KR940007981A - 결함없는 프린팅 레티클을 제조하는 공정 - Google Patents
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Abstract
결함선택기술과 석영에칭방법을 사용하는 최적화된 레이아웃의 조합은 높은 가능성을 가진 무결함 프린팅 마스크 즉, 레티클(10)을 얻기 위해 사용된다. 여기에서 사용한 결함선택기술은 항상 다중패턴이 부분적으로 에칭을 하는 것과 같은 방식으로 도금되는 기술에 대하여 언급하였다. 위상시프터층을 선택하는 것은 반도체 웨이퍼위의 레티클로부터 프린트결함의 가능성을 감소시킨다. SPLAT를 사용하는 모델링은 선택기술을 사용하여 프린트하는 결함(16),(20),(24)의 가능성과 함께 프린트 결함의 위상전이 효과를 도시하였다. 따라서, 마스크가 결함을 허용하지 않는다면, 이러한 결점은 웨이퍼위에 프린트되지 않는다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A-제2E도는 석영기판의 서브트랙티브 패턴을 포함하는 본 발명의 위상편이 마스크 제조공정의 연속적인 필수단계를 예시한 도면.
Claims (21)
- a)투명기판의 주표면위에 불투명층을 형성하는 공정, b)상기 도포된 투명기판의 부분을 노광하기 위하여 상기 불투명층을 패턴화하는 공정, c)상기 도포된 투명기판의 상기 부분을 노광하기 위하여 위상편이 마스크층을 형성하는 공정, d)미리 선택된 위상편이 각도와 등가인 양으로 상기 투명기판의 상기 노광된 부분 중간가지 위상 에칭하는 공정 및, e)상기 위상편이 각도와 동일한 전체 180°위상편이가 수행될 때 까지, 일련의 단계에서 상기 위상에칭을 수행하기 위하여 상기 위상편이 마스크층을 선택하는 공정등으로 이루어지며, 상기 레티클의 상기 노광된 부분으로 복제된 어떠한 위상결함은 반도체 웨이퍼상에서 프린트되지 않음을 특징으로 하는 결함없는 프린팅 레티클을 제조하는 공정.
- 제1항에 있어서, 상기 불투명층은 크롬, 몰리브덴, 폴리실리콘, 금, 탄화규소, 질화규소, 티타늄산화막 및 셀레늄산화막으로 구성된 그룹에서 선택됨을 특징으로 하는 결함없는 프린팅 레티클을 제조하는 공정.
- 제1항에 있어서, 상기 투명기판은 석영으로 이루어짐을 특징으로 하는 결함없는 프린팅 레티클을 제조하는 공정.
- 제1항에 있어서, 상기 완전 180°위상편이가 수행된 후에, 상기 투명기판은 상기 불투명층을 언더컷하며 위상결함 기둥의 높이를 감소시키기 위해 습식에칭으로 노광됨을 특징으로 하는 결함없는 프린팅 레티클을 제조하는 공정.
- 제1항에 있어서, 상기 미리 선택된 위상편이 각도는 대략 60°임을 특징으로 하는 결함없는 프린팅 레티클을 제조하는 공정.
- 제5항에 있어서, 상기 선택은 180°/120°/60°/0°레이아웃에 의해 발생됨을 특징으로 하는 결함없는 프린팅 레티클을 제조하는 공정.
- 제1항에 있어서, 상기 미리 선택된 위상편이 각도는 대략 45°임을 특징으로 하는 결함없는 프린팅 레티클을 제조하는 공정.
- 제7항에 있어서, 상기 선택은 180°/135°/90°/45°/0°레이아웃에 의해 발생됨을 특징으로 하는 결함없는 프린팅 레티클을 제조하는 공정.
- 제1항에 있어서, 상기 미리 선택된 위상편이 각도는 대략 30°임을 특징으로 하는 결함없는 프린팅 레티클을 제조하는 공정.
- 제9항에 있어서, 상기 선택은 180°/150°/120°/90°/60°/30°/0°레이아웃에 의해 발생됨을 특징으로 하는 결함없는 프린팅 레티클을 제조하는 공정.
- 제1항의 공정에 의해 제조된 결함없는 프린팅 레티클.
- a)석영기판의 주표면위에 불투명층을 형성하는 공정, b)상기 불투명층위에 코팅된 포토레지스트를 인가하는 공정, c)상기 포토레지스트층을 패턴화하고, 그것을 현상하여, 상기 도포된 불투명층의 일부를 노광하기 위하여 그것을 에칭하는 공정. d)상기 석영기판의 도포된 부분을 노광시키기 위하여 상기 도포된 불투명층의 상기 노광된 부분을 통하여 에칭하는 공정, e)잔유 포토레지스트를 제거하는 공정, f)포토레지스트로 상기 석영기판의 상기 주요표면을 재도포하는 공정, g)위상편이 마스크층을 형성하기 위하여 상기 포토레지스트를 패턴화하고, 상기 도포된 석영기판의 상기 부분을 노광시키기 위하여 상기 포토레지스트를 현상하는 공정, h)미리 선택된 위상편이 각도와 등가인 각도로 상기 석영기판의 상기 노출부분 중간까지 에칭하는 단계, i)상기 포토레지스트를 제거하는 단계 및, j)전체 180°위상편이가 성취될때까지 상기 석영기판의 동일한 부분에 대하여 f)단계에서 i)단계까지 반복하는 공정등으로 이루어지며, 상기 레티클의 상기 노광된 부분에서 복제된 어떤 위상결함은 반도체 웨이퍼위에서 프린트되지 않음을 특징으로 하는 결함없는 프린팅 레티클을 제조하는 공정.
- 제12항에 있어서, 상기 불투명층은 크롬, 몰리브덴, 폴리실리콘, 금, 탄화규소, 질화규소, 티타늄산화막 및 셀레늄산화막으로 구성된 그룹에서 선택됨을 특징으로 하는 결함없는 프린팅 레티클을 제조하는 공정.
- 제12항에 있어서, 상기 완전 180°위상편이가 수행된 후에, 상기 석영기판은 상기 불투명층을 언더컷하고 위상결함기둥의 높이를 감소시키기 위해 습식에칭으로 노광됨을 특징으로 하는 결함없는 프린팅 레티클을 제조하는 공정.
- 제12항에 있어서, 상기 미리 선택된 위상편이 각도는 대략 60°임을 특징으로 하는 결함없는 프린팅 레티클을 제조하는 공정.
- 제15항에 있어서, 상기 선택은 180°/120°/60°/0°레이아웃에 의해 발생됨을 특징으로 하는 결함없는 프린팅 레티클을 제조하는 공정.
- 제12항에 있어서, 상기 미리 선택된 위상편이 각도는 대략 45°임을 특징으로 하는 결함없는 프린팅 레티클을 제조하는 공정.
- 제17항에 있어서, 상기 선택은 180°/135°/90°/45°/0°레이아웃에 의해 발생됨을 특징으로 하는 결함없는 프린팅 레티클을 제조하는 공정.
- 제12항에 있어서, 상기 미리 선택된 위상편이 각도는 대략 30°임을 특징으로 하는 결함없는 프린팅 레티클을 제조하는 공정.
- 제19항에 있어서, 상기 선택은 180°/150°/120°/90°/60°/30°/0°레이아웃에 의해 발생됨을 특징으로 하는 결함없는 프린팅 레티클을 제조하는 공정.
- 제12항의 공정에 의해 생산된 결함없는 프린팅 레티클.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US07/950,367 US5308722A (en) | 1992-09-24 | 1992-09-24 | Voting technique for the manufacture of defect-free printing phase shift lithography |
US7/950,367 | 1992-09-24 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR940007981A true KR940007981A (ko) | 1994-04-28 |
Family
ID=25490349
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019930013090A KR940007981A (ko) | 1992-09-24 | 1993-07-12 | 결함없는 프린팅 레티클을 제조하는 공정 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5308722A (ko) |
EP (1) | EP0590755A1 (ko) |
JP (1) | JPH06118621A (ko) |
KR (1) | KR940007981A (ko) |
TW (1) | TW234204B (ko) |
Families Citing this family (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5672450A (en) * | 1994-05-11 | 1997-09-30 | Micron Technology, Inc. | Method of phase shift mask fabrication comprising a tapered edge and phase conflict resolution |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1992
- 1992-09-24 US US07/950,367 patent/US5308722A/en not_active Expired - Lifetime
-
1993
- 1993-05-18 TW TW082103875A patent/TW234204B/zh active
- 1993-05-25 EP EP93304041A patent/EP0590755A1/en not_active Withdrawn
- 1993-06-24 JP JP15346493A patent/JPH06118621A/ja not_active Withdrawn
- 1993-07-12 KR KR1019930013090A patent/KR940007981A/ko not_active Application Discontinuation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH06118621A (ja) | 1994-04-28 |
TW234204B (ko) | 1994-11-11 |
EP0590755A1 (en) | 1994-04-06 |
US5308722A (en) | 1994-05-03 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
WITN | Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid |