KR950009445B1 - Method for producing a highly pure copper thin film by chemical vapor deposition - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 리간드로서 케토에스테르류를 갖는 유기 구리 화합물을 화학 증착법의 전구체로 사용하여 고순도의 구리 박막을 제조하는 방법에 관한 것이다. 더욱 구체적으로, 본 발명은 리간드로서 케토에스테르류를 갖는 유기 구리 화합물을 단독 또는 루이스 염기와 함께 화학 증착법에 사용함으로써 증착 가열 공정중에 리간드 자체가 열분해되는 단점을 제거한, 탄소 오염이 없는 고순도 구리 박막을 제조하는 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for producing a high purity copper thin film using an organic copper compound having ketoesters as a ligand as a precursor for chemical vapor deposition. More specifically, the present invention provides a high-purity copper thin film free of carbon contamination by eliminating the disadvantage that the ligand itself is pyrolyzed during the deposition heating process by using an organic copper compound having ketoesters as a ligand alone or in combination with a Lewis base. It relates to a manufacturing method.
전자 산업에서 집적 회로의 연결 물질로 사용되던 알루미늄은 전기 전도도가 높고, 실리콘 및 실리카에 대한 접착성이 크며, 증착, 에칭 및 패턴 형성이 쉽다는 장점을 가지는 반면, 융점이 낮고, 전자 이동에 대한 저항(electromigration resistance)이 낮으며, 부식성이 크기 때문에 초고집적 회로(ULSI)에서 사용하기에는 부적당하다. 텅스텐은 전자 이동에 대한 저항이 크고, 융점이 높아 알루미늄의 대체 물질로서 관심을 끌고 있으나, 초고집적 회로에서 속도를 증가시키기 위하여 큰 전류를 사용하게 되면 텅스텐의 높은 전기 저항으로 인하여 다량의 열이 발생하므로 이 또한 초고집적 회로에 사용하기에는 부적당하다. 최근에는 낮은 전기 저항 및 전자 이동에 대한 높은 저항과 아울러 높은 전기 전도도를 갖는 구리에 대한 연구에 관심이 모아지고 있다.Aluminum, which has been used as a connecting material for integrated circuits in the electronics industry, has the advantages of high electrical conductivity, high adhesion to silicon and silica, easy deposition, etching and pattern formation, while low melting point and Its low electromigration resistance and high corrosiveness make it unsuitable for use in ultra high density circuits (ULSI). Tungsten has attracted attention as a substitute for aluminum because of its high resistance to electron transfer and its high melting point.However, when a large current is used to increase the speed in an ultra-high density circuit, a large amount of heat is generated due to the high electrical resistance of tungsten. This is also unsuitable for use in ultra-high density circuits. Recently, attention has been focused on the study of copper having high electrical conductivity as well as low electrical resistance and high resistance to electron transfer.
화학 증착법에 의한 금속 박막의 제조, 특히 유기 금속 화합물을 전구체로 사용하는 화학 증착법은 기체 상태의 전구체를 낮은 에너지를 가함으로써 분해시켜 간단하고도 저렴한 비용으로 금속 박막을 얻을 수 있기 때문에 관심이 증대되고 있다.The manufacture of metal thin films by chemical vapor deposition, in particular, the chemical vapor deposition using an organometallic compound as a precursor, has increased interest because a metal thin film can be obtained simply and at low cost by decomposing gaseous precursors by applying low energy. have.
종래에 구리 증착을 위한 전구체로서 사용되어 오던 유기 구리 화합물은 리간드로서 베타디케톤, 알콕시드 또는 시클로펜타디엔을 갖는 화합물이다. 그러나, 이들 유기 구리 화합물 대부분은 증착 과정중에 리간드가 열분해되어 불순물이 생성되므로 순도 높은 구리 박막을 얻기 어려운 것으로 알려져 있다. 케타디케토네이트 화합물의 경우에는 전구체의 휘발성을 증가시키고, 얻어지는 구리 박막의 순도를 높이기 위하여 불소로 치환된 베타디케톤은 단독(미국 특허 제3,356,527호 참조) 또는 루이스 염기와 함께(Chem. Mater. 1992. 4, 577 788 참조) 사용하는 방법이 공지되어 있다. 그러나, 불소를 포함하는 리간드는 가격이 비싸고 부식성이 있다는 단점이 있다.Organic copper compounds which have conventionally been used as precursors for copper deposition are compounds having betadiketone, alkoxide or cyclopentadiene as ligands. However, most of these organic copper compounds are known to be difficult to obtain a high purity copper thin film due to pyrolysis of ligands during deposition. In the case of ketadiketonate compounds, betadiketones substituted with fluorine alone (see US Pat. No. 3,356,527) or in combination with Lewis bases to increase the volatility of the precursor and increase the purity of the resulting copper thin film (Chem. Mater. 4, 577 788) is known. However, ligands containing fluorine have the disadvantage of being expensive and corrosive.
따라서, 본 발명의 목적은 증착 과정중에 리간드의 열분해로 인탄 탄소 오염이 없이, 구리 증착을 위한 전구체로서 유기 구리 화합물을 사용하는 화학 증착법에 의한 고순도 구리 박막의 제조 방법을 제공하는데 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a method for producing a high purity copper thin film by chemical vapor deposition using an organic copper compound as a precursor for copper deposition without pyrolysis of a ligand during deposition.
상기 본 발명의 목적은 유기 구리 화합물을 화학 증착법의 전구체로 사용하여 구리 박막을 제조하는 방법에 있어서, 유기 구리 화합물의 리간드로서 케토에스테르류를 단독 또는 루이스 염기와 함께 사용함으로써 달성 된다.The object of the present invention is achieved by using ketoesters alone or in combination with a Lewis base as a ligand of the organic copper compound in the method for producing a copper thin film using the organic copper compound as a precursor of a chemical vapor deposition method.
이하, 본 발명을 더욱 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail.
본 발명에 따르면, 구리 증착을 위한 전구체로 사용되는 유기 구리 화합물의 리간드로서 케토에스테르류가 단독으로 또는 루이스 염기와 함께 사용되며, 이 전구체는 수소 존재하에 또는 부재하에 화학 증착되어, 증착 과정중에 유기 리간드 자체가 열분해되지 않으므로 탄소 오염이 없는 순수한 구리 박막을 제조할 수 있다.According to the invention, ketoesters are used alone or in combination with Lewis bases as ligands of organic copper compounds used as precursors for copper deposition, which precursors are chemically deposited in the presence or absence of hydrogen, Since the ligand itself is not pyrolyzed, a pure copper thin film free of carbon contamination can be produced.
본 발명에 따른 리간드로서 케토에스테르류를 갖는 유기 구리 화합물 전구체는, 다음의 반응식 (1) 및 (2)로 나타낸 바와같이, 가열시에 수소와 반응하여 구리와 유기 리간드로 분해된다. 전구체의 열분해에 의해 생성된 유기 물질은 가스크로마토그래피와 질량 분석기를 사용하여 분석한 결과, 반응식 (1)의 경우에는 순수한 β-케토에스테르이고, 반응식 (2)의 경우에는 β-케토에스테르와 루이스 염기임을 확인할 수 있었다 (하기 반응식 중, L은 루이스 염기임).Organic copper compound precursors having ketoesters as ligands according to the present invention are decomposed into copper and organic ligands by reacting with hydrogen during heating, as shown in the following reaction formulas (1) and (2). The organic material produced by the pyrolysis of the precursor was analyzed by gas chromatography and mass spectrometry. As a result, it was pure β-ketoester in the scheme (1), and β-ketoester and Lewis in the scheme (2). It was confirmed that the base (in the following scheme, L is a Lewis base).
(β-케토에스테르)2Cu + H2---→ Cu +2β-케토에스테르 (1)(β-ketoester) 2 Cu + H 2 --- → Cu + 2β-ketoester (1)
2(β-케토에스테르)CuL + H2---→ 2Cu +2β-케토에스테르+2L (2)2 (β-ketoester) CuL + H 2 --- → 2Cu + 2β-ketoester + 2L (2)
케토에스테르와 루이스 염기를 함께 갖는 유기 구리 화합물은 수소가 없는 경우에는 다음 반응식(3)으로 나타낸 바와같이 구리 금속, 구리(Ⅱ) 화합물 및 루이스 염기로 분해된다.In the absence of hydrogen, the organic copper compound having both a ketoester and a Lewis base is decomposed into a copper metal, a copper (II) compound and a Lewis base as shown in the following reaction formula (3).
2(β-케토에스테르)CuL ---→ Cu + Cu(β-케토에스테르)2+2L (3)2 (β-ketoester) CuL --- → Cu + Cu (β-ketoester) 2 + 2L (3)
본 발명에 따른 유기 구리(Ⅱ) 화합물 전구체는 구리의 황산염 또는 질산염 등을 염기의 존재하에 β-케토에스테르와 반응시키고, 얻어진 생성물을 재결정 및 승화시켜 정제함으로써 얻을 수 있다.The organic copper (II) compound precursor according to the present invention can be obtained by reacting copper sulfate or nitrate with β-ketoester in the presence of a base, and recrystallizing and subliming the product obtained.
또한, 유기 구리 (I)화합물 전구체는 산화 구리나 염화 구리를 루이스 염기의 존재하에 상기의 β-케토에스테르와 반응시켜 합성하고, 재결정 및 승화에 의하여 정제함으로써 제조할 수 있다.In addition, the organic copper (I) compound precursor can be prepared by reacting copper oxide or copper chloride with the above β-ketoester in the presence of a Lewis base, and then refining by recrystallization and sublimation.
본 발명에서의 β-케토에스테르에는 케톤 알킬기의 탄소수가 1 내지 6이고, 에스테르 알킬기의 탄소수가 1 내지 6인 화합물 또는 이들 알킬기가 메톡시나 에톡시로 치환된 화합물이 포함된다.(Beta) -ketoester in this invention contains the compound whose carbon number of a ketone alkyl group is 1-6, and whose carbon number is 1-6 of an ester alkyl group, or the compound in which these alkyl groups were substituted by methoxy or ethoxy.
β-케토에스테르의 구체적인 예로서는 메틸아세토아세테이트(METAC), 에틸아세토아세테이트(ETAC), t-부틸아세토아세테이트(BUTAC), 벤질아세토아세테이트(BENZYAC), 메톡시에틸아세토아세테이트 (METHETAC), 에틸벤조일아세테이트(ETBENZOAC)등을 들 수 있다.Specific examples of β-ketoesters include methyl acetoacetate (METAC), ethyl acetoacetate (ETAC), t-butyl acetoacetate (BUTAC), benzyl acetoacetate (BENZYAC), methoxyethyl acetoacetate (METHETAC), and ethylbenzoyl acetate ( ETBENZOAC) etc. can be mentioned.
본 발명의 루이스 염기에는 시클로옥타디엔, 2-부틴, 트리메틸비닐실란, 트리메틸포스핀 등이 포함된다.Lewis bases of the invention include cyclooctadiene, 2-butyne, trimethylvinylsilane, trimethylphosphine and the like.
상기와 같이 제조된 유기 구리 화합물 전구체는 가스 주입기, 반응기, 배출기로 구성된 화학 증착 반응기에서 분해되어 기판 위에 무리 박막을 형성하게 된다.The organic copper compound precursor prepared as described above is decomposed in a chemical vapor deposition reactor including a gas injector, a reactor, and an ejector to form a group thin film on a substrate.
가스 주입기에서 가열되어 기화된 전구체는 예열된 수소 또는 운반 가스인 질소나 아르곤과 함께 반응기에 주입된다. 이때, 전구체의 주입량을 전구체의 가열 온도, 운반 가스의 양 등에 의해 조절된다. 반응기내의 가열된 기판에 도달한 전구체는 열분해되고, 그 결과 기판 위에는 순수한 구리 박막이 생성된다. 또한, 미반응의 전구체와 구리를 제외한 분해 생성물은 배출기를 통하여 액체 질소 트랩에 포집된다.The heated and vaporized precursor in the gas injector is injected into the reactor with nitrogen or argon, which is preheated hydrogen or carrier gas. At this time, the injection amount of the precursor is adjusted by the heating temperature of the precursor, the amount of the carrier gas, and the like. The precursor reaching the heated substrate in the reactor is pyrolyzed, resulting in a thin film of pure copper on the substrate. In addition, decomposition products other than unreacted precursors and copper are trapped in the liquid nitrogen trap through the exhaust.
기판으로서는 예컨대, 실리콘 웨이퍼 또는 실리카로 코팅된 실리콘 웨이퍼를 사용한다. 기판의 온도는 100∼350℃, 반응기의 압력은 0.01-10mmHg(1.33∼1333N/㎡)로 유지한다. 진공 펌프로서 발저스의 로터리 펌프와 터보 펌프를 사용하면 기저 압력을 10-7mmHg(133.3×10-7N/㎡)까지 조정 가능하다.As the substrate, for example, a silicon wafer or a silicon wafer coated with silica is used. The temperature of the board | substrate is 100-350 degreeC, and the reactor pressure is maintained at 0.01-10 mmHg (1.33-1333 N / m <2>). By using Balzers rotary pumps and turbopumps as a vacuum pump, the base pressure can be adjusted to 10 -7 mmHg (133.3 x 10 -7 N / m2).
본 발명에 따르면, 구리 박막을 제조하기 위한 화학 증착 공정은 수소를 사용하는 방법과 수소를 사용하지 않는 방법으로 수행할 수 있다.According to the present invention, the chemical vapor deposition process for producing a copper thin film may be performed by a method using hydrogen and a method not using hydrogen.
증착 공정에서 수소를 사용하는 경우에는, 전구체로서 상기의 구리(I)화합물과 구리(Ⅱ)화합물을 모두 사용할 수 있다. 그 반응 공정은 다음과 같다. 구리 전구체는 20∼150℃로 가열되어 운반 가스인 질소와 함께 또는 운반 가스 없이 반응기에 주입되어 동일한 온도로 예열된 수소와 섞이게 된다. 이때 반응기의 압력은 0.01∼10mmHg(1.33∼1333N/㎡)이며, 주입된 반응 기체는 100∼350℃로 가열된 기판 위에서 구리와 유기 리간드로 분해되어 구리는 기판에 입혀지고 유기 리간드는 반응기를 빠져나와 액체 질소 트랩에 포집 된다. 액체 질소 트랩에 포집된 물질을 가스 크로마토그래피/질량 분석기에 의하여 분석한 결과, 전구체에서 떨어져 나온 순수한 유기 리간드 또는 순수한 유기 리간드와 루이스 염기임이 확인되었으며, 그 밖에 다른 물질은 관찰되지 않았다. 이러한 결과는 본 발명에 사용된 구리 전구체가 수소에 의하여 구리와 유기 리간드로 분해된 후 더이상 분해됨이 없이 안정하기 때문에 탄소와 같은 불순물의 오염이 없는 순수한 구리 박막을 제조할 수 있음을 보여 주는 것이다.When hydrogen is used in the vapor deposition step, both the above copper (I) compounds and copper (II) compounds can be used as precursors. The reaction process is as follows. The copper precursor is heated to 20-150 ° C. and injected into the reactor with or without carrier gas nitrogen and mixed with hydrogen preheated to the same temperature. In this case, the pressure of the reactor is 0.01-10 mmHg (1.33-1333 N / m 2), and the injected reaction gas is decomposed into copper and organic ligand on the substrate heated to 100-350 ° C., copper is coated on the substrate, and the organic ligand exits the reactor. Me and the liquid are trapped in a nitrogen trap. Analysis of the material trapped in the liquid nitrogen trap by gas chromatography / mass spectrometry confirmed that it was a pure organic ligand or pure organic ligand and Lewis base released from the precursor, and no other material was observed. These results show that since the copper precursor used in the present invention is decomposed into copper and organic ligands by hydrogen and then stable without any further decomposition, a pure copper thin film free of contamination of impurities such as carbon can be produced.
증착 공정에서 수소를 사용하지 않는 경우에는 전구체로서 구리(I) 화합물만이 사용가능하다. 그 반응 공정은 다음과 같다. 구리 전구체는 20∼150℃로 가열되어 운반 가스인 질소와 함께 또는 운반 가스 없이 반응기에 주입된다. 이때 반응기의 압력은 0.01∼10mmHg(1.33-1333N/㎡)이며, 주입된 반응 기체는 100∼350℃로 가열된 기판 위에서 구리와, 구리(I)화합물의 재분배 반응으로 생성된 구리(Ⅱ)화합물 및 루이스 염기로 분해된다. 이때 구리는 기판에 입혀지고, 구리(Ⅱ)화합물과 루이스 염기는 반응기를 빠져나와 액체 질소 트랩에 포집된다.When hydrogen is not used in the deposition process, only copper (I) compounds can be used as precursors. The reaction process is as follows. The copper precursor is heated to 20-150 ° C. and injected into the reactor with or without carrier gas nitrogen. In this case, the pressure of the reactor is 0.01-10 mmHg (1.33-1333 N / m 2), and the injected reaction gas is a copper (II) compound produced by redistribution of copper and copper (I) on a substrate heated to 100 to 350 ° C. And a Lewis base. Copper is then coated on the substrate, and the copper (II) compound and the Lewis base exit the reactor and are trapped in a liquid nitrogen trap.
증착된 구리 박막은 오오거 전자 분광기 (AES)나 X선 회절 분석에 의해 탄소 또는 산소 등의 불순물을 포함하지 않는 순수한 것으로 분석되었고, 전자 현미경(SEM)과 두께 측정이(Tencor의 stylus profilometry)에 의해 입자 크기와 두께가 균일하게 증착되었음을 즉인하였다. 또한 열처리 과정을 거치지 않은 시편의 저항값은 1.7∼3.9μΩ㎝로 측정되었다.The deposited copper thin films were analyzed to be pure and free of impurities such as carbon or oxygen by Auger Electron Spectroscopy (AES) or X-ray diffraction analysis, and were subjected to electron microscopy (SEM) and thickness measurements (Tencor's stylus profilometry). This resulted in uniform particle size and thickness deposition. In addition, the resistance value of the specimen not subjected to the heat treatment was measured to be 1.7 ~ 3.9μΩ㎝.
유기 리간드가 더이상 분해되지 않고 반응기로부터 제거될 수 있는 본 발명에 따른 유기 구리 화합물 전구체의 열분해 패턴은 화학 증착 공정 중에 구리박막이 탄소 등에 의해 오염되는 단점을 최소화할 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 구리 증착법은 순수한 구리 박막을 얻는 것을 목적으로 하는 화학 증착법에 있어서 매우 유리한 것이다. 특히, 본 발명에서 사용된 전구체는 256℃ 이하의 낮은 온도에서도 구리 박막을 증착 시킬 수 있다는 장점을 갖는다.The pyrolysis pattern of the organic copper compound precursor according to the present invention, in which the organic ligand is no longer decomposed and can be removed from the reactor, can minimize the disadvantage that the copper thin film is contaminated by carbon or the like during the chemical vapor deposition process. Therefore, the copper vapor deposition method according to the present invention is very advantageous for the chemical vapor deposition method aimed at obtaining a pure copper thin film. In particular, the precursor used in the present invention has the advantage that the copper thin film can be deposited even at a low temperature of less than 256 ℃.
본 발명에 따라 제조된 구리 박막은 전자 현미경(SEM), 오오거 전자 분광기(AES) 등으로 분석하였으나, 저항 측정기(Alessi의 4-point probe)로 측정한 결과, 순수한 덩어리 구리의 저항값을 갖는 것이 화인 되었다.The copper thin film prepared according to the present invention was analyzed by electron microscopy (SEM), auger electron spectroscopy (AES), etc., but as a result of measurement by a resistance measuring instrument (Alessi 4-point probe), it has a resistance value of pure lumped copper It became fine.
본 발명을 하기 실시예를 들어 더욱 구체적으로 설명한다. 그러나, 이들 실시예는 단지 본 발명의 범위중 일부를 보여주는 것으로서 본 실시예에 의해 본 발명의 범위가 제한되는 것은 아니다.The present invention is described in more detail with reference to the following examples. However, these examples merely show some of the scope of the present invention, and the scope of the present invention is not limited by the present examples.
[실시예 1]Example 1
[수소 환원 반응][Hydrogen reduction reaction]
구리 박막을 증착시킬 기판을 찬벽 반응기 (cold-wall reactor)에 넣고 질소를 흘려 준다. 기판으로서는 실리콘 웨이퍼 및 실이카로 코팅된 실리콘 웨이퍼를 사용하였다. 기판을 100∼350℃의 온도로 조절하고, 10-7mmHg(133.3×10-7N/㎡)의 압력으로 30분 동안 펌핑한 후, 하기 표1에 기재된 바와같은 유기 구리 (I) 화합물 또는 구리 (Ⅱ)화합물을 40∼70℃로 가열하여 발생시킨 전구체 증기와 수소를 각각 반응기로 주 입시켰다. 기체 수송관 및 반응기 벽의 온도는 60∼90℃, 기판의 온도는 100∼350℃, 반응기의 압력은 0.1mmHg(13.3N/㎡)로 유지하였다. 별법으로, 아르곤 운반 가스를 사용하여 전구체 증기를 반응기에 주입할 수 있으며, 이때 반응기의 압력은 10mmHg(133N/㎡)로 유지하였다. 반응 부산물은 반응기를 빠져나와 액체 질소 트랩에 포집되었다. 이 물질들은 가스 크로마토그래피/질량분석기에 의하여 분석한 결과, 전구체로부터 유리된 유기 리간드 및 루이스 염기임이 확인되었으며, 그 밖에 다른 물질은 관찰되지 않았다. 각종 전구체를 사용하여 2시간 동안 반응시킨 후에 얻어진 구리 박막의 특성을 다음 표 1에 나타내었다.The substrate on which the copper thin film is to be deposited is placed in a cold-wall reactor and nitrogen is flowed. As the substrate, a silicon wafer and a silicon wafer coated with silica were used. The substrate was adjusted to a temperature of 100-350 ° C. and pumped for 30 minutes at a pressure of 10 −7 mmHg (133.3 × 10 −7 N / m 2), followed by an organic copper (I) compound as shown in Table 1 or The precursor vapor and hydrogen generated by heating the copper (II) compound to 40 to 70 ° C. were injected into the reactor, respectively. The temperature of the gas transport tube and the reactor wall was maintained at 60 to 90 ° C., the substrate temperature was 100 to 350 ° C., and the reactor pressure was 0.1 mm Hg (13.3 N / m 2). Alternatively, argon carrier gas may be used to inject the precursor vapor into the reactor, where the pressure of the reactor was maintained at 10 mm Hg (133 N / m 2). The reaction by-product exited the reactor and was collected in a liquid nitrogen trap. Analysis of these materials by gas chromatography / mass spectrometry confirmed that they were organic ligands and Lewis bases liberated from the precursors, and no other materials were observed. The characteristics of the copper thin film obtained after the reaction for 2 hours using various precursors are shown in Table 1 below.
[표 1]TABLE 1
주 : METAC=메틸아세테이트, ETAC=에틸아세토아세테이트, BUTAC=t-부틸아세토아세테이트, BENZYAC=벤질아세토아세테이트, METHETAC=메톡시에틸아세토아세테이트, ETBENZOAC=에틸벤조일아세테이트, 루이스염기 : TMVS=트리메틸비닐실란, PMe3=트리메틸포스핀Note: METAC = methylacetate, ETAC = ethylacetoacetate, BUTAC = t-butylacetoacetate, BENZYAC = benzylacetoacetate, METHETAC = methoxyethylacetoacetate, ETBENZOAC = ethylbenzoylacetate, Lewisbase: TMVS = trimethylvinylsilane PMe 3 = trimethylphosphine
[실시예 2]Example 2
[재분배 반응]Redistribution Reaction
실시예 1에서와 같은 방법으로 실리콘 웨이퍼를 찬벽 반응기에 넣고 10-7mmHg(133.3×10-7N/㎡)의 압력으로 30분 동안 펌핑한 후, 하기 표2에 기재된 것과 같은 유기 구리(I)화합물 1g을 30∼50℃로 가열하여 기체 상태로 반응기에 주입하였다. 기체 수송관 및 반응기 벽의 온도는 50∼70℃, 기판의 온도는 100∼300℃, 반응기의 압력은 0.1mmHg(13.3N/㎡)로 유지하였다. 별법으로, 아르곤 운반 가스를 사용하여 전구체 증기를 반응기에 주입할 수 있으며, 이때 반응기의 압력은 10mmHg(1333N/㎡)로 유지하였다. 반응 부산물은 반응기를 빠져나와 액체 질소 트랩에 포집되었다. 이 물질들은 가스 크로마토그래피/질량 분석기에 의하여 분석한 결과, 구리 (I)화합물의 재분재 반응으로 생성된 구리 (Ⅱ)화합물과 루이스 염기인 것으로 확인되었다. 각종 전구체를 사용하여 2시간 동안 반응시킨 후에 얻어진 구리 박막의 특성을 다음 표 2에 나타내었다.The silicon wafer was placed in a cold-wall reactor in the same manner as in Example 1 and pumped at a pressure of 10 −7 mmHg (133.3 × 10 −7 N / m 2) for 30 minutes, followed by organic copper (I) as described in Table 2 below. 1 g of the compound was heated to 30 to 50 ° C. and injected into the reactor in a gaseous state. The temperature of the gas transport pipe and the reactor wall was maintained at 50-70 ° C., the substrate temperature was 100-300 ° C., and the reactor pressure was 0.1 mm Hg (13.3 N / m 2). Alternatively, argon carrier gas may be used to inject the precursor vapor into the reactor, where the pressure of the reactor was maintained at 10 mm Hg (1333 N / m 2). The reaction by-product exited the reactor and was collected in a liquid nitrogen trap. These materials were analyzed by gas chromatography / mass spectrometry to identify copper (II) compounds and Lewis bases produced by the re-bonsai reaction of copper (I) compounds. The characteristics of the copper thin film obtained after the reaction for 2 hours using various precursors are shown in Table 2 below.
[표 2]TABLE 2
주 : ETAC=에틸아세토아세테이트, METHETAC=메톡시에틸아세토아세테이트, 루이스 염기 : TMVS=트리메틸비닐실란, PMe3=트리메틸포스핀, 1,5-COD=1,5-시클로옥타디엔.Note: ETAC = ethylacetoacetate, METHETAC = methoxyethylacetoacetate, Lewis base: TMVS = trimethylvinylsilane, PMe 3 = trimethylphosphine, 1,5-COD = 1,5-cyclooctadiene.
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1993
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1994
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| JP2588365B2 (en) | 1997-03-05 |
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