KR960015094A - 노광장치 - Google Patents

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KR960015094A
KR960015094A KR1019950036423A KR19950036423A KR960015094A KR 960015094 A KR960015094 A KR 960015094A KR 1019950036423 A KR1019950036423 A KR 1019950036423A KR 19950036423 A KR19950036423 A KR 19950036423A KR 960015094 A KR960015094 A KR 960015094A
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KR
South Korea
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mask
photosensitive substrate
optical system
positional relationship
stage
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Application number
KR1019950036423A
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English (en)
Inventor
세이지 미야자키
히로시 시라스
카즈아키 사이키
츠요시 나라베
Original Assignee
오노 시게오
니콘 가부시키가이샤
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Publication date
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    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • GPHYSICS
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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

마스크 및 감광기판을 투영광학계의 2측부상에 서로 대면시키도록, 한쌍의 기준판이 마스크 및 감광기판을 일체적으로 보유유지하는 캐리지상에 예정된 위치관계를 갖도록 구성된다. 광축방향의 기준판 사이의 위치관계를 정기적으로 검출함으로써, 위치 검출수단의 검출 특성에 발생되는 경시적 변동이 검출된다. 안정된 결상 특성과 높은 처리량이 검출된 변동량에 대응하여 구동수단에 공급된 구동신호를 보정함으로써 실현된다.

Description

노광장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 노광장치의 실시예를 도시한 개략적인 사시도.

Claims (5)

  1. 투명광학계, 그 상이 투영광학계에 의해 감광기판에 투영되는 마스크 및 감광기판을 투영광학계와 서로 대향되도록, 마스크와 감광기판을 보유 유지시키는 보유유지 스테이지, 투영광학계의 광축방향으로 마스크와 감광기판 사이의 위치관계를 검출하기 위한 위치 검출수단, 마스크 및 감광기판을 광축방향으로 구동시켜서, 마스크 및 감광기판을 예정된 위치관계로 위치 결정시키는 구동수단, 예정된 위치관계와 동일한 위치관계에 부합되도록 보유유지 스테이지 상에 배열된 표면을 가진 한쌍의 기준판 및, 위치 검출수단에 의해 검출된 기준판의 표면의 광축방향에 관련한 위치관계에 기초하여 상기 위치 검출수단의 검출 특성에 발생된 변동을 검출하여, 검출결과에 기초하여 구동수단에 부여되는 구동량을 보정하는 제어수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 투영광학계는 실물크기의 상을 투영하는 등배광학계이고, 상기 위치 검출수단은 상기 위치관계로서 마스크와 감광기판 사이의 간격을 검출하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  3. 제1항에 있어서, 보유유지 스테이지는 투영광학계에 대해 상대 이동하고, 마스크의 전 표면은 상대운동에 의해 감광기판상에 노광되는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  4. 제3항에 있어서, 마스크를 보유유지 스테이지에 대해 이동가능하게 위치시키는 마스크 스테이지와, 감광기판을 보유유지 스테이지에 대해 이동 가능하게 위치시키는 기판 스테이지의 적어도 하나를 부가로 포함하며, 상기 구동수단은 마스크 스테이지와 기판 스테이지의 적어도 하나를 제어하는 것에 의해 마스크와 감광기판 사이의 위치 관계를 조정하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  5. 제1항에 있어서, 제어수단은 검출결과에 기초하여 위치 검출수단에 의한 검출결과를 보정하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950036423A 1994-10-21 1995-10-20 노광장치 KR960015094A (ko)

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JP94-282872 1994-10-21
JP6282872A JPH08124842A (ja) 1994-10-21 1994-10-21 露光装置

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ID=17658183

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KR1019950036423A KR960015094A (ko) 1994-10-21 1995-10-20 노광장치

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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100399813B1 (ko) * 1994-12-14 2004-06-09 가부시키가이샤 니콘 노광장치
KR980005341A (ko) * 1996-06-25 1998-03-30 고노 시게오 노광 장치
US6317196B1 (en) 1996-06-25 2001-11-13 Nikon Corporation Projection exposure apparatus
US6049372A (en) * 1996-06-25 2000-04-11 Nikon Corporation Exposure apparatus
US5825043A (en) * 1996-10-07 1998-10-20 Nikon Precision Inc. Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus
US6509953B1 (en) * 1998-02-09 2003-01-21 Nikon Corporation Apparatus for exposing a pattern onto an object with controlled scanning
US6260282B1 (en) 1998-03-27 2001-07-17 Nikon Corporation Stage control with reduced synchronization error and settling time
US6211945B1 (en) * 1998-05-19 2001-04-03 Orc Technologies, Inc. Apparatus and method for exposing substrates
US6621553B2 (en) 2001-03-30 2003-09-16 Perkinelmer, Inc. Apparatus and method for exposing substrates
JP5986646B2 (ja) * 2012-02-07 2016-09-06 マテリアリティクス,エルエルシー 試料を分析する方法およびシステム
US11248961B2 (en) 2013-03-15 2022-02-15 Mat International Holdings, Llc Methods and systems for analyzing samples

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07142325A (ja) * 1993-06-23 1995-06-02 Nikon Corp 位置合わせ装置
JPH07326567A (ja) * 1994-05-31 1995-12-12 Nikon Corp 等倍投影型露光装置

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US5798822A (en) 1998-08-25
JPH08124842A (ja) 1996-05-17

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