KR970008580A - Transistor manufacturing method of semiconductor device - Google Patents

Abstract

본 발명은 반도체 소자의 트랜지스터 제조방법이 개시된다.The present invention discloses a transistor manufacturing method of a semiconductor device.

본 발명은 게이트 전극 마스크 작업으로 폴리실리콘층을 1차 식각하고, 1차 식각으로 형성된 식각면에 스페이서를 형성한 후 2차 식각하여 게이트 전극을 완성하고, 소오스/드레인 불순물 주입 공정을 실시하여 LDD구조의 트랜지스터가 제조된다.According to the present invention, a polysilicon layer is firstly etched by a gate electrode mask operation, a spacer is formed on an etch surface formed by the first etch, and then secondly is etched to complete a gate electrode, and a source / drain impurity implantation process is performed to perform LDD. A transistor of the structure is manufactured.

따라서, 본 발명은 한번의 소오스/드레인 불순물 주입공정으로 소오스/드레인 영역과 LDD영역을 동시에 형성시켜 LDD구조의 트랜지스터를 제조하므로 공정을 단순화 할 수 있으며, 특히 LDD 영역이 폴리실리콘으로 완전히 덮혀지게 되므로서 게이트 전압으로 용이하게 조절 가능하여 핫 캐리어에 의한 소자의 신뢰성 저하방지 및 전류 구동 능력을 향상시킬 수 있다.Therefore, the present invention can simplify the process by forming a transistor having an LDD structure by simultaneously forming a source / drain region and an LDD region in a single source / drain impurity implantation process, in particular, since the LDD region is completely covered with polysilicon. It can be easily adjusted by the gate voltage to prevent the device from being degraded by hot carriers and improve the current driving capability.

Description

반도체 소자의 트랜지스터 제조방법Transistor manufacturing method of semiconductor device

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음Since this is an open matter, no full text was included.

제1C 내지 제1D도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 트랜지스터 제조방법을 설명하기 위한 소자의 단면도.1C to 1D are cross-sectional views of a device for explaining a transistor manufacturing method of a semiconductor device according to the present invention.

Claims (1)

반도체 소자의 트랜지스터 제조방법에 있어서, 실리콘 기판상에 게이트 산화막과 폴리실리콘층을 순차적으로 형성한 후, 상기 폴리실리콘층상에 게이트 전극 마스크 작업을 통해 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 상기 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 하여 폴리실리콘층의 노출부위를 1차 식각한 후, 1차 식각된 상기 폴리실리콘층상에 산화막을 형성하는 단계와, 상기 산화막을 블랭켓 식각하여 1차 식각된 상기 폴리실리콘층의 측벽에 산화막 스페이서를 형성하고, 상기 산화막 스페이서를 식각 마스크로 하여 상기 폴리실리콘의 1차 식각된 부분의 노출 부위가 완전히 제거될 때까지 2차 식각하여 게이트 전극이 형성되는 단계와, 상기 산화막 스페이서를 제거한 후, 소오스/드레인 불순물 주입 공정과 열처리 공정으로 LDD영역과 소오스/드레인 영역을 동시에 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로하는 반도체 소자의 트랜지스터 제조방법.A method of manufacturing a transistor of a semiconductor device, the method comprising: sequentially forming a gate oxide film and a polysilicon layer on a silicon substrate, and then forming a photoresist pattern on the polysilicon layer through a gate electrode mask operation; Etching the exposed portion of the polysilicon layer as an etch mask, and then forming an oxide film on the polysilicon layer that is first etched, and blanket-etching the oxide film to form the first etched polysilicon layer. Forming a gate spacer on the sidewalls, and etching the second spacer until the exposed portion of the first etched portion of the polysilicon is completely removed using the oxide spacer as an etch mask; After removal, the LDD region and the source / drain are subjected to source / drain impurity implantation and heat treatment. And forming a phosphorus region at the same time. ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.