KR950018638A - 스퍼터링 장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 내부를 진공상태로 하는 배기계를 구비한 진공용기와, 이 진공용기 내부에 배치되고, 성막 설치되는 기판을 부착한 기판우지부재와, 상기 기판에 대하여 대향하는 위치관계로 배치되고 상기 시판명에 성막하는 장방형 평명상 타켓을 구비한 적어도 사나의 마그네트론 캐소드 전극과, 상기 진공용기 내부에 가스를 유통시켜서 내부압력을 적절히 유지하는 가스제어계와, 상기 마그네트론 캐소드 전극에 전력을 공습하는 전원계를 포함한 스퍼터링 장치이고, 상기 하나의 마그네트론 캐소드 전극은 N극,S극에 관한 자극의 극성이 서로 반대인 제1 및 제2의 자석유니트를 번갈아 인접시켜서 배치한 자석조립체를 구비하고, 상기 타켓명상에 인접된 상기 자석유티트를 번갈아 인접시켜서 배치한 자속조립체를 구비하고, 상기 타켓면상에 인접된 상기 자석유티트를 제1자석유니트 및 제2자석유니트 각각에서 생성하는 이온 전류발생 영역이 공유된 정도로 접근한 위치에 배치함으로써 서로 인접하는 드리프트 전자의 궤도가 혼성하는 마그케트론 캐소드 전극에 있어서, 복수 배치한 장방형 자석 유니트 가운데서 최단부가 배치한 자석유니트의 외주 자석의 긴변부분으로 형성되는 자계가운데서 그 자계영역의 단부 강도를 그 자계 영역의 기타 부분의 자계강도와 같아지도록 약하게 설정하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링장치에 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본발명의 스퍼터링 장치의 구성의 1실시예,
제2도는 동 실시예의 캐소드 전극의 구조표시도.
Claims (12)
- 내부를 진공상태로 하는 배기계를 구비한 진공용기와, 이 진공용기 내부에 배치되고, 성막 설치되는 기판을 부착한 기판유지부재와, 상기 기판에 대하여 대향하는 위치관계롤 배치되고 상기 기판면에 성막하는 장방형 평면상 타켓을 구비한 적어도 하나의 마그네트론 캐소드 전극과, 상기 진공용기 내부에 가스를 유통시켜서 내부압력을 적절히 유지하는 기스제어계와, 상기 마그네트론 캐소드 전극에 전력을 공급하는 전원계를 포함한 스퍼터링 장치이고, 상기 하나의 마그네트론 캐소드 전극은 N극, S극에 관한 자극의 극성이 서로 반대인 제1 및 제2의 자석유니트를 번갈아 인접시켜서 배치한 자석조립체를 구비하고, 상기 타켓면상에 인접된 상기 자석유니트에 의해 드리프트 전자의 운동방향이 반대인 2종류의 환상궤적이 번갈아 인접되고, 2종류의 상기 자석유니트를 제1자석유니트 및 제2자석유니트 각각에서 생성하는 이온전류 발생 영역이 공유될 정도로 접근한 위치에 배치함으로써 서로 인접하는 드리프트 전자의 궤도가 혼성하는 마그네트론 캐소드 전극에 있어서, 복수 배치한 장방형 자석 유니트 가운데서 최단부가 배치한 자석유니트의 외주자석으로 반대극이 인접되지 않은 긴변부분과 중심자석으로 형성되는 자계의 강도를 반대극이 인접된 긴변부분과 중심자석으로 형성되는 자계의 강도와 같아지도록 약하게 설정하고 그리고 자석유니트의 외주자석의 긴변부분과 거기에 인접된 자석유니트의 외주 자석의 긴 변부분으로 형성되는 자계가운데서 그 자계영역의 단부 강도를 그 자계 영역의 기타 부분의 자계강도와 같아지도록 약하게 설정하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 마그네트론 캐소드 전극에 있어서,복수배치한 장방형의 자석유니트중에서최단부에 배치된 자석유니트의 외주자석으로 반대극이 인접하지 않는 긴변부분의 폭을 그 외주자석의기타 부분의 폭보다 작게 설정하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링장치.
- 제1항에 있어서, 상기 마그네트론 캐소드 전극에 있어서, 자석유니트의 중심자석 단부와 외주자석의 긴변부분사이의 거리를 자석 유니트 사이의 거리보다 짧게 하고 또한 단부이외의 중심자석의 부분과 외주자석의 긴변부분 사이의 거리보다 짧게하고, 또한 중심자석 단부와 외주자석의 짧은 변 부분 사이의 거리를 자석유니트 사이의 거리보다 짧게하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
- 제3항에 있어서, 상기 마그네트론 캐소드 전극에 있어서, 자석유니트의 중심자석 단부에서 외주자석의 짧은 부분에 대향하는 부분을 상기 자석유니트 상방에서 보아 T자형으로 형성하고, 이 T자형으로 형성한 중심자석단부와, 거기에 대향하는 외주자석부분과의 간격을 각 자석유니트 사이의 거리보다 짧게 설정하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치
- 제1항에 있어서, 상기 마그네트론 캐소드 전극에 있어서, 최단부에 배치한 자석유니트의 외주자석으로 반대극이 인접하지 않는 긴변부분의 자화를 그 긴변부분과 중심자석으로 형성되는 자계강도와 반대극이 인접된 긴변 부분과 중심자석을 형성되는 자계강도가 같아지도록 작게 설정하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 마그네트론 캐소드 전극에 있어서, 제1 및 제1자석 유니트는 접근상태로 배치되고 그들 인접부 사이에는 스페이서가 개재설치되도록 구성하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
- 제6항에 있어서, 상기 스페이서의 재질을 연철로 하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 장방형 평면상 타켓을 접착한 뒷판 반대편에 다수의 홈을 갖는 수냉 재킷을 부착하고 상기 자석조립체는 상기 수냉재킷 외측의 대기에 정지하여 배치하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
- 제8항에 있어서, 상기 자석조리비체는 상기 수냉재킷 외주의 대기에 그 이동을 허용하는 공간을 설치하여 배치하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 기판 유지부재는 상기 기판을 이소하기 위하여 이동자재이고, 또한 상기 진공용기내에서 상기 기판에 박막을 형성할 때, 상기 기판이 상기 마그네트론 캐소드 전극의 타켓면에 대향 하는 위치에서 상기 기판유지부재는 정지도도록 구성하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링장치.
- 제10항에 있어서, 상기 이동기구는 회전구동장치와, 이 회전구동장치에 의한 회전운동을 상기 자석조립체의 왕복운동으로 변환하는 변환기구와, 상기 자석조립체의 왕복운동을 가이드하는 가이드부재로 구성하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링장치.
- 제1항에 있어서, 최단부에 배치한 자석유니트 외주자석으로 반대극이 인접하지 않는 긴변부분과 중심자석이 부분과, 자석유니트 외주자석의 긴변부분과 거기에 인접하는 자석유니트 외주자석의 긴변부분사이 부분의 단부 부분에 각각 연자성 재료의 스페이서를 배치한 것을 특징으로 하는 스퍼터링장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Families Citing this family (7)
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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