의 자연 산화막 제거 방법에 따른 공정도.
Claims (4)
- 반도체 웨이퍼 상의 폴리실리콘 상에 형성된 자연 산화막을 제거하는 방법에 있어서, 상기 자연 산화막상에 산화막을 소정의 두께로 증착하는 단계와, 상기 산화막을 상기 자연 산화막과 함께 플라즈마 식각하여 제거하는 단계를 포함해서 이루어진 반도체 웨이퍼상의 자연 산화막 제거 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 플라즈마 식각은 상기 산화막과 폴리실리콘이 약 5 : 1의 식각비가 되도록 혼합된 CHF3, CF4및 Ar 가스를 사용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼상의 자연 산화막 제거 방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 플라즈마 식각은 약 700W 내지 1000W의 무선 주파수 전원을 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 상의 자연 산화막 제거 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 산화막의 두께는 약 200A 내지 1000A인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 상의 자연 산화막 제거 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950019139A KR970003394A (ko) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 반도체 웨이퍼상의 자연 산화막 제거 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950019139A KR970003394A (ko) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 반도체 웨이퍼상의 자연 산화막 제거 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970003394A true KR970003394A (ko) | 1997-01-28 |
Family
ID=66526181
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950019139A KR970003394A (ko) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 반도체 웨이퍼상의 자연 산화막 제거 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970003394A (ko) |
-
1995
- 1995-06-30 KR KR1019950019139A patent/KR970003394A/ko not_active Application Discontinuation
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