KR960035638A - 감지 증폭기용 구동전압 발생기 - Google Patents

감지 증폭기용 구동전압 발생기 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 기억소자의 감지 증폭기용 구동전압 발생ㄱ에 관한 것으로, 감지 증폭기가 비트라인에 실린 데이터를 센싱할 때 초기에 많은 전류를 필요로 하는 반면, 상기 감지 증폭기를 구동하는 구동전압을 발생하는 감지 증폭기 구동전압 발생기에서는 이를 따르지 못하여 구동전압의 레벨이 낮아져 센싱속도가 떨어지는 문제점이 생겼다. 따라서 이를 방지하기 위하여, 본 발명의 감지 증폭기 구동전압 발생기에서는 센싱 초기에 많은 전류를 필요로 하는 시간 동안에는 외부전압(VExt)으로 하여금 감지 증폭기를 구동하도록 함으로써, 감지 증폭기를 구동하는 구동전압 레벨을 안정시켜 센싱 속도를 향상시켰다.

Description

감지 증폭기용 구동전압 발생기
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명에 따른 실시예로서 감지 증폭기용 구동전압 발생기의 회로도.

Claims (5)

  1. 비트라인에 실린 데이터를 감지 ·증폭하는 감지 증폭기를 구동시키기 위한 구동전압 발생기에 있어서, 감지 증폭기 구동 인에이블 신호를 입력하는 입력단자와, 상기 입력단자로부터 입력된 입력신호를 일정시간 지연시키고, 이 지연된 펄스폭 만큼의 펄스 신호를 반전하여 출력하는 에지신호 발생수단과, 기준전압과 감지 증폭기 구동전위를 비교하여 차동 증폭한 신호를 제1 출력단자로 출력하기 위한 차동 증폭수단과, 상기 입력단자로부터의 입력신호에 의해 제어되어 외부전압을 상기 제1 출력단자로 공급해 주는 제1 스위치 수단과, 상기 에지신호 발생수단으로부터의 펄스 신호에 의해 제어되어 접지전압을 상기 제1 출력단자로 전달하는 제2 스위치 수단과, 상기 제1 출력단자로부터의 출력 신호에 의해 제어되어 외부전압을 제2 출력단자로 전달하는 제3 스위치 수단과, 상기 입력 단자로부터의 입력된 신호에 제어되어 상기 제2 출력단자로 전원전압을 공급해 주기 위한 제4 스위치 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 감지 증폭기용 구동전압 발생기.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 내지 제4 스위치 수단이 MOS 트랜지스터로 구성된 것을 특징으로 하는 감지 증폭기용 구동전압 발생기.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1 스위치 수단은 PMOS 트랜지스터이고, 상기 제2 스위치 수단은 NMOS 트랜지스터이고, 상기 제3 스위치 수단은 PMOS 트랜지스터이고, 상기 제4 스위치 수단은 PMOS 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 감지 증폭기용 구동전압 발생기.
  4. 제1항에 있어서, 상기 예지신호 발생수단은 홀수개로 이루어진 지연체인으로 구성되고, 이 지연체인에 의해 지연된 펄스신호 만큼을 반전하여 출력하는 것을 특징으로 하는 감지 증폭기용 구동전압 발생기.
  5. 지1항에 있어서, 상기 에지신호 발생수단은, 상기 입력라인에 직렬 접속된 3개의 인버터로 이루어진 지연라인과, 상기 지연라인에 의하여 지연된 입력신호와 상기 입력라인으로부터의 입력신호를 NAND 연산하는 NAND 게이트와 ,상기 NAND 게이트(G4)로부터의 출력된 신호를 반전시키는 인버터로 구성된 것을 특징으로 하는 감지 증폭기 구동전압 발생기.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100422820B1 (ko) * 1997-06-30 2004-05-24 주식회사 하이닉스반도체 반도체 메모리 소자의 감지 증폭기

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KR100422820B1 (ko) * 1997-06-30 2004-05-24 주식회사 하이닉스반도체 반도체 메모리 소자의 감지 증폭기

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