KR960032633A - 플라즈마 에칭방법 - Google Patents

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Abstract

처리공간내에서 반도체 웨이퍼를 지지하기 위한 하부전극과, 하부전극에 맞은편에 있는 상부전극과, 상부와 하부전극 사이에 RF 전압을 인가하기 위한 RF 전압원을 가지는 플라즈마 에칭장비, 어깨부를 가지는 하층으로서 SiN층 및 상기 Si층을 덥고 있는 SiO2층이 웨이퍼 위에 배치되어 있다. 에칭에 의하여 접촉구멍이 SiO2층에 형성되어 SiN층의 어깨부를 노출시키게 된다. 처리가스는 C4F8와 CO를 포함한다. SiO2/SiN의 에칭선택률을 설정하기 위하여 처리가스의 각 구성부분의 방전시간이 매개변수로서 사용된다. C4F8의 분해처리는 방전시간의 선택에 의하여 조절된다. 방전시간은 처리가스의 각부분의 상주시간과 RF전압의 인가시간에 의하여 결정된다.

Description

플라즈마 에칭방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 쌍극자고리형 마그네트론 플라즈마 에칭장비를 도시한 단면도.

Claims (18)

  1. 처리가스가 기판을 수용하는 처리공간내로 주입되고, RF전압이 반대전극 사이에 인가되어 처리가스가 방전되도록 함으로써 플라즈마를 생성하고, 상기 플라즈마를 사용하여 상기 기판에 의하여 지지되는 제1층이 상기 제1층과는 다른 종류의 물질로 구성되고 상기 기판에 의하여 지지되는 제2층보다 더 잘 에칭되는 플라즈마 에칭방법으로서; 상기 제1층은 기본적으로 SiO2로 구성되는 반면, 제2층은 기본적으로 SiN, Si, Al 및 TiN으로 구성되는 집합에서 선택된 하나의 물지로 구성되고, 처리가스는 C4F8및 CO를 포함하며, 상기 제2층에 대한 상기 제1층의 에칭선택률을 설정하기 위하여 C4F8의 분해처리는 처리가스의 각 구성부분의 방전시간을 매개변수로 사용함으로써 조절되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 에칭방법.
  2. 제1항에 있어서, 분해처리를 억제하고 C4F8의 함량을 증가시키기 위해 에칭선택률이 큰 설정값을 갖도록 하여 방전시간이 작은 값을 갖도록 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.
  3. 제2항에 잇어서, 상기 제2층은 어깨부를 가지는 한편 상기 제1층은 상기 제2층 위에 배열되어 상기 어깨부를 덥고 있어, 상기 제1층이 에칭되어 구멍이 형성됨으로써 상기 제2층의 어깨부가 노출되는 것을 특징으로 하는 방법.
  4. 제2항에 있어서, RF 전압이 연속적으로 인가되고, 방전시간은 상기 처리 공간내의 처리가스의 각 구성부분의 상주시간으로서 정의되는 것을 특징으로 하는 방법.
  5. 제2항에 있어서, RF 전압이 펄스로 인가되고, 방전시간은 상기 처리공간내 처리가스의 각 구성성분의 상주시간내에서의 펄스폭의 합으로서 정의되는 것을 특징으로 하는 방법.
  6. 제2항에 있어서, 상기 기판은 에칭중에 120℃ 이상으로 가열되는 것을 특징으로하는 방법.
  7. 기판을 수용하는 처리공간내로 처리가스가 주입되고, RF전압이 반대전극 사이에 인가되어 처리가스가 방전되도록 함으로써 플라즈마를 생성하고, 상기 플라즈마를 사용하여 상기 기판에 의하여 지지되는 제1층이 상기 제1층과는 다른 종류의 물질로 구성되고 상기 기판에 의하여 지지되는 제2층보다 더 잘 에칭되는 플라즈마 에칭방법으로서; 상기 제1층은 기본적으로 SiO2로 구성되는 반면, 제2층은 기본적으로 SiN, Si, Al, TiN, W, WSi 및 TiSi로 구성되는 집합에서 선택된 하나의 물질로 구성되고, 처리가스는 C2F4및 CO를 포함하며, 상기 제2층에 대한 상기 제1층이 에칭 선택률을 설정하기 위하여 C4F8의 분해시 생성되는 C2F4및 CF3의 밀도 비율은 처리가스의 각 구성부분의 방전시간을 매개변수로 사용함으로써 조절되는 것을 특징으로 하는 플라스마 에칭방법.
  8. 제7항에 있어서, C2F4/CF3의 밀도비출이 1이상이 되도록 방전시간이 선택되고, 에칭선택률이 설정값이 크게 되도록 하고 밀도비율이 증가하도록 하기 위하여 방전시간은 작은 값을 가지도록 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 제2층은 어깨부를 가지는 한편 제1층은 상기 어깨부를 덮도록 상기 제2층위에 배열되고, 상기 제1층이 에칭되어 구멍이 형성됨으로써 상기 제2층의 상기 어깨부가 노출되는 것을 특징으로 하는 방법.
  10. 제8항에 있어서, RF전압이 연속적으로 인가되고, 방전시간은 상기 처리공간내의 처리가스의 각 구성부분의 상주시간으로서 정의 되는 것을 특징으로 하는 방법.
  11. 제8항에 있어서, RF전압이 펄스로 인가되고, 방전시간은 상기 처리공간내 처리가스의 각 구성성분의 상주시간내에서의 펄스폭의 합으로서 정의 되는 것을 특징으로 하는 방법.
  12. 제8항에 있어서, 상기 기판은 에칭중에 80℃ 내지 150℃로 가열되는 것을 특징으로 하는 방법.
  13. 기판에 의하여 지지되고 있는 제1층이 상기 기판에 의하여 지지되고 상기 제1층과는 다른 종류의 물질로 구성되는 제2층보다 더 잘 에칭되는 플라즈마 에칭장비를 사용하며, 상기 장비는 처리공간내에서 상기 기판을 지지하는 제1전극과, 상기 처리공간내에서 상기 제1전극의 반대편에 있는 제2전극과, 상기 제1 및 제2전극 사이에 RF전압을 인가하기 위한 RF전압원으로 구성되고, 상기 제1층은 기본적으로 SiO2로 구성되는 반면, 제2층은 기본적으로 SiN, Si, Al, TiN, W, WSi 및 TiSi로 구성되는 집합에서 선택된 하나의 물질로 구성되고, 처리가스는 C4F8및 CO를 포함하는 플라즈마 에칭방법으로서, 상기 제2층에 대한 상기 제1층의 에칭선택률을 설정하기 의하여 처리가스의 각 구성부분의 방전시간을 매개변수로서 값을 선택하고, C4F8의 분해시 생성되는 C4F8에 대한 C2F4의 밀도비율이 방전시간이 변화로서 조절되는 단계와; 매개변수의 선택된 값에 따라 상기 플라즈마 에칭장비를 설정하는 단계와; 상기 제1전극에 의해서 상기 기판을 지지하는 단계와; 상기 처리공간을 배기시키면서 C4F8및 CO를 포함하는 처리가스를 상기 처리공간내로 공급하는 단계와; 처리가스를 플라즈마로 변환시키기 위하여, 상기 제1 및 제2전극 사이에 RF전압을 인가하는 단계와; 상기 플라즈마를 사용하여 상기 제1 및 제2층을 처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 에칭 방법.
  14. 제13항에 있어서, C2F4/CF3의 밀도비울이 1이상이 되도록 방전시간이 선택되고, 에칭선택률의 선정값이 크게 되도록 하고 밀도비율이 증가하도록 하기 위하여 방전시간은 작은 값을 가지도록 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.
  15. 제14항에 있어서, 상기 제2층은 어깨부를 가지는 한편 제1층은 상기 어깨부를 덮도록 상기 제2층위에 배열되고, 상기 제1층이 에칭되어 구멍이 형성됨으로써 상기 제2층의 상기 어깨부가 노출되는 것을 특징으로 하는 방법.
  16. 제14항에 있어서, RF전압이 연속적으로 인가되고, 방전시간은 상기 처리공간내의 처리가스의 각 구성부분의 상주시간으로서 정의되는 것을 특징으로 하는 방법.
  17. 제14항에 있어서, RF전압이 펄스로 인가되고, 방전시간은 상기 처리공간내 처리가스의 각 구성성분의 상주시간내에서의 펄스폭의 합으로서 정의되는 것을 특징으로 하는 방법.
  18. 제14항에 있어서, 상기 기판은 에칭중에 80℃ 내지 150℃로 가열되는 것을 특징으로 하는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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