KR950004658A - Semiconductor laser diode manufacturing method - Google Patents

Abstract

본 발명은 반도체 레이저 다이오드 제조방법에 관한 것으로, AIGaAs계 물질을 사용하여 DC-PBH(Double Channeled-Planer Burier Heterostructure) 구조의 반도체 레이저 다이오드 제조시 메사형성후 1,2차 LPE공정에서 발생하는 AIGaAs계 물질의 산화특성을 배제시키기 위하여 메사형성을 위한 역메사를 형성시켜 LPZ의 특성인 멜트- 백(Melt-back)특성을 이용하여 역메사를 제거하여 메사를 형성시킴과 동시에 2차 1pe공정으로 p형, n형 반도체층 제 2 캡층을 연속형성함으로서 AIGaAs계 물질을 이용하여 DC-PBH 구조의 반도체 레이저 제조시 문제되는 산화를 방지하여 AIGaAs계 물질로드 CD-PBH 반도체 레이저 다이오드 제조가 가능하도록 하였다.The present invention relates to a method for fabricating a semiconductor laser diode, wherein an AIGaAs system generated in the first and second LPE processes after mesa formation in the manufacture of a double-channeled-planar burier heterostructure (DC-PBH) semiconductor laser diode using an AIGaAs-based material In order to exclude the oxidizing properties of the material, inverse mesas are formed to form mesas, and the mesas are formed by removing the mesas by using the melt-back characteristic of LPZ. By continuously forming the second cap layer of the n-type and n-type semiconductor layers, oxidation of the DC-PBH structure using the AIGaAs-based material is prevented, thereby making it possible to manufacture the AIGaAs-based material loaded CD-PBH semiconductor laser diode.

Description

반도체 레이저 다이오드 제조방법Semiconductor laser diode manufacturing method

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음Since this is an open matter, no full text was included.

제 2 도는 (A)-(F)는 본 발명의 DC-PBH 구조의 반도체 레이저 다이오드 제조공정 단면도.2 is a cross-sectional view of a manufacturing process of a semiconductor laser diode having a DC-PBH structure according to the present invention.

Claims (4)

반도체 기판(1)상에 질화막(2)을 형성한후, 7㎛의 폭을 갖고 2㎛의 폭으로 격리된 두개의 질화막 패턴(2a)을 형성하는 공정, 상기 질화막 패턴(2a)로 마스킹되지 않은 반도체 기판(1)을 에칭하여 두개의 역메사부(3)를 형성하는 공정, 상기 공정후 노출된 전표면에 제 1 클래드층(5), 활성층(6), 제 2 클래드층(7), 제 1 캡층(8)을 차례로 형성하는 공정, 상기 잔존하는 질화막 패턴(2a)을 제거한후, LPE(액상피턱시)로 역메사부(3)를 멜트-백(Melt-back)하고, p형 반도체층(11), n형 반도체층(12), 제 2 캡층(13)을 차례로 형성하는 공정, 상기 공정후, 기판의 상하부에 상하부전극(15,16)을 형성함을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 제조방법.After the nitride film 2 is formed on the semiconductor substrate 1, a process of forming two nitride film patterns 2a having a width of 7 μm and isolated with a width of 2 μm is not masked with the nitride film pattern 2a. Etching the semiconductor substrate 1 to form two reverse mesa portions 3, wherein the first cladding layer 5, the active layer 6, the second cladding layer 7, After forming the first cap layer 8 in sequence, removing the remaining nitride film pattern 2a, the reverse mesa portion 3 is melted back with LPE (liquid pitch), and the p-type semiconductor is formed. Forming a layer 11, an n-type semiconductor layer 12, and a second cap layer 13 in sequence; and after the process, upper and lower electrodes 15 and 16 are formed above and below the substrate. Manufacturing method. 제 1 항에 있어서, 역메사부(3)형성시 반도체 기판(1) 식각을 H₂SO₄: H₂O₂: CH₄(OH)₂=1:2:7 용액으로 (011)방향으로 함을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 제조방법.The method of claim 1, wherein the etching of the semiconductor substrate 1 when forming the reverse mesa part 3 is performed in the direction of (011) with a solution of H ₂ SO ₄ : H ₂ O ₂ : CH ₄ (OH) ₂ = 1: 2: 7 Method for manufacturing a semiconductor laser diode, characterized in that. 제 1 항에 있어서, p형 반도체층(11), n형 반도체층(12), 제 2 캡층(14) 형성시간은 각각 60초, 90초, 60초로 함을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 제조방법.The method of manufacturing a semiconductor laser diode according to claim 1, wherein the formation times of the p-type semiconductor layer 11, the n-type semiconductor layer 12, and the second cap layer 14 are 60 seconds, 90 seconds, and 60 seconds, respectively. . 제 1 항에 있어서, 질화막 패턴(2a)제거후, 소자의 표면을 NH₄OH : H₂O₂=1:1:10 용액으로 15초간 에칭하여 산화막을 제거함을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 제조방법.The method of fabricating a semiconductor laser diode according to claim 1, wherein after removing the nitride film pattern 2a, the surface of the device is etched with NH ₄ OH: H ₂ O ₂ = 1: 1: 10 solution for 15 seconds to remove the oxide film. . ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.