KR940010379A - 전하 저장 전극의 표면적을 증가 시키는 반구형 다결정 실리콘 박막 제조 방법 - Google Patents
전하 저장 전극의 표면적을 증가 시키는 반구형 다결정 실리콘 박막 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR940010379A KR940010379A KR1019920019291A KR920019291A KR940010379A KR 940010379 A KR940010379 A KR 940010379A KR 1019920019291 A KR1019920019291 A KR 1019920019291A KR 920019291 A KR920019291 A KR 920019291A KR 940010379 A KR940010379 A KR 940010379A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- thin film
- polycrystalline silicon
- silicon thin
- storage electrode
- surface area
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L28/40—Capacitors
- H01L28/60—Electrodes
- H01L28/82—Electrodes with an enlarged surface, e.g. formed by texturisation
- H01L28/84—Electrodes with an enlarged surface, e.g. formed by texturisation being a rough surface, e.g. using hemispherical grains
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
본 발명은 반구형 다결정 실리콘 박막을 전하 저장 전극으로 사용 하였을 때에 박막 특성상 취약한 그레인 바운더리(grain bo-undary)를 따라 발생 하기 쉬운 클랙(crack) 또는 (lifting) 현상을 방지하는 전자 저장 전극의 표면적을 증가 시키는 반구형 다결정 실리콘 박막 제조 방법에 관한 것으로, 상기 반구형 다결정 실리콘 박막의 두께를 1000 내지 2500Å중 어느 하나의 두께로 이어지는 것을 특징으로 하는 전하 저장 전극의 표면적을 증가시키는 반구형 다결정 실리콘 박막 제조 방법에 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 다른 실시예를 적용한 캐패시터 형성 단면도.
Claims (2)
- 전하 저장 전극의 표면적을 증가 시키는 반구형 다결정 실리콘 박막 제조 방법에 있어서, 상기 반구형 다결정 실리콘 박막의 두께를 1000 내지 2500Å 중 어느 하나의 두께로 이루어 지는 것을 특징으로 하는 전하 저장 전극의 표면적을 증가 시키는 반구형 다결정 실리콘 박막 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 반구형 다결정 실리콘 박막은 500 내지 2000Å인 다결정 실리콘박막(A층)과 반구형 표면을 갖는 500 내지 1000Å 두께의 다결정 실리콘박막(B층)으로 이루어 지는 것을 특징으로 하는 전하 저장 전극의 표면적을 증가 시키는 반구형 다결정 실리콘 박막 제조 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019920019291A KR940010379A (ko) | 1992-10-20 | 1992-10-20 | 전하 저장 전극의 표면적을 증가 시키는 반구형 다결정 실리콘 박막 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019920019291A KR940010379A (ko) | 1992-10-20 | 1992-10-20 | 전하 저장 전극의 표면적을 증가 시키는 반구형 다결정 실리콘 박막 제조 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR940010379A true KR940010379A (ko) | 1994-05-26 |
Family
ID=67210435
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019920019291A KR940010379A (ko) | 1992-10-20 | 1992-10-20 | 전하 저장 전극의 표면적을 증가 시키는 반구형 다결정 실리콘 박막 제조 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR940010379A (ko) |
-
1992
- 1992-10-20 KR KR1019920019291A patent/KR940010379A/ko not_active IP Right Cessation
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR940006246A (ko) | 반도체 디바이스용 유전체 구조 및 그 제조방법 | |
| KR970003926A (ko) | 반도체 집적회로장치 및 그 제조방법 | |
| KR970703240A (ko) | 필름 조성물(film compostion) | |
| US5187636A (en) | Dielectric device | |
| KR930001375A (ko) | 반도체 장치 제조방법 | |
| KR940010379A (ko) | 전하 저장 전극의 표면적을 증가 시키는 반구형 다결정 실리콘 박막 제조 방법 | |
| CA2044053A1 (en) | Barrier film having high colorless transparency and method | |
| KR970052024A (ko) | 에스 오 아이 기판 제조방법 | |
| KR910019152A (ko) | 실리콘 웨이퍼 | |
| KR920011683A (ko) | 폴리에스테르필름의 성형방법 | |
| KR920005326A (ko) | 반도체소자의 노이즈 방지방법 | |
| JPS6482652A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| KR950026037A (ko) | 박막트랜지스터 | |
| JPS5637663A (en) | Capacitor | |
| KR920017234A (ko) | 표면적이 증대된 전하저장전극 제조방법 | |
| KR920015509A (ko) | 금속배선의 다층 박막 구조 | |
| KR930014831A (ko) | 2중 다결정 실리콘층의 층간 산화막 형성방법 | |
| KR900013581A (ko) | 반도체 기억장치의 제조방법 및 그 소자 | |
| KR930011114A (ko) | 반도체장치의 제조방법 | |
| KR930001386A (ko) | 반도체 장치의 보호막 및 그 형성방법 | |
| JPH0433356A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR880013247A (ko) | 반도체 장치의 제조방법 | |
| KR960002734A (ko) | 반도체 박막소자 | |
| KR970067951A (ko) | 반도체 센서용 마이크로 빔의 제조방법 | |
| KR960026649A (ko) | 커플링 노이즈 감소를 위한 반도체장치 및 그 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| SUBM | Surrender of laid-open application requested |