Claims (7)
반도체 기판; 상기 반도체 기판상에 선택적으로 성장되어 있는 것으로, 그 안에 상기 기판을 바닥면으로 갖고 그 자신을 경사면으로 갖는 2개의 그루브들이 상호 인접되도록 형성되어 있는 제1도전형 GaAs전류 차단층; 상기 제1도전 GaAs 전류 차단층의 상부에 형성되어 있는 것으로, 상기 그루브의 경사면들에 대응되는 부위에 성장되어 있는 제1도전형 AlGaAs 전류 차단 영역과, 상기 기판으로 이루어진 그루브의 바닥면 및 상기 제1도전형 GaAs 전류 차단층의 평탄면들에 대응되는 부위에 성장되어 있는 제2도전형 AlGaAs 클래드 영역으로 이루어지는 AlGaAs 하부층; 상기 AlGaAs 하부층에 형성되어 있고, 상기 그루브들에 대응되는 V-형태의 그루브들를 갖는 AlGaAs 활성층; 및 상기 AlGaAs 활성층의 상부에 형성되어 있는 제1도전형 AlGaAs클래드층을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.Semiconductor substrates; A first conductive type GaAs current blocking layer selectively grown on the semiconductor substrate, wherein the two grooves having the substrate as a bottom surface and having their own as an inclined surface are adjacent to each other; A first conductive AlGaAs current blocking region formed on an upper portion of the first conductive GaAs current blocking layer and grown on a portion corresponding to the inclined surfaces of the groove, a bottom surface of the groove made of the substrate, and the An AlGaAs lower layer comprising a second conductive AlGaAs clad region grown on portions corresponding to flat surfaces of the first conductive GaAs current blocking layer; An AlGaAs active layer formed on the AlGaAs lower layer and having V-shaped grooves corresponding to the grooves; And a first conductive type AlGaAs cladding layer formed on the AlGaAs active layer.
제1항에 있어서, 상기 제1도전형 AlGaAs 클래드층의 상부에 형성되어 있고 제1도전형 GaAs로 구성되는 콘택층을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.The semiconductor laser diode according to claim 1, further comprising a contact layer formed on the first conductive AlGaAs clad layer and composed of the first conductive GaAs.
제1항에 있어서, 상기 제2도전형 AlGaAs 클래드 영역, 제1도전형 AlGaAs 전류 차단 영역 및 제1도전형 AlGaAs 클래드층을 구성하는 AlyGa1-yAs(단, 0〈y〈1)물질에서 알루미늄의 조성비(y)는 상기 활성층을 구성하는 AlxGa1-xAs(단, 0〈x〈1) 물질에서 알루미늄의 조성비(x)보다 큰 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.2. The Al y Ga 1-y As of claim 1, wherein the Al y Ga 1-y As constituting the second conductive AlGaAs clad region, the first conductive AlGaAs current blocking region, and the first conductive AlGaAs cladding layer are provided. The composition ratio (y) of aluminum in the material is greater than the composition ratio (x) of aluminum in the Al x Ga 1-x As (0 <x <1) material constituting the active layer.
제1항에 있어서, 상기 그루브들의 경사면들이 갖는 면지수는 (111)A 또는 (311)A인 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.The semiconductor laser diode of claim 1, wherein a surface index of the inclined surfaces of the grooves is (111) A or (311) A.
반도체 기판의 소정 부위상에 결정성장 마스크 패턴을 형성하는 제1공정; 상기 결정성장 마스크 패턴을 사용하여 제1전형 GaAs 전류 차단층을 성장시켜, p형 GaAs 전류 차단층으로 이루어진 경사면들과 상기 기판으로 이루어진 바닥면을 갖는 그루브들을 형성시키는 제2공정; 동시 도핑 기술을 이용한 결정성장 공정을 사용하여, 상기 그루브의 경사면의 상부에서는 p형 AlGaAs전류 차단 영역이 되고 그 나머지 부위의 상부에서는 제2도전형 AlGaAs클래드영역이 되는 AlGaAs 하부층을 형성하는 제3공정; 및 상기 AlGaAs 하부층상에, AlGaAs 활성층 및 제2도전형 AlGaAs 클래드층을 순차적으로 결정성장시키는 제4공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 레아저 다이오드의 제조 방법.Forming a crystal growth mask pattern on a predetermined portion of the semiconductor substrate; A second process of growing a first typical GaAs current blocking layer using the crystal growth mask pattern to form grooves having inclined surfaces formed of a p-type GaAs current blocking layer and a bottom surface formed of the substrate; A third process of forming an AlGaAs lower layer, which becomes a p-type AlGaAs current blocking region on the top of the inclined surface of the groove and a second conductive AlGaAs clad region on the remaining portion, using a crystal growth process using a simultaneous doping technique ; And a fourth step of sequentially crystal-growing an AlGaAs active layer and a second conductive AlGaAs cladding layer on the AlGaAs lower layer.
제5항에 있어서, 상기 제2공정은 SiNx로 구성된 결정성장 마스크 패턴을 사용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 제조 방법.The method of claim 5, wherein the second process is performed using a crystal growth mask pattern composed of SiN x .
제5항에 있어서, 상기 제3 공정은 실리콘(Si)의 양성효과(amphoteric effect)에 따라 면선택적도핑이 이루어지는 분자선 결정성장법에 의하여 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조 방법.The method of claim 5, wherein the third process is performed by a molecular beam crystal growth method in which surface selective doping is performed according to an amphoteric effect of silicon (Si).
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.