KR960039368A - 반도체 소자의 전하저장전극의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 제조방법에 관한것으로서, 게이트전극을 전면 식각하여 산화막 스페이서와 단차가 지도록한 후, 후속 공정을 진행하여 전하저장전극이 굴곡이 지도록하거나, 전하저장전극의 상측 일부를 열산화시켜 표면이 굴곡지게하여 전하저장전극의 정전용량을 증가시켰으므로, 소자동작의 신뢰성이 향상되고,공정이 간단하여 공정 수율이 향상된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도 내지 제1D도는 본 발명의 일실시예에 따른 반도체소자의 제조공정도.
Claims (7)
- 소자분리 산화막과 게이트산화막이 형성되어 있는 반도체기판상에 게이트전극들을 형성하는 공정과, 상기 게이트전극의 측벽에 절연 스페이서를 형성하는 공정과, 상기 게이트전극의 상측을 예정된 두께 만큼 식각하여 스페이서와 단차가 지도록하는 공정과, 상기 구조의 전표면에 전하저장전극 콘택홀을 구비하는 층간절연막을 형성하는 공정과, 상기 전하저장전극 콘택홀을 메우는 전하저장전극을 형성하는 공정을 구비하는 반도체소자의 전하저장전극의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 게이트전극의 식각되는 두께를 4000∼5000Å으로 하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 전하저장전극의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 층간절연막을 산화막이나 산화막-BPSG의 적층막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 전하저장전극의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 도전층을 다결정실리콘층이나 비정질 실리콘층으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 전하저장전극의 제조방법.
- 소자분리 산화막과 게이트산화막이 형성되어 있는 반도체기판상에 게이트전극들을 형성하는 공정과, 상기 게이트전극의 양측의 반도체기판에 소오스/드레인전극을 형성하는 공정과, 상기 구조의 전표면에 전하저장전극 콘택홀을 구비하는 층간절연막을 형성하는 공정과, 상기 구조의 전표면에 도전층을 형성하여 상기 전하저장전극 콘택홀을 메우는 공정과, 상기 도전층의 일부를 노출시키는 질화막 패턴을 도전층상에 형성하는 공정과, 상기 질화막에 의해 노출되어있는 도전층의 예정된 두께를 열산화시켜 열산화막을 형성하는 공정과, 상기 열산화막과 질화막 패턴을 제거하는 공정과, 상기 도전층을 패턴닝하여 상기 전하저장전극 콘택홀을 통하여 소오스/드레인전극과 접촉되는 전하저장전극을 형성하는 공정을 구비하는 반도체소자의 전하저장전극의 제조방법.
- 제5항에 있어서, 상기 도전층을 열산화되는 두께를 고려하여 1000∼2000Å 더 두껍게 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 전하저장전극의 제조방법.
- 제5항에 있어서, 상기 열산화막의 두께를 2500∼6000Å로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 전하저장전극의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950008147A KR100359155B1 (ko) | 1995-04-07 | 1995-04-07 | 반도체소자의전하저장전극의제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950008147A KR100359155B1 (ko) | 1995-04-07 | 1995-04-07 | 반도체소자의전하저장전극의제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960039368A true KR960039368A (ko) | 1996-11-25 |
| KR100359155B1 KR100359155B1 (ko) | 2003-03-03 |
Family
ID=37490449
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950008147A KR100359155B1 (ko) | 1995-04-07 | 1995-04-07 | 반도체소자의전하저장전극의제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100359155B1 (ko) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2867601B2 (ja) * | 1990-05-08 | 1999-03-08 | 日本電気株式会社 | 半導体装置 |
-
1995
- 1995-04-07 KR KR1019950008147A patent/KR100359155B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100359155B1 (ko) | 2003-03-03 |
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