KR960002543A - 이온 주입장치 및 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 웨이퍼(25)를 외주변에 지지하는 디스크(15)를 회전시키는 고속구동장치(16)가 장비된 이온 주입장치에 관한 것이다. 상기 디스크의 중심위치를 고속회전의 회전축이다. 저속구동장치(17)에 의해 디스크가 방사상 방향으로 상대운동한다. 이온 주입장치는 외주변부위의 웨이퍼간의 상이한 공간과 디스크의 중심에서 이온주입 위치까지의 거리(R)를 토대로 저속구동장치의 운동속도를 계산하고 저속주사속도(V)를 제어하여 이온이 상기 웨이퍼에 균일하게 주입하게 하는 제어수단을 지닌다.

Description

이온 주입장치 및 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 이온 주입장치의 전체 구조의 개략도,
제2도는 제1도에 도시된 이온 주입장치에(본 발명의 실시예에)이용된 디스크의 평면도,
제3도는 제2도의 디스크의 개량의 평면도.

Claims (14)

  1. 디스크(15)가 다수의 웨이퍼(25)를 상기 디스크의 원주 주위에 간격을 두고 위치하게 하고, 상기 디스크는 위에서 언급한 웨이퍼간의 공간이 이외의 공간과 다른 하나 이상의 위치에 상기 디스크가 있도록 구성된 것을 특징으로 하는 이온 주입장치.
  2. 제1항에 있어서, (가), (i)이온 주입장치에는 상기 디스크의 회전을 상기 회전축의 상기 디스크의 중심위치에 회전시키는 고속구동장치(16)와; (ii)상기 이온주입 위치를 상기 디스크의 방사상 방향으로 상대 이동시키는 저속구동장치(17)를 장비하고; (나)상기 이온 주입장치는 또한, 웨이퍼간의 상이한 공간과, 디스크의 중심에서 이온주입 위치까지의 거리에 따라 상기 저속구동장치의 이동속도를 계산하고 상기 속도는 제어해서 이온이 상기 웨이퍼에 균하게 주입하는 제어수단을 구비한 것을 특징으로 하는 이온 주입장치.
  3. 제2항에 있어서, (가)상기 디스크는 (i)이온주입이 수행되는 상기 디스크 측상의 제1표면과 (ii)상기 제1표면으로 부터 상기 디스크의 대향측에 우치한 제2표면을 지니고; (나)상기 웨이퍼간을 통과하는 이온비임 전하를 측정하는 전류측정장치(20)는 상기 제2표면에 설치한 것을 특징으로 하는 이온 주입장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 제어수단은 웨이퍼간의 상이한 공간을 통과하는 전하차를 검출하고, 상기 전하차에 따라 상기 운동속도를 제어하는 것을 특징으로 하는 이온 주입장치.
  5. 제1항에 있어서, 사이 디스크(15)는 웨이퍼간의 상기 공간이 다른 웨이퍼간의 공간과 다른 다중의 다수의 위치 A+B에 상기 디스크가 있도록 구성하는 것을 특징으로 하는 이온 주입장치.
  6. 이온비임(10)을 직사하여서 주입실(13)에 들어가게 하여 웨이퍼(25)를 주입하는 이온소오스를 지닌 이온 주입자치용 장치에 있어서, 주입실내에 위치한 지지대(15)를 구비하고; 상기 지지대의 원주 주위에 원주로 공간을 둔간격으로 다수의 웨이퍼를 지지하고 웨이퍼간의 비일치 공간간격이 이외의 공간간격과 다른 원주주위의 하나 이상의 위치에 지지대가 제공되어 있고; 주입실(13)에 들어오는 이온비임에 대해 지지대로 회전축 주위로 회전시키어 웨이퍼가 이온비임을 인터셉트하게 하는 모우터(16)과; 지지대와 부착된 웨이퍼를 통과하는 주입실을에 들어가는 이온비임에 이온비임 전류를 감지하는 센서(20)와; 지지대를 이동통로를 따라 이동시키어서 지지대에 부착된 웨이퍼의 전체표면이 이온비임에 의해 처리되게 하는 주사장치(17)와; 이온비임이 웨이퍼간의 비코일 공간간격의 영역을 통과하는 시간주기를 포함하는 두개의 상이한 시간주기동안 비임전류를 가지하고, 두개의 상이한 시간간격동안 센서에 도달하는 전하를 결정하고 이동통로를 따라 지지대의 운동속도를 제어하는 회로(20)를 구비한 이동통로를 따라 지지대의 운동을 제어하는 제어회로(22)를 구비한 것을 특징으로 하는 장치.
  7. 제6항에 있어서, 제어회로는 지지대의 매회전마다 이동통로를 따라 이동속도를 갱신하는 것을 특징으로 하는 장치.
  8. 제6항에 있어서, 비임전류를 감지하는 회로는 지지대(15)의 회전을 감지하고, 이 지지대의 방위와 관련된 타이밍신호를 공급하는 엔코더회로(212)를 구비하고, 또한 상기 인코더에 응답하여 두개의 상이한 시간 간격동안 전하를 결정하는 제1 및 제2타이밍회로(220), (222)를 구비한 것을 특징으로 하는 장치.
  9. 제6항에 있어서, 주사장치는 선형이동통로를 따라 지지대를 이동시키는 역전기 모우터(240)와 이 지지대(15)에 커플된 선형 액츄에이터를 구비한 것을 특징으로 하는 장치.
  10. 제8항에 있어서, 제어회로는 지지대의 회전축간의 거리(R)과 이온비임과 지지대에 연결된 웨이퍼간의 접점영역에 무관한 계산값에 정비례 하는 이동 통로를 따라 순시속도를 계산하는 수단(230)을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  11. 제10항에 있어서, 제1시간간격은 비임이 제1웨이퍼의 중심 다음 비균일 간격에 의해 공간을 둔 제2웨이퍼 및 제3웨이퍼에서 제4웨이퍼의 중심을 스위프하는 시간에 해당하고, 제2시간간격은 비임이 제2 및 제3웨이퍼의 중심을 따라 스위프하는 시간에 해당하고, 계산된 값을 양(3Q1~Q3), 2에 해당하고 Q1의 값은 제2상기 두개의 상이한 시간 주기동안 센서와 충돌하는 전하이고, Q3의 값은 제2상기 두개의 상이한 시간 주기 동안 센서와 충돌하는 전하이고, Q3의 값은 제1상기 두개의 상이한 시간 간격 동안 센서에 충돌하는 전하인 것을 특징으로 하는 장치.
  12. 이온비임(10)을 직사하여 주입실(13)로 들어가게 하여서 웨이퍼(25)를 주입하는 방법에 있어서, 상기 웨이퍼간의 공간이 원주주위외의 공간과 다르게 주입실내의 지지디스크(15)의 원주주위에 공간을 둔 간격으로 다수의 웨이퍼를 위치시키는 단계와 주입실에 들어가는 이온비임에 대해 지지디스크를 회전시키는 단계와; 비임이 웨이퍼간의 공간을 통과할때, 이온비임 전류를 감지하기 위해 ㅣ지디스크뒤에 이온비임의 이오니임전류를 감지하는 센서(20)를 위치시키는 단계와; 이동통로를 따라 이동하여서, 웨이퍼의 전체표면이 이온비임에 의해 처리되게하기 위해 지지디스크 설치하는 단계와; 이온비임 상이한 공간영역을 통고하는 시간주기를 포함하는 두개의 상이한 시간주기동안 비임전류를 감지하고 두개의 상이한 시간간격동안 센서(20)에 도달하는 전하를 결정하고 두개의 간격동안 감지된 전하를 토대로 이동통로를 따라 디스크이 온동속도를 제어하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  13. 제12항에 있어서, 비임전류를 감지하고 두기간동안 세럿에 도달하는 전하를 결정하는 단계는 소정의 주입을 위해 디스크의 각각의 회전중 수행되는 것을 특징으로 하는 방법.
  14. 제12항에 있어서, 속도를 제어하는 단계는 비임이, 제1웨이퍼(201)의 중심 다음 비균일간격에 의해 공간을 둔 제2 및 제3웨이퍼(202), (203)을 통해 제4웨이퍼(204)의 중심까지 스위프하는 시간에 해당하는 제1시간주기 동안 전하를 감지하고 이온비임이 제2 및 제3웨이퍼에 중심을 따라 스위프하는 시간에 해당한 제2시간 간격동안 전하를 감지고, (3Q1~Q3)/2를 계산하여 수행하는 Q1의 값을 제2두개의 상이한 시간간격동안 센서에 충돌하는 전하이고, Q3의 값은 상기 제1두개의 사이한 시간간격동안 센서를 충돌하고 순시속도를 이 양에 비례하게 하고, 지지부재의 회전축간의 거리와 이온비임과 지지디스크에 부착된 웨이퍼간의 접점영역에 반비례하게 하는 것을 특징으로 하는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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