KR950025995A - 적층 캐패시터 제조방법 - Google Patents

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KR950025995A
KR950025995A KR1019940002450A KR19940002450A KR950025995A KR 950025995 A KR950025995 A KR 950025995A KR 1019940002450 A KR1019940002450 A KR 1019940002450A KR 19940002450 A KR19940002450 A KR 19940002450A KR 950025995 A KR950025995 A KR 950025995A
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황준
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김주용
현대전자산업 주식회사
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    • G—PHYSICS
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Abstract

본 발명은 반도체소자의 캐패시터 제조방법에 관한 것으로서, 종래기술로 필드산화막, 워드라인, 산화막스페이서 및 제1내부절연막패턴과 콘택홀을 형성하고 그 상부에 상기 콘택홀을 매립하도록 제1다결정실리콘막을 증착하되 트렌치를 형성할 수 있도록 종래보다 두배 더 두껍게 증착한 다음, 저장전극요 마스크를 사용하여 제1다결정실리콘막패턴을 형성하고 그 상부에 제1다결정실리콘막패턴의 상부에 트렌치를 형성할 수 있는 감광막패턴을 형성한 후, 상기 감광막패턴을 마스크로하여 제1다결정실리콘막패턴의 상부에 트렌치를 형성하고 그상부에 유전체막을 형성한 후, 상기 유전체막의 상부에 제2다결정실리콘막을 사용하여 플레이트전극을 형성함으로써, 적층 캐패시터를 제조하고 고집적화된 소자에서 필요로하는 정전용량을 구비하도록 하여 반도체소자의 특성을 향상시키는 기술이다.

Description

적층 캐패시터 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2C도는 본 발명에 따른 적층 캐패시터 제조공정을 도시한 도면.

Claims (2)

  1. 반도체기판 상부에 공지의 기술로 필드산화막, 워드라인을 형성하고 상기 워드링의 측벽에 산화막스페이서를 형성한 후, 불순물 주입공정으로 소오스/드레인을 형성하고 전체상부구조에 제1내부절연막을 증착하고 상부에 제1감광막패턴을 형성하는 공정과, 상기 제1감광막패턴을 마스크로하여 콘택홀을 형성하고 사기 제1감광막패턴을 제거한 다음, 상기 콘택홀을 매립하도록 제1다결정실리콘막을 증착하고 저장전극용 마스크를 사용하여 제1다결정실리콘막패턴을 형성하는 공정과, 상기 제1다결정실리콘막패턴의 상부에 트렌치를 형성하기위한 제2감광막패턴을 형성하는 공정과, 상기 제2감광막패턴을 마스크로하여 상기 제1다결정실리콘막패턴의 상부를 일정두께 식각하여 트렌치가 형성된 저장전극을 형성한 다음, 상기 제2감광막패턴을 제거하는 공정과, 상기 저장전극의 상부에 유전체막을 형성하는 공정과, 상기 유전체막의 상부에 제2다결정실리콘막을 사용하여 플레이트전극을 형성하는 공정을 포함하는 적층 캐패시터 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1다결정실리콘막패턴은 트렌치를 형성할 수 있도록 종래보다 두배 더 두껍게 증착하는 것을 특징으로 하는 적층 캐패시터 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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