KR950009980A - Source / Drain region formation method of semiconductor device - Google Patents

Abstract

본 발명의 반도체 소자의 소오스/드레인 영역 형성방법에 관한 것으로, 반도체 소자의 소오스/드레인 영역 형성시 소오스/드레인 영역이 형성되는 부분만 마스크를 사용하여 개방한 상태에서 불순물 이온주입 공정을 통해 소오스/드레인 영역을 형성하므로써 게이트 영역이 비정질화(Amorphorization)되는 것을 방지할 수 있도록한 반도체 소자의 소오스/드레인 영역 형성방법에 관해 기술된다.The present invention relates to a method for forming a source / drain region of a semiconductor device, wherein the source / drain region is formed only when a source / drain region is formed by using an impurity ion implantation process in a state in which the source / drain region is formed using a mask. A method of forming a source / drain region of a semiconductor device in which a gate region is prevented from being amorphous by forming a drain region is described.

Description

반도체 소자의 소오스/드레인 영역 형성방법Source / Drain region formation method of semiconductor device

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음Since this is an open matter, no full text was included.

제1a 내지 제1c도는 본 발명에 따라 반도체 소오스/드레인 영역이 형성되는 단계를 나타내는 단면도.1A-1C are cross-sectional views illustrating steps in forming semiconductor source / drain regions in accordance with the present invention.

Claims (1)

반도체 소자의 소오스/드레인 영역 형성방법에 있어서, 실리콘 기판(1) 상부에 필드 산화막 및 게이트 산화막(2 및 3)을 형성한 상태에서, 게이트 전극용 폴리실리콘 및 스텐 실리사이드(4 및 5)를 증착하고 스페이서 산화막(6)을 형성한 수 전체구조 상부에 포토레지스트(7)를 도포하는 단계와, 상기 단계로부터 상기 실리콘 기판(1)상에 소오스/드레인 영역이 형성될 부분 상부의 상기 포토레지스트(7)를 현상 공정을 통해 패턴화하여 개방하고 불순물 이온 주입공정을 실시하여 소오스/드레인 영역(8)을 형성한 후 상기 포토레지스트(7)를 제거하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 소오스/드레인 영역 형성방법.In the method of forming a source / drain region of a semiconductor device, polysilicon and stainless silicides 4 and 5 for gate electrodes are deposited while the field oxide film and the gate oxide films 2 and 3 are formed on the silicon substrate 1. And applying a photoresist 7 over the whole structure having the spacer oxide film 6 formed thereon, and from the step the photoresist above the portion where the source / drain regions are to be formed on the silicon substrate 1. 7) patterning and opening the wafer through a development process, and performing a source of impurity ion implantation to form a source / drain region 8, and then removing the photoresist 7. / Drain region formation method. ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.