KR940012851A - 차동 전류원 회로 - Google Patents

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KR940012851A
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가쯔히꼬 가사이
야스까쯔 노이네
겐지 마쯔오
신지 후지이
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사또 후미오
가부시끼가이샤 도시바
오까모또 유끼오
도시바 마이크로일렉트로닉스 가부시끼가이샤
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Abstract

본 발명의 목적은 부가 회로를 설치하지 않고 안정된 출력 전류를 얻는 차동 전류원 회로를 제공하는 것이다.
각 소스는 전원 (V)에 접속되고, 각 게이트에 바이스 전압(Vref)가 인가되는 P 채널형의 제1 및 제2MOSFET (P8 및 P9)를 설치하며, 제1MOSFET (P8)의 드레인과 접지점 사이 및 제2MOSFET (P9)의 드레인과 Q출력단 사이에 각각 게이트를 교차시켜 접속한 N채널형의 제3MOSFET (N1) 및 P채널형의 제4MOSFET (P10)을 접속함과 동시에 제1 및 제3MOSFET (P8 및 N1)의 접속점 (ND4)와 제2 및 제4MOSFET (P9 및 P10)의 접속점 (ND3)사이에, 게이트에 디지탈 신호 (/Φ)가 공급되는 N채널형의 제5MOSFET (N2)를 접속시켜 차동 전류원 회로를 구성하는 것을 특징으로 한다.

Description

차동 전류원 회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시예에 관한 차동 전류원 회로의 구성을 도시한 회로도.
제2도는 제1도에 도시된 차동 전류원 회로의 입출력 특성에 대한 설명도.
제4도는 본 발명의 제2실시예에 관한 차동 전류원 회로의 구성을 도시한 회로도.

Claims (6)

  1. 바이어스 전압에 대응하여 전류가 흐르는 제1정전류원 (P8 및 N3), 상기 바이어스 전압으로 제어되고, 상기 제1정전류원과 같은 양의 전류가 흐르는 제2정전류원 (P9 및 N4), 상기 제1정전류원과 제1출력 단자 사이에 접속된 제1스위치 수단 (N1 및 P11), 상기 제2정전류원과 제2출력 단자 사이에 접속되고, 상기 제1스위치 수단과 역극 성인 제2스위치 수단 (P10 및 N5) 및 논리 신호로 도통/차단 제어되고, 상기 제1 및 제2정전류원 사이를 전기적으로 접속/분리 제어하는 제3스위치 수단 (N2)를 포함하고, 상기 제1스위치 수단은 상기 제2정전류원과 상기 제2스위치 수단의 접속점 전위로 도통/차단 제어되며, 상기 제2스위치 수단은 상기 제1정전류원과 상기 제1스위치 수단의 접속점 전위로 도통/차단 제어되는 것을 특징으로 하는 차동 전류원 회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 정전류원에는 각각 전원이 접속되고, 상기 제1출력 단자에는 접지점이 접속되는 것을 특징으로 하는 차동 전류원 회로.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2정전류원에는 각각 접지점이 접속되고, 상기 제1출력 단자에는 전원이 접속되는 것을 특징으로 하는 차동 전류원 회로.
  4. 한 단이 제1전위 공급원에 접속되고, 제어 전극에 바이어스 전압이 인가되는 제1도전형의 제1트랜지스터 (P8 및 N3), 한 단이 상기 제1전위 공급원에 접속되고, 제어 전극에 상기 바이어스 전압이 인가되는 제1도전형의 제2트랜지스터 (P9 및 N4), 상기 제1트랜지스터의 다른 단과 제2전위 공급원 사이에 접속되고, 제어 전극이 상기 제2트랜지스터의 다른 단에 접속되는 제2도전형의 제3트랜지스터 (N1 및 P11), 상기 제2트랜지스터의 다른 단과 출력 단자 사이에 접속되고, 제어 전극이 상기 제1트랜지스터의 다른 단에 접속되는 제1도전형의 제4트랜지스터 (P10 및 N5) 및 상기 제1 및 제3트랜지스터의 접속점과 상기 제2 및 제4트랜지스터의 접속점 사이에 접속되고, 제어 전극에 디지탈 신호가 공급되는 제5트랜지스터 (N2)를 포함하는 것을 특징으로 하는 차동 전류원 회로.
  5. 제4항에 있어서, 상기 제1전위 공급원은 전원이고, 상기 제1도전형은 P채널형이며, 상기 제2전위 공급원은 접지점이고, 상기 제2도전형은 N채널형이며, 상기 제1 내지 제5트랜지서터는 각각 MOSFET인 것을 특징으로 하는 차동 전류원 회로.
  6. 제4항에 있어서, 상기 제1전위 공급원은 접지점이고 ,상기 제1도전형은 N채널형이며, 상기 제2전위 공급원은 전원이고, 상기 제2도전형은 P채널형이며, 상기 제1 내지 제5트랜지스터는 각각 MOSFET인 것을 특징으로 하는 차동 전류원회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930025210A 1992-11-26 1993-11-25 차동 전류원 회로 KR970005825B1 (ko)

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