KR950006428A - 패턴 결함 검사 방법 및 그 장치 - Google Patents

패턴 결함 검사 방법 및 그 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR950006428A
KR950006428A KR1019940020758A KR19940020758A KR950006428A KR 950006428 A KR950006428 A KR 950006428A KR 1019940020758 A KR1019940020758 A KR 1019940020758A KR 19940020758 A KR19940020758 A KR 19940020758A KR 950006428 A KR950006428 A KR 950006428A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
differential
pattern
image data
edge direction
circuit
Prior art date
Application number
KR1019940020758A
Other languages
English (en)
Other versions
KR0143948B1 (ko
Inventor
히로무 이노우에
겐따로 오꾸다
Original Assignee
사또 후미오
가부시끼가이샤 도시바
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 사또 후미오, 가부시끼가이샤 도시바 filed Critical 사또 후미오
Publication of KR950006428A publication Critical patent/KR950006428A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR0143948B1 publication Critical patent/KR0143948B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/30—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring roughness or irregularity of surfaces
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
    • G01N21/95607—Inspecting patterns on the surface of objects using a comparative method

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Image Analysis (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Image Processing (AREA)

Abstract

피검사체의 참조 화상데이타에서 패턴 에지 방향을 검출하고, 이 패턴 에지 방향을 따르는 방향의 미분 파라메터로 참조 화상 데이터를 미분 처리하고, 또한 피검사체를 촬상하여 얻어지는 검사화상 데이터를 패턴 에지 방향을 따르는 방향의 미분 파라메터로 미분 처리한다. 이 미분 처리에 따라 얻어지는 각 미분 데이터와 검사 화상 데이터를 비교하여 이들 데이터 간의 차이로부터 피검사체 상의 패턴 결함을 검출한다.

Description

패턴 결함 검사 방법 및 그 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래의 패턴 결함 검사 장치의 구성도.
제2A도는 x방향의 미분 파라메터를 도시한 도면.
제2B도는 y방향의 미분 파라메터를 도시한 도면.
제2C도는 +45°방향의 미분 파라메터를 도시한 도면.
제2D도는 -45°방향의 미분 파라메터를 도시한 도면.
제3도는 에지부, 코너부, 균일부를 나타내는 검사 화상 데이터를 도시한 도면.
제4도는 에지부의 검사 화상 데이터를 도시한도면.
제5도는 결함없는 원화(原畵)를 도시한 도면.
제6도는 원화의 각 미분값을 도시한 도면.
제7도는 결함있는 원화를 도시한 도면.
제8도는 원화의 각 미분값을 도시한 도면.
제9A도는 좌표가 어긋난 경우의 균일부의 결합 검출 결과를 도시한 도면.
제9B도는 좌표가 어긋난 경우의 에지부의 결합 검출 결과를 도시한 도면.
제10A도는 좌표가 어긋난 경우의 코너부의 결합 검출 결과를 도시한 도면.
제10B도는 좌표 어긋남으로 결함의 있는 경우의 코너부의 결합 검출 결과를 도시한 도면.
제11도는 본 발명의 전제가 되는 패턴 결함 검사 장치의 구성도.
제12도는 각 미분 방향의 미분 결과를 도시한 도면.
제13A도는 에지부의 미분 방향 및 미분값을 도시한 도면.
제13B도는 코너부의 미분 방향 및 미분값을 도시한 도면.
제13C도는 균일부의 미분 방향 및 미분값을 도시한 도면.
제14A도는 정상 코너부의 비교 결과를 도시한 도면.
제14B도는 결함있는 코너부의 비교 결과를 도시한 도면.
제15도는 본 발명의 한 실시예에 따른 패턴 결함 검사 장치의 구성도.
제16A도는 +22.5°방향의 미분 파라메터를 도시한 도면.
제16B도는 +67.5°방향의 미분 파라메터를 도시한 도면.
제16C도는 -22.5°방향의 미분 파라메터를 도시한 도면.
제16D도는 -67.5°방향의 미분 파라메터를 도시한 도면.
제17도는 에지부, 코너부, 균일부를 도시한 참조 화상 데이터를 도시하는 도면.
제18도는 참조 화상데이타에서의 에지부, 코너부, 균일부의 농담(濃淡)치를 도시한 도면.
제21도는 결함있는 검사 화상 데이터를 도시한 도면.
제22도는 결함있는 검사 화상 데이터에서의 에지부, 코너부, 균일부의 농담치를 도시한 도면.
제23도는 참조 화상 데이타의 에지 방향을 도시한 도면.
제24A도는 무결함인 검사 화상 데이터의 미분값을 도시한 도면.
제24B도는 결함있는 검사 화상 데이터의 미분값을 도시한 도면.
제25A도는 참조 화상 데이터의 에지 방향의 미분값을 도시한 도면.
제25B도는 참조 화상 데이터의 주변 화소의 미분값을 도시한 도면.
제25C도는 참조 화상 데이터의 인접 화소의 미분값을 도시한 도면.
제26A도는 무결함인 에지 방향의 감산 결과를 도시한 도면.
제26B도는 무결함인 주변 화소의 감산 결과를 도시한 도면.
제26C도는 무결함인 인접방향의 감산 결과를 도시한 도면.
제27A도는 결함있는 에지 방향의 감산 결과를 도시한 도면.
제27B도는 결함있는 주변 화소의 감산 결과를 도시한 도면.
제27C도는 결함있는 인접 방향의 감산 결과를 도시한 도면.
제28도는 참조 화상 데이타의 에지 방향을 도시한 도면.
제29A도는 무결함인 검사 화상 데이터의 미분값을 도시한 도면.
제29B도는 결함있는 검사 화상 데이터의 미분값을 도시한 도면.
제30A도는 참조 화상 데이타의 미분값을 도시한 도면.
제30B도는 참조 화상 데이타의 주변 화소의 미분값을 도시한 도면.
제30C도는 참조 화상 데이타의 인접 방향의 미분값을 도시한 도면.
제31A도는 무결함인 에지 방향의 감산 결과를 도시한 도면.
제31B도는 무결함인 주변 화소의 감산 결과를 도시한 도면.
제31C도는 무결함인 인접 방향의 감산 결과를 도시한 도면.
제32A도는 결함있는 에지 방향의 감산 결과를 도시한 도면.
제32B도는 결함있는 주변 화소의 감산 결과를 도시한 도면.
제32C도는 결함있는 인접 방향의 감산 결과를 도시한 도면.
제33A도는 무결함인 검사 화상 데이타의 에지방향을 도시한 도면.
제33B도는 무결함인 결함있는 검사 화상 데이타의 에지 방향을 도시한 도면.
제34A도는 무결함인 검사 화상 데이타의 미분값을 도시한 도면.
제34B도는 결함이 있는 검사 화상 데이타의 미분값을 도시한 도면.
제35A도는 참조 화상 데이타의 에지 방향의 미분값을 도시한 도면.
제35B도는 참조 화상 데이타의 주변 화소의 미분값을 도시한 도면.
제35C도는 참조 화상 데이타의 인접 화소의 미분값을 도시한 도면.
제36도는 무결함인 감산 결과를 도시한 도면.
제37도는 무결함인 감산 결과를 도시한 도면.
제38A도는 x방향의 다른 비문 오퍼레이터를 도시한 도면.
제38B도는 y방향의 다른 비문 오퍼레이터를 도시한 도면.
제38C는 +45°방향의 다른 미분 오퍼레이터를 도시한 도면.
제38D는 -45°방향의 다른 미분 오퍼레이터를 도시한 도면.

Claims (12)

  1. 패턴 결함 검사 방법에 있어서, 피검사체의 패턴 결함 검출용의 참조 화상 데이타에 있어서의 패턴 에지방향을 검출하는 제1스텝과, 이 패턴 에지 방향을 따르는 방향의 미분 파라메터에 의해 상기 참조 화상 데이타를 미분 처리하고, 또한 상기 피검사체를 촬상하여 얻어지는 검사 화상 데이타를 상기 패턴 에지 방향을 따르는 방향의 미분 파라메터에 의해 미분 처리하는 제2스텝과, 이 제2스텝의 미분 처리에 의해 얻어지는 각 미분 데이타를 비교하여, 이들 데이터간의 차이로부터 상기 피검사체 상의 패턴 결함을 검출하는 제3스텝으로 구성되는 것을 특징으로 하는 패턴 결함 검사 방법.
  2. 패턴 결함 검사 장치에 있어서, 피검사체를 촬상하여 검사 화상 데이타를 작성하는 촬상 수단과, 상기 피검사체에 대한 패턴 결함 검사용의 참조 화상 데이타를 작성하는 참조 화상 작성 수단과, 상기 참조 화상 데이타에 있어서의 패턴 에지 방향을 검출하는 에지 방향 검출수단과, 이 패턴 에지 방향을 따른 방향의 미분 파라메터에 의해 상기 검사 화상 데이타를 미분 처리하는 제1에지 방향 미분 수단과, 상기 패턴 에지 방향을 따르는 방향의 미분 파라메터에 의해 상기 참조 화상 데이타를 미분 처리하는 제2에지 방향 미분 수단과, 상기 참조 화상 데이터에 대한 상기 패턴 에지 방향을 따르는 방향의 미분 파라메터에 의한 주변 화소의 미분 처리, 또한 상기 참조 화상 데이타에 대한 상기 패턴 에지 방향에 인접한 방향의 미분 파라메터에 의한 미분 처리를 행하는 미분 처리수단과, 상기 제1에지 방향 미분 수단에 의해 얻어지는 미분 데이터와, 상기 제2에지 방향 미분 수단에 의해 얻어지는 미분 데이터, 또는 상기 미분 처리 수단에 의해 얻어지는 미분 데이터 중 적어도 어느쪽인가 한쪽의 미분 데이터와의 차이에 기초하여 상기 피검사체의 패턴 결함을 검출하는 판정수단으로 구성되는 것을 특징으로 하는 패턴 결함 검사 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 에지 방향 검출 수단은 서로 직교하는 x방향 및 y방향, 이 x방향에 대하여 ±45°방향의 각 미분 파라메터에 의해 상기 참조 화상 데이터를 미분 처리하고, 이 미분 처리에 따라 얻어지는 각 미분값중 최소치가 되는 미분 방향을 패턴 에지 방향으로 구하는 기능으로 구성되는 것을 특징으로 하는 패턴 결함 검사 장치.
  4. 제2항에 있어서, 상기 미분 처리 수단은 미분값을 구하는 화소 주변의 각 화소에 대하여 상기 에지 방향 검출 수단에 의해 검출된 상기 패턴 에지 방향을 따르는 방향의 미분 파라메터에 의해 상기 참조 화상 데아타를 각 미분 처리하는 주변 화소 에지 방향 미분 회로와, 이 주변 화소 에지 방향 미분 회로에 의해 구해진 상기 주변화소의 각 미분값중 절대값의 최대치를 검출하는 제1최대치 검출 회로로 구성되는 것을 특징으로 하는 패턴 결함 검사장치.
  5. 제2항에 있어서, 상기 미분 처리 수단은 상기 에지 방향 검출 수단에 의해 검출된 상기 패턴 에지 방향에 인접하는 방향의 각 미분 파라메터에 의해 상기 참조 화상 데이터를 각 미분 처리하는 인접 방향 미분 회로와, 이 인접 방향 미분 회로에 의해 구해진 각 미분값 중 절대값의 최대치를 검출하는 제2 최대치 검출 회로로 구성되는 것을 특징으로 하는 패턴 결함 검사장치.
  6. 제2항에 있어서, 상기 미분 처리 수단은 미분값을 구하는 화소 주변의 각 화소에 대하여 각 에지 방향 검출수단에 의해 검출된 상기 패턴 에지 방향을 따르는 방향의 미분 파라메터에 의해 상기 참조 화상 데이타를 각 미분 처리하는 주변 화소 에지방향 미분 회로와, 이 주변 화소 에지 방향 미분 회로에 의해 구해진 상기 주변 화소의 각 미분값 중 절대값의 최대치를 검출하는 제1최대치 검출회로와, 상기 에지 방향 검출 수단에 의해 검출된 상기 패턴 에지 방향에 인접하는 방향의 각 미분 파라메터에 의해 상기 참조 화상 데이타를 각 미분 처리하는 인접 방향 미분 회로와, 이 인접 방향 미분 회로에 의해 구해진 각 미분값 중 절대값의 최대치를 검출하는 제2최대치 검출 회로로 구성되는 것을 특징으로 하는 패턴 결함 검사 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 인접 방향 미분 회로는 서로 직교하는 x방향 및 y방향, 이 x방향에 대하여 ±45°방향, ±22.5°방향 및 ±67.5°방향의 각 미분 파라메터로 상기 참조 화상 데이타를 미분 처리하는 것을 특징으로 하는 패턴 결함 검사 장치.
  8. 제2항에 있어서, 상기 판정 수단은 상기 제1에지 방향 미분 수단에 의해 구해진 미분 데이타와, 상기 제2에지 방향 미분 수단에 의해 얻어지는 미분 데이타 또는 상기 미분 처리 수단에 의해 얻어지는 각 미분 데이타 중 적어도 어느쪽인가 한쪽의 미분 데이타와의 화소마다의 차이를 구하는 감산 회로와, 이 감산 회로에 의해 구해진 상기 화소마다의 차이의 값과 소정의 임계값을 비교하고, 상기 화소마다의 차이의 값이 상기 임계값을 초과한 상기 화소를 결함으로서 판정하는 판정 회로로 구성되는 것을 특징으로 하는 패턴 결함 검사 장치.
  9. 제2항에 있어서, 상기 촬상 수단에 의해 얻어진 상기 검사 화상 데이타를 복수 방향의 각 미분 파라메터에 의해 미분 처리하는 복수 방향 미분 회로와, 이 복수 방향 미분 회로에 의해 각 미분값중 최대치가 되는 미분 방향을 검출하는 최대치 방향 검출 회로와, 통상의 경우, 상기 에지 방향 검출 수단에 의해 검출된 미분 방향을 에지 패턴 방향으로서 선택하여 상기 제1에지 방향 미분 회로로 보내고, 또한 상기 에지 방향 검출 수단으로부터 에지 패턴 부정의 요지를 수신한 경우, 상기 최대치 방향 검출 회로에 의해 검출된 미분 방향을 에지 패턴 방향으로서 상기 제1에지 방향 미분 회로로 보내는 셀렉터를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 패턴 결함 검사 장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 복수 방향 미분 회로는 서로 직교하는 x방향 및 y방향, 이 x방향에 대하여 ±45°방향의 각 미분 파라메터에 의해 상기 참조 화상 데이타를 미분 처리하는 것을 특징으로 하는 패턴 결함 검사 장치.
  11. 제2항에 있어서, 상기 촬상 수단은 피검사체를 촬상하여 농담, 레벨의 화상 신호를 출력하는 촬상 센서와, 이 촬상 센서에서 출력된 화상 신호를 농담에 대응하는 디지털의 다진화(多化)된 검사 화상 데이타로 변환되는 A/D변환기로 구성되는 것을 특징으로 하는 패턴 결함 검사 장치.
  12. 제2항에 있어서, 상기 참조 화상 작성 수단은 피검사체에 형성된 패턴의 설계 데이타에 기초하여, 상기 촬상 수단에서 촬상하는 상기 피검사체의 위치 데이타에 동기하여 참조 화상 데이타를 발생하는 것을 특징으로 하는 패턴 결함 검사 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940020758A 1993-08-24 1994-08-23 패턴 결함 검사 방법 및 그 장치 KR0143948B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5209453A JPH0763691A (ja) 1993-08-24 1993-08-24 パターン欠陥検査方法及びその装置
JP93-209453 1993-08-24

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR950006428A true KR950006428A (ko) 1995-03-21
KR0143948B1 KR0143948B1 (ko) 1998-07-15

Family

ID=16573129

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019940020758A KR0143948B1 (ko) 1993-08-24 1994-08-23 패턴 결함 검사 방법 및 그 장치

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5574800A (ko)
EP (1) EP0643293A1 (ko)
JP (1) JPH0763691A (ko)
KR (1) KR0143948B1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100367058B1 (ko) * 1998-11-30 2003-01-09 올림파스 고가꾸 고교 가부시키가이샤 결함검출장치
KR100684102B1 (ko) * 2005-06-30 2007-02-16 삼성전자주식회사 결함 검사 방법 및 이를 이용한 결함 검사 장치

Families Citing this family (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0821804A (ja) * 1994-07-08 1996-01-23 Rohm Co Ltd ワイヤ切れ検出方法
JP3659426B2 (ja) 1994-09-02 2005-06-15 ソニー株式会社 エツジ検出方法及びエツジ検出装置
JP3794502B2 (ja) 1994-11-29 2006-07-05 ソニー株式会社 画像領域抽出方法及び画像領域抽出装置
JP2999679B2 (ja) * 1994-11-30 2000-01-17 大日本スクリーン製造株式会社 パターン欠陥検査装置
JPH09128529A (ja) * 1995-10-30 1997-05-16 Sony Corp ディジタル画像の雑音の投影に基づく除去方法
JP3994445B2 (ja) * 1995-12-05 2007-10-17 ソニー株式会社 動きベクトル検出装置及び動きベクトル検出方法
JP3418497B2 (ja) * 1996-04-16 2003-06-23 松下電器産業株式会社 部品認識方法
TW357327B (en) * 1996-08-02 1999-05-01 Sony Corp Methods, apparatus and program storage device for removing scratch or wire noise, and recording media therefor
US5912988A (en) * 1996-12-27 1999-06-15 Xytec Corporation Image processing method and apparatus for distortion compensation
US6078616A (en) 1997-03-13 2000-06-20 Sony Corporation Methods and apparatus for error concealment utilizing temporal domain motion vector estimation
US6400838B2 (en) * 1997-07-29 2002-06-04 Kabushiki Kaisha Toshiba Pattern inspection equipment, pattern inspection method, and storage medium storing pattern inspection program
WO1999017102A1 (en) * 1997-09-30 1999-04-08 Siemens Aktiengesellschaft A method of and apparatus for inspecting printed information
US5999636A (en) * 1997-10-10 1999-12-07 Printprobe Technology, Llc Apparatus and process for inspecting print material
US6229578B1 (en) * 1997-12-08 2001-05-08 Intel Corporation Edge-detection based noise removal algorithm
JP3120767B2 (ja) 1998-01-16 2000-12-25 日本電気株式会社 外観検査装置、外観検査方法及び外観検査プログラムを記録した記録媒体
JP2000241117A (ja) * 1999-02-22 2000-09-08 Keyence Corp 画像のエッジ検出方法、検査装置及び記録媒体
JP4017285B2 (ja) * 1999-06-02 2007-12-05 松下電器産業株式会社 パターン欠陥検出方法
US7796801B2 (en) * 1999-08-26 2010-09-14 Nanogeometry Research Inc. Pattern inspection apparatus and method
US7817844B2 (en) * 1999-08-26 2010-10-19 Nanogeometry Research Inc. Pattern inspection apparatus and method
JP2002162729A (ja) 2000-11-24 2002-06-07 Toshiba Corp パターン検査方法、パターン検査装置およびマスクの製造方法
JP2002310929A (ja) * 2001-04-13 2002-10-23 Mitsubishi Electric Corp 欠陥検査装置
US20030131350A1 (en) * 2002-01-08 2003-07-10 Peiffer John C. Method and apparatus for identifying a digital audio signal
DE10212133A1 (de) * 2002-03-19 2003-10-09 Siemens Ag Verfahren und Vorrichtung zur Kontrolle von Objekten
US7155052B2 (en) * 2002-06-10 2006-12-26 Tokyo Seimitsu (Israel) Ltd Method for pattern inspection
JP3669698B2 (ja) 2002-09-20 2005-07-13 日東電工株式会社 印刷物の検査方法及び検査装置
US7463765B2 (en) * 2003-02-25 2008-12-09 Lamda-Lite Enterprises Incorporated System and method for detecting and reporting fabrication defects using a multi-variant image analysis
JP4076906B2 (ja) 2003-05-16 2008-04-16 株式会社トプコン 外観検査方法
JP4351522B2 (ja) * 2003-11-28 2009-10-28 株式会社日立ハイテクノロジーズ パターン欠陥検査装置およびパターン欠陥検査方法
JP4018642B2 (ja) * 2004-01-05 2007-12-05 株式会社東芝 参照データ生成方法、パターン欠陥検査装置、パターン欠陥検査方法、及び参照データ生成プログラム
US7620241B2 (en) * 2004-11-30 2009-11-17 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Artifact reduction in a digital video
WO2006075687A1 (ja) * 2005-01-14 2006-07-20 Fujitsu Limited パターン欠陥検査方法及び半導体装置の製造方法
JP4174504B2 (ja) * 2005-08-31 2008-11-05 アドバンスド・マスク・インスペクション・テクノロジー株式会社 試料検査装置、試料検査方法及びプログラム
JP4871144B2 (ja) * 2006-01-13 2012-02-08 株式会社東芝 画像処理装置、方法、プログラム
US7369236B1 (en) * 2006-10-31 2008-05-06 Negevtech, Ltd. Defect detection through image comparison using relative measures
US8150140B2 (en) * 2008-12-22 2012-04-03 Ngr Inc. System and method for a semiconductor lithographic process control using statistical information in defect identification
JP5429869B2 (ja) * 2008-12-22 2014-02-26 株式会社 Ｎｇｒ パターン検査装置および方法
CN104765663B (zh) * 2014-01-03 2018-02-27 神讯电脑(昆山)有限公司 外观检测自动测试方法
JP6546826B2 (ja) * 2015-10-08 2019-07-17 株式会社日立パワーソリューションズ 欠陥検査方法、及びその装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2102122B (en) * 1981-07-22 1985-05-15 Nat Res Dev Detecting defects in a pattern
US4532650A (en) * 1983-05-12 1985-07-30 Kla Instruments Corporation Photomask inspection apparatus and method using corner comparator defect detection algorithm
JP2504951B2 (ja) * 1986-05-15 1996-06-05 東芝機械株式会社 パタ−ン検査方法
US4805123B1 (en) * 1986-07-14 1998-10-13 Kla Instr Corp Automatic photomask and reticle inspection method and apparatus including improved defect detector and alignment sub-systems
JPH01224881A (ja) * 1988-03-04 1989-09-07 Toshiba Mach Co Ltd パターン検査装置
US5157735A (en) * 1988-09-09 1992-10-20 Hitachi, Ltd. Chipping detection system and method
JP3132565B2 (ja) * 1989-08-30 2001-02-05 株式会社日立製作所 欠陥検査方法及びその装置
US5185812A (en) * 1990-02-14 1993-02-09 Kabushiki Kaisha Toshiba Optical pattern inspection system
JPH0722173B2 (ja) * 1990-04-10 1995-03-08 株式会社東芝 パターン欠陥検査装置
JP2533245B2 (ja) * 1991-03-28 1996-09-11 株式会社東芝 パタ―ン欠陥検査装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100367058B1 (ko) * 1998-11-30 2003-01-09 올림파스 고가꾸 고교 가부시키가이샤 결함검출장치
KR100684102B1 (ko) * 2005-06-30 2007-02-16 삼성전자주식회사 결함 검사 방법 및 이를 이용한 결함 검사 장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR0143948B1 (ko) 1998-07-15
EP0643293A1 (en) 1995-03-15
US5574800A (en) 1996-11-12
JPH0763691A (ja) 1995-03-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR950006428A (ko) 패턴 결함 검사 방법 및 그 장치
JPH01224881A (ja) パターン検査装置
JP4230880B2 (ja) 欠陥検査方法
JP3164003B2 (ja) 実装部品検査装置
KR101022187B1 (ko) 기판 검사 장치
JP2009294027A (ja) パターン検査装置及び方法
JP3283356B2 (ja) 表面検査方法
JP2533245B2 (ja) パタ―ン欠陥検査装置
US6240202B1 (en) Appearance inspection method for electronic parts
JP2009145161A (ja) 欠陥検出方法および欠陥検出装置
JP2000036048A (ja) 明暗検査装置および明暗検査方法
JP2001004330A (ja) 画像処理装置及びその画像処理方法
JPH0721372A (ja) 画像検出装置
JPH0760459B2 (ja) コ−ナ検出装置
JPH04282442A (ja) パターン検査装置
JP2000065747A (ja) パターン欠陥検査装置及びパターン欠陥検査方法
JP2765339B2 (ja) スルーホール検査装置
JP3146882B2 (ja) 絵柄検査方法
JPH0722173B2 (ja) パターン欠陥検査装置
JP2812457B2 (ja) 二次元撮像装置の検査装置
KR19990087848A (ko) 검사영역작성방법및외관검사방법
JPH0359362B2 (ko)
JPH10170451A (ja) 欠陥検査装置
JPH05180618A (ja) 対象物の位置認識方法
JPH0382940A (ja) 円筒形ワークの内面欠陥検出方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20060331

Year of fee payment: 9

LAPS Lapse due to unpaid annual fee