KR950012943A - 반도체 레이저 다이오드 및 그의 제조 방법 - Google Patents
반도체 레이저 다이오드 및 그의 제조 방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 이중 빔(dual beam) 반도체 레이저 다이오드 및 그의 제조 방법에 관한 것이다. 반도체 레이저 다이오드에 있어서, 반도체 n형 GaAs기판의 상부에 p형 GaAs 전류 차단층이 선택적으로 성장되어 있다.
p형 GaAs 전류 차단층에는 그 자신이 경사면이 되고 상기 기판이 바닥면이 되는 2개의 그루브가 형성되어 있으며, p형 GaAs 전류 차단층중 경사면의 상부에는 p형 AlGaAs 전류 차단 영역이 형성되어 있고, 평탄면의 상부에는 n형 AlGaAs 클래드영역이 형성되며, n형 AlGaAs 클래드 영역 및 p형 AlGaAs 전류 차단 영역으로 이루어진 표면의 상부에는 p형 AlGaAs 활성층, p형 AlGaAs 클래드층 및 p형 GaAs 콘택층이 순차적으로 적층되어 있다. 여기서, p형 GaAs전류 차단층은 실리콘 질화막을 마스크 패턴으로 하며 수소원자가 불순물들과 함께 공급되면서 결정성장되며, n형 AlGaAs 클래드 영역 및 p형 AlGaAs 전류 차단 영역은 실리콘의 양성 효과에 따라 면선택적 도핑이 이루어지는 MBE 법을 통하여 성장된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 반도체 레이저 다이오드의 단면도를 나타낸 것이다.
제3A도 및 제3B도는 분자선 결정 성장법(MBE)에서의 선택적 결정성장과 성장된 결정층들이 갖는 면지수를 나타낸 도면들이다.
Claims (7)
- 반도체 기판; 상기 반도체 기판상에 선택적으로 성장되어 있는 것으로, 그 안에 상기 기판을 바닥면으로 갖고 그 자신을 경사면으로 갖는 2개의 그루브들이 상호 인접되도록 형성되어 있는 제1도전형 GaAs전류 차단층; 상기 제1도전 GaAs 전류 차단층의 상부에 형성되어 있는 것으로, 상기 그루브의 경사면들에 대응되는 부위에 성장되어 있는 제1도전형 AlGaAs 전류 차단 영역과, 상기 기판으로 이루어진 그루브의 바닥면 및 상기 제1도전형 GaAs 전류 차단층의 평탄면들에 대응되는 부위에 성장되어 있는 제2도전형 AlGaAs 클래드 영역으로 이루어지는 AlGaAs 하부층; 상기 AlGaAs 하부층에 형성되어 있고, 상기 그루브들에 대응되는 V-형태의 그루브들를 갖는 AlGaAs 활성층; 및 상기 AlGaAs 활성층의 상부에 형성되어 있는 제1도전형 AlGaAs클래드층을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
- 제1항에 있어서, 상기 제1도전형 AlGaAs 클래드층의 상부에 형성되어 있고 제1도전형 GaAs로 구성되는 콘택층을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
- 제1항에 있어서, 상기 제2도전형 AlGaAs 클래드 영역, 제1도전형 AlGaAs 전류 차단 영역 및 제1도전형 AlGaAs 클래드층을 구성하는 AlyGa1-yAs(단, 0〈y〈1)물질에서 알루미늄의 조성비(y)는 상기 활성층을 구성하는 AlxGa1-xAs(단, 0〈x〈1) 물질에서 알루미늄의 조성비(x)보다 큰 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
- 제1항에 있어서, 상기 그루브들의 경사면들이 갖는 면지수는 (111)A 또는 (311)A인 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
- 반도체 기판의 소정 부위상에 결정성장 마스크 패턴을 형성하는 제1공정; 상기 결정성장 마스크 패턴을 사용하여 제1전형 GaAs 전류 차단층을 성장시켜, p형 GaAs 전류 차단층으로 이루어진 경사면들과 상기 기판으로 이루어진 바닥면을 갖는 그루브들을 형성시키는 제2공정; 동시 도핑 기술을 이용한 결정성장 공정을 사용하여, 상기 그루브의 경사면의 상부에서는 p형 AlGaAs전류 차단 영역이 되고 그 나머지 부위의 상부에서는 제2도전형 AlGaAs클래드영역이 되는 AlGaAs 하부층을 형성하는 제3공정; 및 상기 AlGaAs 하부층상에, AlGaAs 활성층 및 제2도전형 AlGaAs 클래드층을 순차적으로 결정성장시키는 제4공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 레아저 다이오드의 제조 방법.
- 제5항에 있어서, 상기 제2공정은 SiNx로 구성된 결정성장 마스크 패턴을 사용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 제조 방법.
- 제5항에 있어서, 상기 제3 공정은 실리콘(Si)의 양성효과(amphoteric effect)에 따라 면선택적도핑이 이루어지는 분자선 결정성장법에 의하여 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930020953A KR950012943A (ko) | 1993-10-09 | 1993-10-09 | 반도체 레이저 다이오드 및 그의 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| KR1019930020953A KR950012943A (ko) | 1993-10-09 | 1993-10-09 | 반도체 레이저 다이오드 및 그의 제조 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR950012943A true KR950012943A (ko) | 1995-05-17 |
Family
ID=66824253
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019930020953A KR950012943A (ko) | 1993-10-09 | 1993-10-09 | 반도체 레이저 다이오드 및 그의 제조 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR950012943A (ko) |
-
1993
- 1993-10-09 KR KR1019930020953A patent/KR950012943A/ko not_active Application Discontinuation
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