KR950033675A - 열안정성 피복 재료 - Google Patents
열안정성 피복 재료 Download PDFInfo
- Publication number
- KR950033675A KR950033675A KR1019950013404A KR19950013404A KR950033675A KR 950033675 A KR950033675 A KR 950033675A KR 1019950013404 A KR1019950013404 A KR 1019950013404A KR 19950013404 A KR19950013404 A KR 19950013404A KR 950033675 A KR950033675 A KR 950033675A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- composite material
- perylene
- temperature
- heating
- aminosilane
- Prior art date
Links
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims 3
- 239000000463 material Substances 0.000 title 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract 21
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims abstract 2
- -1 perylene dianhydride Chemical compound 0.000 claims description 10
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 8
- FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N silanamine Chemical group [SiH3]N FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 8
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 6
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 4
- 239000000376 reactant Substances 0.000 claims 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims 3
- WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N (3-aminopropyl)triethoxysilane Chemical group CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 150000003973 alkyl amines Chemical class 0.000 claims 2
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims 2
- 125000001475 halogen functional group Chemical group 0.000 claims 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 claims 2
- KJOLVZJFMDVPGB-UHFFFAOYSA-N perylenediimide Chemical compound C=12C3=CC=C(C(NC4=O)=O)C2=C4C=CC=1C1=CC=C2C(=O)NC(=O)C4=CC=C3C1=C42 KJOLVZJFMDVPGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 125000004103 aminoalkyl group Chemical group 0.000 claims 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims 1
- 125000004356 hydroxy functional group Chemical group O* 0.000 claims 1
- 239000012442 inert solvent Substances 0.000 claims 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 claims 1
- 125000000951 phenoxy group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(O*)C([H])=C1[H] 0.000 claims 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims 1
- 230000004580 weight loss Effects 0.000 claims 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract 2
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D183/00—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers
- C09D183/14—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers in which at least two but not all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/02—Silicon compounds
- C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
- C07F7/10—Compounds having one or more C—Si linkages containing nitrogen having a Si-N linkage
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
- C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
- C08G73/10—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
- C08G73/1057—Polyimides containing other atoms than carbon, hydrogen, nitrogen or oxygen in the main chain
- C08G73/106—Polyimides containing other atoms than carbon, hydrogen, nitrogen or oxygen in the main chain containing silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
- C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
- C08G73/10—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
- C08G73/1075—Partially aromatic polyimides
- C08G73/1082—Partially aromatic polyimides wholly aromatic in the tetracarboxylic moiety
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/48—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule in which at least two but not all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms
- C08G77/54—Nitrogen-containing linkages
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
- Y10T428/31652—Of asbestos
- Y10T428/31663—As siloxane, silicone or silane
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Silicon Polymers (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
본 발명은 스핀-온 방법에 의해 반도체 전구체에 도포될 수 있는 양호한 평면성 및 전극(塡隙) 특성을 갖는 신규한 중간체 화합물에 관한 것으로서, 이 화합물의 경화된 복합 재료는 500℃보다 높은 온도에서 내성을 가질 수 있다. 또한, 본 발명은 상기 중간체 화합물 및 그의 복합 재료를 사용하여 반도체 소자를 제작하는 방법에 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 N-메틸피롤리디논(NMP) 중의 페릴렌 이무수물과 아미노프로필트리에특시실란 간의 반응으로부터 생성된 열안정성 복합 재료의 중량을 시간 및 온도의 함수로서 나타낸 그래프.
Claims (25)
- (a)페릴렌 디이미드 및 (b)폴리(실세스퀴옥산)으로 이루어지는 열안정성 복합 재료.
- 제1항에 있어서, 상기 페릴렌 디이미드 및 상기 폴리(실세스퀴옥산)이 폴리(실세스퀴옥산) 중의 4개 이상의 규소 원자들 각각에 대해 페릴렌 하나의 비율인 열안정성 복합 재료.
- (a)용매 중에서 페릴렌 이무수물과 제1급 또는 제2급 아미노알킬 알콕시 실란을 약 1 : 4의 몰비로 배합하는 단계, (b) 15℃ 내지 80℃의 온도에서 4 내지 20시간 동안 혼합시키는 단계, (c)역학적으로 안정한 고상물이 생성되는 조건하에 가열시키는 단계, (d)질소 분위기하 500℃ 내지 620℃에서 약 30분 동안 경화시키는 단계로 이루어지는 공정에 의해 제조된 열안정성 복합 재료.
- 제3항에 있어서, (a)용매 중에서 페릴렌 이무수물과 제1급 또는 제2급 아미노실란을 약 1 : 4의 몰비로 배합하는 단계, (b) 15℃ 내지 80℃의 온도에서 4 내지 20시간 동안 혼합시키는 단계, (c)약 150℃의 최종 온도로 10 내지 30분에 결쳐 가열시켜 고화(setting)시키는 단계, (d)질소 분위기하 500℃ 내지 620℃에서 약 30분 동안 경화시키는 단계로 이루어지는 공정에 의해 제조된 열안정성 복합 재료.
- 제3항에 있어서, 500℃ 내지 600℃의 온도에 1시간 동안 노출시 1% 미만의 중량 손실을 나타내는 것임을 특징으로 하는 복합 재료.
- 제3항에 있어서, CF4/O2(20/80) 중의 질화규소의 RIF 에칭 속도보다 4배보다 더 크고, 순수 O2중의 질화규소의 RIE 에칭 속도의 ¼ 미만인 것임을 특징으로 하는 복합 재료.
- 제3항에 있어서, 상기 필름이 페릴렌 이무수물과 하기 일반식의 아미노실란의 반응 생성물인 복합 재료.상기 식중에서, R은 H, 알킬 및 알킬아민으로 이루어지는 군에서 선택된 것이고, X는 탄소 원자수 2 이상의 알킬, 및 아릴로 이루어지는 군에서 선택된 것이고, Z은 알킬 또는 직접 결합이고, Y는 알콕시, 할로 및 실라잔으로 이루어지는 군에서 선택된 것이다.
- 제7항에 있어서, 아미노실란이 아미노알킬트리알콕시 실란인 복합 재료.
- 제8항에 있어서, 아미노알킬트리알콕시실란이 아미노프로필트리에톡시실란인 복합 재료.
- 불황성 용매 중에서 페릴렌 이무수물을 1종 이상의 하기 일반식의 아미노 실란과 1 : 4의 몰비로 혼합시키는 단계 및 상기 반응물을 가열하여 열안전성 피복물을 생성하는 단계로 이루어지는 열안전성 피복물의 제조 방법.상기 식중에서, R은 H, 알킬 및 알킬아민으로 이루어지는 군에서 선택된 것이고, X는 탄소 원자수 2 이상의 알킬, 및 아릴로 이루어지는 군에서 선택된 것이고, Z은 알킬 또는 직접 결합이고, Y는 알콕시, 할로 및 실라잔으로 이루어지는 군에서 선택된 것이다.
- 제10항에 있어서, 상기 아미노실란ㄷ이 아미노프로필트리에톡시실란인 방법.
- 제11항에 있어서, 페릴렌 이무수물과 혼합하기 전에 아미노실란에 0.05 내지 0.15중량%의 물을 첨가하는 단계를 추가로 포함하는 방법.
- 제11항에 있어서, 물을 페릴렌 이무수물과 혼합하기 1 내지 2시간 전에 아미노실란에 첨가하는 방법.
- 제13항에 있어서, 페릴렌 이무수물과 아미노실란의 혼합물을 가열 전에 숙성시키는 방법.
- 제10항에 있어서, 상기 반응물 가열시, 온도를 100℃ 내지 200℃로 증가시키는 방법.
- 제15항에 있어서, 상기 반응물 가열시, 온도를 약 150℃로 증가시키는 방법.
- 제15항에 있어서, 500℃ 내지 620℃의 온도에서 경화하는 단계를 더 포함하는 방법.
- 집적 회로 소자가 통합된 기판을 제공하는 단계, 용매 중의 페릴렌 이무수물과 이미노알킬알콕시실란의 혼합물을 기판에 도포하는 단계, 및 혼합물을 가열하여 집적 회로 소자가 통합된 상기 기판 상에 열안정성 필름을 생성시키는 단계로 이루어지는 집적 회로의 제작 방법.
- 제18항에 있어서, 상기 혼합물은 스핀-온 기법에 의해 도포하는 방법.
- 제18항에 있어서, 상기 필름의 적어도 일부분을 제거하는 단계를 더 포함하는 방법.
- 제20항에 있어서, 상기 필름의 적어도 일부분을 산소/CF4(80 : 20) RIE에 의해 제거하는 방법.
- 제20항에 있어서, 상기 필름의 적어도 일부분을 화학-기계적 폴리싱에 의해 제거하는 방법.
- 제18항에 있어서, 상기 혼합물을 상기 기판에 도포한 후, 500℃ 내지 620℃의 온도로 약 30분 동안 가열하여 상기 혼합물을 경화시키는 방법.
- 제18항에 있어서, 상기 전구체를 상기 필름의 적어도 일부분의 제거 전에 500℃보다 높은 온도로 처리하는 방법.
- 하기 일반식의 N, N´이치환 페릴렌 디아미드.상기 식중에서, n은 3 내지 8의 정수이고, R은 히드록시, 저급 알콕시, 펜옥시, 및 실세스퀴옥산 중합체의 잔기로 이루어지는 군에서 선택되는 동일 또는 상이한 잔기이다.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019980012240A KR0153110B1 (en) | 1994-05-27 | 1998-04-07 | N, n' disubstituted perylene diamide |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US8/250,224 | 1994-05-27 | ||
US08/250,224 US5451655A (en) | 1994-05-27 | 1994-05-27 | Process for making thermostable coating materials |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR950033675A true KR950033675A (ko) | 1995-12-26 |
KR0147499B1 KR0147499B1 (ko) | 1998-08-01 |
Family
ID=22946851
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019950013404A KR0147499B1 (ko) | 1994-05-27 | 1995-05-26 | 열안정성 피복 재료 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US5451655A (ko) |
JP (1) | JP3062040B2 (ko) |
KR (1) | KR0147499B1 (ko) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5397741A (en) * | 1993-03-29 | 1995-03-14 | International Business Machines Corporation | Process for metallized vias in polyimide |
US6100195A (en) | 1998-12-28 | 2000-08-08 | Chartered Semiconductor Manu. Ltd. | Passivation of copper interconnect surfaces with a passivating metal layer |
US6638358B1 (en) * | 2000-01-13 | 2003-10-28 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and system for processing a semiconductor device |
JP4890766B2 (ja) * | 2005-01-28 | 2012-03-07 | 帝人化成株式会社 | 光拡散性芳香族ポリカーボネート樹脂組成物 |
US7999355B2 (en) * | 2008-07-11 | 2011-08-16 | Air Products And Chemicals, Inc. | Aminosilanes for shallow trench isolation films |
KR20130133903A (ko) | 2011-04-04 | 2013-12-09 | 고쿠리츠다이가쿠호우징 카가와다이가쿠 | 페릴렌테트라카르복실산 비스이미드 유도체, n-형 반도체, n-형 반도체의 제조 방법, 및 전자 장치 |
CN107075219A (zh) * | 2014-09-16 | 2017-08-18 | 大金工业株式会社 | 含氟弹性体组合物和成型品 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3179630A (en) * | 1962-01-26 | 1965-04-20 | Du Pont | Process for preparing polyimides by treating polyamide-acids with lower fatty monocarboxylic acid anhydrides |
US3901913A (en) * | 1974-06-07 | 1975-08-26 | Dow Corning | Imidoorganosilicon compounds |
US4213914A (en) * | 1974-10-01 | 1980-07-22 | Rhone-Poulenc Industries | Ethylenic silicon compounds and thermoplastic elastomers obtained therefrom |
US4017340A (en) * | 1975-08-04 | 1977-04-12 | General Electric Company | Semiconductor element having a polymeric protective coating and glass coating overlay |
US4246038A (en) * | 1978-05-01 | 1981-01-20 | General Electric Company | Silicone abrasion resistant coatings for plastics |
JPS5952897B2 (ja) * | 1980-05-10 | 1984-12-21 | 日東電工株式会社 | ポリイミド前駆体の製造法 |
US4499252A (en) * | 1984-03-28 | 1985-02-12 | Nitto Electric Industrial Co., Ltd. | Process for producing polyimide precursor |
US4758476A (en) * | 1984-12-12 | 1988-07-19 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Polyimide precursor resin composition and semiconductor device using the same |
JP2507935B2 (ja) * | 1987-05-26 | 1996-06-19 | 日本合成ゴム株式会社 | 硬化性組成物 |
DE3853710T2 (de) * | 1987-11-12 | 1996-01-18 | Chisso Corp | Siliciumatome und Imidogruppen enthaltende Oligomere, härtbare Zusammensetzungen und deren Herstellung. |
US5002831A (en) * | 1988-06-03 | 1991-03-26 | Dow Corning Corporation | Ionomeric coupling agents based on amic acid-functional silanes |
US5021585A (en) * | 1989-06-14 | 1991-06-04 | Hughes Aircraft Company | Aromatic polyimide silanol compounds, precursors and polymers thereof |
US5036145A (en) * | 1989-07-10 | 1991-07-30 | Armstrong World Industries, Inc. | Alkoxysilane and alkoxysilane terminated polyamic or polyimide lacquer composition |
JPH04346993A (ja) * | 1991-05-22 | 1992-12-02 | Arakawa Chem Ind Co Ltd | 新規なシラン化合物およびその製造法 |
US5397684A (en) * | 1993-04-27 | 1995-03-14 | International Business Machines Corporation | Antireflective polyimide dielectric for photolithography |
-
1994
- 1994-05-27 US US08/250,224 patent/US5451655A/en not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-05-25 JP JP12689395A patent/JP3062040B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1995-05-26 KR KR1019950013404A patent/KR0147499B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1995-06-07 US US08/486,906 patent/US5641838A/en not_active Expired - Fee Related
- 1995-06-07 US US08/476,791 patent/US5569731A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5569731A (en) | 1996-10-29 |
JP3062040B2 (ja) | 2000-07-10 |
JPH0851102A (ja) | 1996-02-20 |
KR0147499B1 (ko) | 1998-08-01 |
US5641838A (en) | 1997-06-24 |
US5451655A (en) | 1995-09-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5043789A (en) | Planarizing silsesquioxane copolymer coating | |
US5609925A (en) | Curing hydrogen silsesquioxane resin with an electron beam | |
JP5160189B2 (ja) | 緻密なシリカ質膜を得ることができるポリシラザン化合物含有組成物 | |
JP2004161877A (ja) | 多孔質膜形成用組成物、多孔質膜とその製造方法、層間絶縁膜及び半導体装置 | |
US20060134336A1 (en) | Novel polycarbosilane and method of producing the same, film-forming composition, and film and method of forming the same | |
EP0371287A1 (en) | Planarizing ladder-type silsesquioxane polymer insulation layer | |
JP2991786B2 (ja) | シリコーン樹脂組成物 | |
KR20170014946A (ko) | 실리카 막 형성용 조성물, 실리카 막의 제조방법 및 실리카 막 | |
JP2004292643A (ja) | 多孔質膜形成用組成物、多孔質膜の製造方法、多孔質膜、層間絶縁膜、及び半導体装置 | |
KR950033675A (ko) | 열안정성 피복 재료 | |
KR101895912B1 (ko) | 실리카 막의 제조방법, 실리카 막 및 전자소자 | |
JPS6046826B2 (ja) | 半導体装置 | |
CN1759135B (zh) | 有机硅氧烷树脂以及使用该有机硅氧烷树脂的绝缘膜 | |
US4801507A (en) | Arylsiloxane/silicate compositions useful as interlayer dielectric films | |
JPH0489827A (ja) | ポリアミド酸共重合体及びその製造方法 | |
KR101868430B1 (ko) | 실리카 막 형성용 조성물, 실리카 막의 제조방법 및 실리카 막 | |
KR101968224B1 (ko) | 실리카 막의 제조방법, 실리카 막 및 전자소자 | |
JPS6058582B2 (ja) | 半導体素子のパツシベ−シヨン方法 | |
JPH0586330A (ja) | シリコーンレジン被膜形成剤 | |
KR101940171B1 (ko) | 실리카 막의 제조방법, 실리카 막 및 전자소자 | |
JPH02103052A (ja) | 微細加工方法 | |
JP2001288362A (ja) | 耐熱性樹脂組成物及びその製造方法 | |
JPH04185641A (ja) | 耐熱性樹脂組成物と絶縁膜の製造方法 | |
EP0553971A2 (en) | Curable resins, solutions thereof, processes for making them, and electronic part protective coatings | |
KR20170084843A (ko) | 실리카 막 형성용 조성물, 실리카 막의 제조방법 및 실리카 막 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20020307 Year of fee payment: 5 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |