KR940022839A - 반도체 장치 및 그 제조방법 - Google Patents

반도체 장치 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

특히 자기정합 매몰접촉창의 형성시 접촉마진을 증가시킬 수 있는 셀프얼라인 접촉구조를 가진 고집적 반도체장치 및 그 제조방법이 개시되어 있다. 상기 반도체 장치는 반도체기판에 형성되고, 제1절연막으로 덮힌 제1도전층; 상기 제1절연막 상에 소정간격으로 형성되어 상기 제1도전층을 가로지르는 방향으로 연장되고 상부모서리가 깍인 제2도전층들; 상기 제2도전층들을 덮는 제2절연막; 상기 제2도전층들에 셀프얼라인되게 상기 제2도전층들 사이의 상기 제1 및 제2절연막 내에 형성된 접촉용개구; 및 상기 개구내에 노출된 상기 제1도전층과 접촉되고 상기 제2절연막 상에 형성된 제3도전층을 구비한다. 상기 셀프얼라인 개구형성시 제2도전층과 제3도전층 사이의 제2절연막의 마진을 충분히 확보할 수 있다. 자기정합 매몰접촉상 형성을 위해 게이트전극 상부의 산화막두께를 크게하여 단차를 높이는 공정이 없이 자기정합 매몰접촉의 형성이 가능하고, 이로 인해 셀과 셀주변간의 단차를 줄일 수 있으므로 사진식각공정을 용이하게 할 수 있다.

Description

반도체 장치 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 의한 반도체 메모리장치의 접촉창 형성방법의 일례를 설명하기 위해 도시한 단면도이고, 제4도는 본 발명에 의한 반도체 장치의 접촉상 형성방법의 다른 예를 설명하기 위해 도시된 단면도이고, 제5도 내지 제6도는 본 발명에 의한 반도체장치의 접촉창 형성방법의 일 실시예를 설명하기 위해 도시한 단면도들이다.

Claims (8)

  1. 반도체기판에 형성되고, 제1절연막으로 덮힌 제1도전층; 상기 제1절연막 상에 소정간격으로 형성되어 상기 제1도전층을 가로지르는 방향으로 연장되고 상부모서리가 깍인 제2도전층들; 상기 제2도전층들을 덮는 제2절연막; 상기 제2도전층들에 셀프얼라인되게 상기 제2도전층들 사이의 상기 제1 및 제2절연막내에 형성된 접촉용개구; 및 상기 개구내에 노출된 상기 제1도전층과 접촉되고 상기 제2절연막 상에 형성딘 제3도전층을 구비하여 상기 셀프얼라인 개구형성시 제2도전층과 제3도전층 사이의 제2절연막의 마진을 충분히 확보할 수 있는 것을 특징으로 하는 셀프얼라인 접촉구조를 가진 반도체장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 장치는 상기 제2도전층들상에 상기 제2도전층과 동일폭을 가지며 식각선택비가 다른 절연성의 캡핑층을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 셀프얼라인 접촉구조를 가진 반도체장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 캡핑층은 열산화막 또는 질화막 중에서 어느 하나인 것을 특징으로 하는 셀프얼라인 접촉구조를 가진 반도체 장치.
  4. 반도체기판 상에 제1도전층을 형성한후, 제1절연막을 덮는 공정; 상기 제1절연막 상에 도전물질을 침적하고 침적된 도전물질층상에 질화막으로된 캡핑층을 형성하는 공정; 상기 캡핑층을 산화방지막으로 사용하여 상기 도전물질층의 표면을 소정두께로 산화시키는 공정; 상기 도전물질층의 표면에 형성된 산화막을 제거하고 상기 캡핑층을 식각마스크로 사용하여 상기 도전물질층을 이방성식각해서 모서리가 챔버된 제2도전층을 형성하는 공정; 상기 캡핑층과 제2도전층을 제2절연층으로 덮는 공정; 상기 제2절연층상에 개구용 포토마스크패턴을 형성하고 상기 포토마스크패턴을 식각마스크로 사용하여 상기 제1 및 제2절연층을 식각하여 상기 제2도전층에 셀프얼라인된 개구를 형성하는 공정; 및 상기 개구가 형성된 상기 제2절연층 상에 제3도전층을 형성하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 셀프얼라인 접촉구조를 가진 반도체 장치의 제조방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 도전물질은 불순물이 도프된 폴리실리콘인 것을 특징으로 하는 셀프얼라인 접촉 구조를 가진 반도체장치의 제조방법.
  6. 반도체기판 상에 제1도전층을 형성한후, 제1절연막을 덮는 공정; 상기 제1절연막 상에 도전물질을 침적하고 침적된 도전물질층상에 식각선택비가 다른 절연상의 캡핑층을 형성하는 공정; 상기 캡핑층을 식각마스크로 사용하여 상기 노출된 도전물질을 소정깊이로 등방성식각하고 이어서 모서리가 챔버된 제2도전층을 형성하는 공정; 상기 제2도전층을 제2절연층으로 덮는 공정; 상기 제2절연층 상에 개구용 포토마스크패턴을 형성하고 상기 포토마스크패턴을 식각마스크로 사용하여 상기 제1 및 제2절연층을 식각하여 상기 제2도전층에 셀프얼라인된 개구를 형성하는 공정; 및 상기 개구가 형성된 상기 제2절연층 상에 제3도전층을 형성하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 셀프얼라인 접촉구조를 가진 반도체장치의 제조방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 도전물질은 불순물이 도프된 폴리실리콘인 것을 특징으로 하는 셀프얼라인 접촉구조를 가진 반도체장치의 제조방법.
  8. 제6항에 있어서, 상기 제2도전층의 챔버는 건식식각 또는 다결정실리콘의 습식식각액을 이용한 등방성식각으로 형성되는 것을 특징으로 하는 셀프얼라인 접촉구조를 가진 반도체장치의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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