KR950033675A - 열안정성 피복 재료 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 스핀-온 방법에 의해 반도체 전구체에 도포될 수 있는 양호한 평면성 및 전극(塡隙) 특성을 갖는 신규한 중간체 화합물에 관한 것으로서, 이 화합물의 경화된 복합 재료는 500℃보다 높은 온도에서 내성을 가질 수 있다. 또한, 본 발명은 상기 중간체 화합물 및 그의 복합 재료를 사용하여 반도체 소자를 제작하는 방법에 관한 것이다.

Description

열안정성 피복 재료
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 N-메틸피롤리디논(NMP) 중의 페릴렌 이무수물과 아미노프로필트리에특시실란 간의 반응으로부터 생성된 열안정성 복합 재료의 중량을 시간 및 온도의 함수로서 나타낸 그래프.

Claims (25)

  1. (a)페릴렌 디이미드 및 (b)폴리(실세스퀴옥산)으로 이루어지는 열안정성 복합 재료.
  2. 제1항에 있어서, 상기 페릴렌 디이미드 및 상기 폴리(실세스퀴옥산)이 폴리(실세스퀴옥산) 중의 4개 이상의 규소 원자들 각각에 대해 페릴렌 하나의 비율인 열안정성 복합 재료.
  3. (a)용매 중에서 페릴렌 이무수물과 제1급 또는 제2급 아미노알킬 알콕시 실란을 약 1 : 4의 몰비로 배합하는 단계, (b) 15℃ 내지 80℃의 온도에서 4 내지 20시간 동안 혼합시키는 단계, (c)역학적으로 안정한 고상물이 생성되는 조건하에 가열시키는 단계, (d)질소 분위기하 500℃ 내지 620℃에서 약 30분 동안 경화시키는 단계로 이루어지는 공정에 의해 제조된 열안정성 복합 재료.
  4. 제3항에 있어서, (a)용매 중에서 페릴렌 이무수물과 제1급 또는 제2급 아미노실란을 약 1 : 4의 몰비로 배합하는 단계, (b) 15℃ 내지 80℃의 온도에서 4 내지 20시간 동안 혼합시키는 단계, (c)약 150℃의 최종 온도로 10 내지 30분에 결쳐 가열시켜 고화(setting)시키는 단계, (d)질소 분위기하 500℃ 내지 620℃에서 약 30분 동안 경화시키는 단계로 이루어지는 공정에 의해 제조된 열안정성 복합 재료.
  5. 제3항에 있어서, 500℃ 내지 600℃의 온도에 1시간 동안 노출시 1% 미만의 중량 손실을 나타내는 것임을 특징으로 하는 복합 재료.
  6. 제3항에 있어서, CF4/O2(20/80) 중의 질화규소의 RIF 에칭 속도보다 4배보다 더 크고, 순수 O2중의 질화규소의 RIE 에칭 속도의 ¼ 미만인 것임을 특징으로 하는 복합 재료.
  7. 제3항에 있어서, 상기 필름이 페릴렌 이무수물과 하기 일반식의 아미노실란의 반응 생성물인 복합 재료.
    상기 식중에서, R은 H, 알킬 및 알킬아민으로 이루어지는 군에서 선택된 것이고, X는 탄소 원자수 2 이상의 알킬, 및 아릴로 이루어지는 군에서 선택된 것이고, Z은 알킬 또는 직접 결합이고, Y는 알콕시, 할로 및 실라잔으로 이루어지는 군에서 선택된 것이다.
  8. 제7항에 있어서, 아미노실란이 아미노알킬트리알콕시 실란인 복합 재료.
  9. 제8항에 있어서, 아미노알킬트리알콕시실란이 아미노프로필트리에톡시실란인 복합 재료.
  10. 불황성 용매 중에서 페릴렌 이무수물을 1종 이상의 하기 일반식의 아미노 실란과 1 : 4의 몰비로 혼합시키는 단계 및 상기 반응물을 가열하여 열안전성 피복물을 생성하는 단계로 이루어지는 열안전성 피복물의 제조 방법.
    상기 식중에서, R은 H, 알킬 및 알킬아민으로 이루어지는 군에서 선택된 것이고, X는 탄소 원자수 2 이상의 알킬, 및 아릴로 이루어지는 군에서 선택된 것이고, Z은 알킬 또는 직접 결합이고, Y는 알콕시, 할로 및 실라잔으로 이루어지는 군에서 선택된 것이다.
  11. 제10항에 있어서, 상기 아미노실란ㄷ이 아미노프로필트리에톡시실란인 방법.
  12. 제11항에 있어서, 페릴렌 이무수물과 혼합하기 전에 아미노실란에 0.05 내지 0.15중량%의 물을 첨가하는 단계를 추가로 포함하는 방법.
  13. 제11항에 있어서, 물을 페릴렌 이무수물과 혼합하기 1 내지 2시간 전에 아미노실란에 첨가하는 방법.
  14. 제13항에 있어서, 페릴렌 이무수물과 아미노실란의 혼합물을 가열 전에 숙성시키는 방법.
  15. 제10항에 있어서, 상기 반응물 가열시, 온도를 100℃ 내지 200℃로 증가시키는 방법.
  16. 제15항에 있어서, 상기 반응물 가열시, 온도를 약 150℃로 증가시키는 방법.
  17. 제15항에 있어서, 500℃ 내지 620℃의 온도에서 경화하는 단계를 더 포함하는 방법.
  18. 집적 회로 소자가 통합된 기판을 제공하는 단계, 용매 중의 페릴렌 이무수물과 이미노알킬알콕시실란의 혼합물을 기판에 도포하는 단계, 및 혼합물을 가열하여 집적 회로 소자가 통합된 상기 기판 상에 열안정성 필름을 생성시키는 단계로 이루어지는 집적 회로의 제작 방법.
  19. 제18항에 있어서, 상기 혼합물은 스핀-온 기법에 의해 도포하는 방법.
  20. 제18항에 있어서, 상기 필름의 적어도 일부분을 제거하는 단계를 더 포함하는 방법.
  21. 제20항에 있어서, 상기 필름의 적어도 일부분을 산소/CF4(80 : 20) RIE에 의해 제거하는 방법.
  22. 제20항에 있어서, 상기 필름의 적어도 일부분을 화학-기계적 폴리싱에 의해 제거하는 방법.
  23. 제18항에 있어서, 상기 혼합물을 상기 기판에 도포한 후, 500℃ 내지 620℃의 온도로 약 30분 동안 가열하여 상기 혼합물을 경화시키는 방법.
  24. 제18항에 있어서, 상기 전구체를 상기 필름의 적어도 일부분의 제거 전에 500℃보다 높은 온도로 처리하는 방법.
  25. 하기 일반식의 N, N´이치환 페릴렌 디아미드.
    상기 식중에서, n은 3 내지 8의 정수이고, R은 히드록시, 저급 알콕시, 펜옥시, 및 실세스퀴옥산 중합체의 잔기로 이루어지는 군에서 선택되는 동일 또는 상이한 잔기이다.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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