KR940012620A - 반도체 집적 회로 장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 구동 전압에 가까운 동상 입력에 대하여도 가급적 높은 직류 이득을 얻는 것을 가능케 한다. 각각의 일단이 제1의 전원에 접속되는 제1 및 제2의 부하소자(MP1, MP2)와 드레인이 제1의 부하소자의 타단에 접속되는 제1도전형의 제1의 MOS 트랜지스터(MN1)와, 드레인이 제2의 부하소자의 타단에 접속되고 소스가 제1의 MOS 트랜지스터의 소스와 공통 접속되는 제1도전형의 제2의 MOS 트랜지스터(MN2)와, 일단이 공통 접속된 제1 및 제2의 MOS 트랜지스터의 소스에 접속되고, 타단이 제2의 전원에 접속되는 직렬로 접속된 저항수단(R1) 및 제1도전형의 제3의 MOS 트랜지스터(MN5)로 구성되는 직렬 회로를 구비하고, 제1 및 제2의 MOS 트랜지스터의 게이트에는 차동 입력 신호가 입력되는 것을 특징으로 한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 제1의 발명의 제1실시예의 구성을 나타내는 회로도.
제2도는 본 발명의 효과를 설명하는 그래프.
Claims (10)
- 각각의 일단이 제1의 전원에 접속되는 제1 및 제2의 부하소자(MP1, MP2)와, 드레인이 상기 제1의 부하소자의 타단에 접속되는 제1도전형의 제1의 MOS 트랜지스터(MN1)와, 드레인이 상기 제2의 부하소자의 타단에 접속되고, 소스가 상기 제1의 MOS 트랜지스터의 소스와 공통 접속되는 제1도전형의 제2의 MOS 트랜지스터(MN2)와, 일단이 공통 접속된 상기 제1 및 제2의 MOS 트랜지스터의 소스에 접속되고 타단이 제2의 전원에 접속되는 직렬로 접속된 저항수단(R1) 및 제1도전형의 제3의 MOS 트랜지스터(MN5)로 구성되는 직렬 회로를 구비하고, 상기 제1 및 제2의 MOS 트랜지스터의 게이트에는 차동 입력신호(IN,)가 입력되는 것을 특징으로 하는 반도체집적 회로 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 제1의 전원의 전압 VCC의 동작 보증 범위를 V1 VCC V2로 하고, 상기 제1의 전원의 전압 VCC이 VCC=V2인 경우의 상기 제3의 MOS 트랜지스터의 온시 실효 저항치를 R(V2)로 하면, 상기 저항수단의 저항치 R0는 R(V2)R0를 만족하도록 설정되는 것을 특징으로 하는 반도체집적 회로 장치.
- 제2항에 있어서, 상기 제1의 전원의 전압 VCC이 VCC=V1인 경우의 상기 제3의 MOS 트랜지스터의 온시 실효 저항치를 R(V1)로 하면, 상기 저항 수단의 저항치 R0는 R0 R(V1)를 만족하도록 설정되는 것을 특징으로 하는 반도체집적 회로 장치.
- 제1항 내지 제3항중 어느 한 항에 있어서, 상기 저항 수단은 확산층 저항을 사용하여 실현되는 것을 특징으로 하는 반도체집적 회로 장치.
- 소스가 제1의 전원에 접속되는 제1도전형의 제1의 MOS 트랜지스터와, 소스가 제2의 전원에 접속되는 제2도전형의 제2의 MOS 트랜지스터와, 일단이 상기 제1의 MOS 트랜지스터의 드레인에 접속되고, 타단이 상기 제2의 MOS 트랜지스터의 드레인에 접속되는 제1의 저항을 구비하고 상기 제1의 저항의 일단 또는 타단의 어느 한쪽의 출력 단자에 접속되는 것을 특징으로 하는 반도체 집적 회로 장치.
- 제5항에 있어서, 상기 제1의 저항의 저항치는 구동 전압이 그 동작 보증 범위의 상한치인 경우의 상기 제1 및 제2의 MOS 트랜지스터의 온시 실효 저항치에 의하여 결정되는 제1의 소정치와 같은 큰 값을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 집적 회로 장치.
- 제6항에 있어서, 상기 제1의 저항의 저항치는 구동 전압이 그 동작 보증 범위의 하한치인 경우의 상기 제1 및 제2의 MOS 트랜지스터의 온시 실효 저항치에 의하여 결정되는 제2의 소정치와 같거나 또는 작은 값을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 집적 회로 장치.
- 소스가 제1의 전원에 접속되는 제1도전형의 제1의 MOS 트랜지스터(TP)와, 소스가 제2의 전원에 접속되는 제2도전형의 제2의 MOS 트랜지스터(TN)와, 일단이 상기 제1의 MOS 트랜지스터의 드레인에 접속되고 타단이 출력단자(OUT)에 접속되는 제1의 저항(R1)과, 일단이 상기 출력단자에 접속되고 타단이 상기 제2의 MOS 트랜지스터의 드레인에 접속되는 제2의 저항(R2)을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 집적 회로 장치.
- 제8항에 있어서, 상기 제1 및 제2의 저항의 저항치는 각각 구동 전압이 그 동작 보증 범위의 상한치인 경우의 상기 제1 및 제2의 MOS 트랜지스터의 온시 실효 저항치에 의하여 결정되는 제1 및 제2의 소정치와 같거나 또는 큰 값을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 집적 회로 장치.
- 제9항에 있어서, 상기 제1 및 제2의 저항의 저항치는 각각 구동 전압이 그 동작 보증 범위의 하한치인 경우의 상기 제1 및 제2의 MOS 트랜지스터의 온시 실효 저항치에 의하여 결정되는 제3 및 제4의 소정치와 같거나 또는 작은 값을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 집적 회로 장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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