KR960006064A - 씨씨디(ccd) 영상소자의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 CCD(Charge Coupled Device) 영상소자에 관한 것으로, 특히 수광영역의 확장으로 소자의 감도(Sensitivity)를 향상시키는데 적당하도록 한 CCD 영상소자의 제조방법에 관한 것이다.
상기와 같은 본 발명의 CCD 영상소자의 제조방법은 n형 반도체 기판에 p형 웰을 형성하는 공정과, 상기 p형 웰이 형성된 기판의 전면에 게이트 절연막을 형성하는 공정과, 상기 p형 웰 영역내에 n형 불순물 이온주입하여 일정 간격으로 복수개의 수직전하전송영역(VCCD)을 형성하는 공정과, 상기 수직전하전송영역(VCCD)이 형성된 p형 웰 영역내에 고농도 p형 불순물 이온주입하여 복수개의 채널스톱층을 형성하는 공정과 상기의 수직전하전송영역(VCCD) 상측의 게이트 절연막상에 복수개의 폴리게이트를 형성하는 공정과, 전면에 절연막을 형성하고 폴리게이트 상측에만 남도록 절연막을 패터닝한 후 수광영역을 제외한 부분에 금속차광층을 형성하는 공정과, 상기의 금속차광층을 마스크로 하여 n형 불순물을 서로 반대방향으로 제1,2틸트(Tilt) 이온주입하여 PDN영역을 형성하는 공정과, 상기의 PDN영역 상측에 고농도의 p형 불순물 이온주입하여 PDP영역을 형성하는 공정을 포함하여 이루어짐을 특징으로 한다.

Description

씨씨디(CCD) 영상소자의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 (a) 내지 (c)는 본 발명의 CCD 영상소자의 공정 단면도.

Claims (3)

  1. n형 반도체 기판에 p형 웰을 형성하는 공정과, 상기 p형 웰이 형성된 기판의 전면에 게이트 절연막을 형성하는 공정과, 상기 p형 웰 영역내에 n형 불순물 이온주입하여 일정 간격으로 복수개의 수직전하전송영역(VCCD)을 형성하는 공정과, 상기 수직전하전송영역(VCCD)이 형성된 p형 웰 영역내에 고농도 p형 불순물 이온주입하여 복수개의 채널스톱층을 형성하는 공정과, 상기의 수직전하전송영역(VCCD) 상측의 게이트 절연막상에 복수개의 폴리게이트를 형성하는 공정과, 전면에 절연막을 형성하고 폴리게이트 상측에만 남도록 절연막을 패터닝한 후 수광영역을 제외한 부분에 금속차광층을 형성하는 공정과 상기의 금속차광층을 마스크로 하여 n형 불순물을 서로 반대방향으로 제1,2틸트(Tilt) 이온주입하여 PDN영역을 형성하는 공정과 상기의 PDN영역 상측에 고농도의 p형 불순물을 이온주입하여 PDP영역을 형성하는 공정을 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 CCD 영상소자의 제조방법.
  2. 제1항 있어서, 제1,2틸트(Tilt) 이온주입공정은 30∼60°의 각도로 이온주입함을 특징으로 하는 CCD 영상소자의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 게이트 절연막은 ONO(Oxide-Nitride-Oxide)층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 CCD 영상소자의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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