KR940007216A - 확산접합된 스페터링타게트조립체 및 그 제조방법 - Google Patents
확산접합된 스페터링타게트조립체 및 그 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR940007216A KR940007216A KR1019930019368A KR930019368A KR940007216A KR 940007216 A KR940007216 A KR 940007216A KR 1019930019368 A KR1019930019368 A KR 1019930019368A KR 930019368 A KR930019368 A KR 930019368A KR 940007216 A KR940007216 A KR 940007216A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- sputtering target
- back plate
- target material
- alloy
- solid
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3414—Targets
- H01J37/3417—Arrangements
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3435—Target holders (includes backing plates and endblocks)
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Pressure Welding/Diffusion-Bonding (AREA)
Abstract
본 발명은 뒤판을 가진 스패너링타케트 조립체에 관한 것이며, 특히 뒤판과 스패터링 타게트를 삽입제를 개재해서 혹은 개재하지 않고 그들의 계면을 고상 확산접합하고, 그때 스패너링타게트가 뒤판에의 접합전의 금속확적 특성 및 성상을 실질상 유지하고 있는 것을 특징으로 하는 스패터링타게트조립체 및 그 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한것으로서, 그 구성에 있어서, 타게트재(1)와 뒤판(2)을 삽입재(3)를 사이에 두거나 혹은 사이에 두지 않고서 저온에서 고상확산접합하므로서, 타게트재(1)의 결정입자 성장이나 조작의 변화나 오염을 억제하고, 타게트의 변질 혹은 변형을 발생하는 일없이, 구성원자가 서로 확산되므로서 높은 밀착성과 높은 접합강도를 얻게되고, 사용온도의 상승에 의한 접합강도의 급격한 저하가 발생되지 않고 고상 접합이기 때문에 계면에 포어등의 미접착부가 없는 100%접합율의 고도로 신뢰성을 가진 본딩을 얻게되는 것을 특징으로 한것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따라 타케그재와 뒤판(Backplate)을 삽입제를 개재해서 고상으로 확산접합한 스패터링타게트조립체의 사시도,
제2도는 실시예 1에 있어서의 본 발명에 따른 고상확산접합재 및 Sn-Pb-Ag계 저융점납재를 사용한 접합재의 실온에서의 접합전단강도를 비교해서 표시한 그래프,
제3도는 실시예 1의 접합재의 접합전단강도의 온도의 조성을 표시한 그래프,
제4도는 본 발명에 따른 Aℓ-1%, Si-0.5%, Cu타게트, Ag박(箔)및 OFC제 뒤판의 적충재의 접합계면 근처의 금속조직을 표시한 현미경사진.
Claims (14)
- 뒤판과 스패터링타게트을 삽입재를 개재해서 혹은 개재하지 않고 그들의 계면을 고상확산접합하고, 그때 스패터링타게트가 뒤판에의 접합전의 금속학적 특성 및 성상을 실장상 유지하고 있는 것을 특징으로 하는 스패터렁타게트조립체.
- 1000℃미만의 융점을 가진 타게트재와, 1종 이상의 삽입재와, 뒤판을 구비하고, 상기 타게트재와 상기 삽입재 및 상기 삽입재와 상기 뒤판이 각각 고상확산접합 계면을 가지는 동시에 상기 타게트재가 결정입자직경이 250㎛이하의 균일한 결정조직인 것을 특징으로 하는 고체상확산접합 스페터링 타게트조립체.
- 제2항에 있어서, 타게트재가 알루미늄 또는 알루미늄합금, 구리 또는 구리합금, 혹은 니켈 또는 니켈합금인 것을 특징으로 하는 고상확산접합스페터링 타게트조립체.
- 제2항에 있어서, 삽입재가 은 또는 은합금, 구리 또는 구리합금, 혹은 니켈 또는 니켈합금인 것을 특징으로 하는 고상확산접합스패터링 타게트조립체.
- 제3항에 있어서, 삽입재가 은 또는 은합금인것을 특징으로 하는 고상확산접합스패터링타게트 조립체.
- 1000℃미만의 융점을 가진, 소정의 최종형상의 타게트재와 소정의 최종형상의 뒤판을 1종 이상의 삽입재를 사이에 삽입해서 진공하에서 150∼300℃의 온도에서 고상확산접합시키는 것을 특징으로 하는 다게트재가 결정입가 직경이 250㎛이하의 균일한 결정조직인 것을 특징으로 하는 고상확산접합스패터링타게트조립체를 제조하는 방법.
- 1000℃이상의 융점을 가진 타게트재와, 이 타게트재의 융점보다 낮은 융점을 가진 금속 또는 합금으로부터 선택되는 1종 이상의 삽입재와 뒤판을 구비하고, 상기 타게트재와 상기 삽입재 및 상기 삽입재와 상기 뒤판이 각각 고상확산접합계면을 가진것을 특징으로 하는 고체상확산접합스패터링타게트조립체.
- 제7항에 있어서, 타게트재가 W, Mo, Ti, Ta, Zr, Nb로 이루어진 군으로부터 고융점 금속 및 그 합금인것을 특징으로 하는 고체상학산접합 스퍼터링타게트 조립체.
- 제7항에 있어서, 삽입재가 은 또는 은합금, 구리 또는 구리합금, 혹은 니켈 또는 니켈합금인 것을 특징으로 하는 고체상확산접합스퍼터링 타게트 조립체.
- 제8항에 있어서, 삽입재가 은 또는 은합금, 구리 또는 구리합금, 혹은 니켈 또는 니켈합금인 것을 특징으로 하는 고체상확산접합스퍼터링 타게트 조립체.
- 1000℃이상의 융점을 가진, 소정의 최종형상의 타게트재와 소정의 최종 형상의 뒤판을 상기 타게트재의 융점보다도 낮은 융점을 가진 금속 또는 합금으로 부터 선택되는 1종이상의 삽입재를 사이에 삽입해서 진공하게서 200∼600℃의 온도 및 0.1∼20kg/㎟의 압력조건에서 고체상확산 접합시키는 것을 특징으로 하는 스패터링타게트조립체를 제조하는 방법.
- 티탄타게트재와, 티탄재뒤판을 구비하고, 상기 티탄타게트재와 상기 티탄개뒤판이 고상확산접합개면을 가짐과 동시에, 상기 타게트재가 결정입자직경이 100um이하의 균일한 결정조직적인 것을 특징으로 하는 고체상확산접합스퍼터링 타게트 조립체.
- 티타타게트재와 티타재뒤판의 변형속도 1×10-3/sec이하의 조건에서 고상 확산접합시키는 것을 특징으로 하는 타게트재가 결정입자직경이 100um이하의 균일한 결정조직인 고상확산접합스패터링타게트 조립체를 제조하는 방법.
- 제13항에 있어서, 온도 350∼650℃에서 확산접합한것을 특징으로 하는 고상확산접합스퍼터링타게트 조립체를 제조하는 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28229792A JP3525348B2 (ja) | 1992-09-29 | 1992-09-29 | 拡散接合されたスパッタリングターゲット組立体の製造方法 |
JP92-282297 | 1992-09-29 | ||
JP4334899A JPH06158296A (ja) | 1992-11-24 | 1992-11-24 | 拡散接合されたスパッタリングターゲット組立体及びその製造方法 |
JP92-334899 | 1992-11-24 | ||
JP35110692A JP3469261B2 (ja) | 1992-12-07 | 1992-12-07 | 拡散接合されたスパッタリングターゲット組立体及びその製造方法 |
JP92-351106 | 1992-12-07 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR940007216A true KR940007216A (ko) | 1994-04-26 |
KR960010166B1 KR960010166B1 (ko) | 1996-07-26 |
Family
ID=27336927
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019930019368A KR960010166B1 (ko) | 1992-09-29 | 1993-09-23 | 확산접합된 스패터링타게트조립체 및 그 제조방법 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
EP (3) | EP0848080B1 (ko) |
KR (1) | KR960010166B1 (ko) |
DE (3) | DE69329303T2 (ko) |
TW (1) | TW234767B (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100438002B1 (ko) * | 2001-07-31 | 2004-06-30 | 현우정밀주식회사 | 청동합금계 결합재를 이용한 절삭 가공용 다이아몬드휠과 알루미늄플랜지와의 접합방법 |
Families Citing this family (45)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5487822A (en) * | 1993-11-24 | 1996-01-30 | Applied Materials, Inc. | Integrated sputtering target assembly |
US6199259B1 (en) | 1993-11-24 | 2001-03-13 | Applied Komatsu Technology, Inc. | Autoclave bonding of sputtering target assembly |
US5433835B1 (en) * | 1993-11-24 | 1997-05-20 | Applied Materials Inc | Sputtering device and target with cover to hold cooling fluid |
DE4414470A1 (de) * | 1994-04-26 | 1995-11-02 | Leybold Ag | Zerstäuberkathode |
US5836506A (en) * | 1995-04-21 | 1998-11-17 | Sony Corporation | Sputter target/backing plate assembly and method of making same |
US6073830A (en) * | 1995-04-21 | 2000-06-13 | Praxair S.T. Technology, Inc. | Sputter target/backing plate assembly and method of making same |
US5799860A (en) * | 1995-08-07 | 1998-09-01 | Applied Materials, Inc. | Preparation and bonding of workpieces to form sputtering targets and other assemblies |
US5857611A (en) | 1995-08-16 | 1999-01-12 | Sony Corporation | Sputter target/backing plate assembly and method of making same |
US5807443A (en) * | 1995-11-30 | 1998-09-15 | Hitachi Metals, Ltd. | Sputtering titanium target assembly and producing method thereof |
US5863398A (en) * | 1996-10-11 | 1999-01-26 | Johnson Matthey Electonics, Inc. | Hot pressed and sintered sputtering target assemblies and method for making same |
US6274015B1 (en) | 1996-12-13 | 2001-08-14 | Honeywell International, Inc. | Diffusion bonded sputtering target assembly with precipitation hardened backing plate and method of making same |
CN1211287A (zh) * | 1996-12-13 | 1999-03-17 | 约翰逊·马太电子公司 | 具有析出相强化背板的扩散连接溅射靶组件及其制造方法 |
US5985115A (en) | 1997-04-11 | 1999-11-16 | Novellus Systems, Inc. | Internally cooled target assembly for magnetron sputtering |
JP2000509765A (ja) | 1997-03-19 | 2000-08-02 | ジョンソン マッセイ エレクトロニクス,インク. | バッキングプレートに拡散接合されたni−鍍金ターゲット |
US6569270B2 (en) | 1997-07-11 | 2003-05-27 | Honeywell International Inc. | Process for producing a metal article |
US6579431B1 (en) * | 1998-01-14 | 2003-06-17 | Tosoh Smd, Inc. | Diffusion bonding of high purity metals and metal alloys to aluminum backing plates using nickel or nickel alloy interlayers |
US6348139B1 (en) * | 1998-06-17 | 2002-02-19 | Honeywell International Inc. | Tantalum-comprising articles |
US6451185B2 (en) * | 1998-08-12 | 2002-09-17 | Honeywell International Inc. | Diffusion bonded sputtering target assembly with precipitation hardened backing plate and method of making same |
US6348113B1 (en) | 1998-11-25 | 2002-02-19 | Cabot Corporation | High purity tantalum, products containing the same, and methods of making the same |
US6521108B1 (en) | 1998-12-29 | 2003-02-18 | Tosoh Smd, Inc. | Diffusion bonded sputter target assembly and method of making same |
KR100616765B1 (ko) * | 1998-12-29 | 2006-08-31 | 토소우 에스엠디, 인크 | 확산 접합된 스퍼터 타켓 조립체 및 그 제조 방법 |
US6164519A (en) * | 1999-07-08 | 2000-12-26 | Praxair S.T. Technology, Inc. | Method of bonding a sputtering target to a backing plate |
US6277253B1 (en) * | 1999-10-06 | 2001-08-21 | Applied Materials, Inc. | External coating of tungsten or tantalum or other refractory metal on IMP coils |
US6878250B1 (en) | 1999-12-16 | 2005-04-12 | Honeywell International Inc. | Sputtering targets formed from cast materials |
US6780794B2 (en) | 2000-01-20 | 2004-08-24 | Honeywell International Inc. | Methods of bonding physical vapor deposition target materials to backing plate materials |
US7517417B2 (en) | 2000-02-02 | 2009-04-14 | Honeywell International Inc. | Tantalum PVD component producing methods |
US6331233B1 (en) | 2000-02-02 | 2001-12-18 | Honeywell International Inc. | Tantalum sputtering target with fine grains and uniform texture and method of manufacture |
US6698647B1 (en) | 2000-03-10 | 2004-03-02 | Honeywell International Inc. | Aluminum-comprising target/backing plate structures |
AU2001296213A1 (en) | 2000-05-22 | 2001-12-24 | Cabot Corporation | High purity niobium and products containing the same, and methods of making the same |
US6619537B1 (en) | 2000-06-12 | 2003-09-16 | Tosoh Smd, Inc. | Diffusion bonding of copper sputtering targets to backing plates using nickel alloy interlayers |
US6699375B1 (en) | 2000-06-29 | 2004-03-02 | Applied Materials, Inc. | Method of extending process kit consumable recycling life |
JP3905301B2 (ja) * | 2000-10-31 | 2007-04-18 | 日鉱金属株式会社 | タンタル又はタングステンターゲット−銅合金製バッキングプレート組立体及びその製造方法 |
EP1349698B1 (en) * | 2000-12-15 | 2009-12-23 | Tosoh Smd, Inc. | Friction fit target assembly for high power sputtering operation |
KR100817742B1 (ko) * | 2000-12-18 | 2008-03-31 | 토소우 에스엠디, 인크 | 스퍼터 타겟 조립체의 제조방법 및 타겟 조립체 |
US20020162741A1 (en) * | 2001-05-01 | 2002-11-07 | Applied Materials, Inc. | Multi-material target backing plate |
CN100396812C (zh) * | 2001-12-19 | 2008-06-25 | 日矿金属株式会社 | 连接磁性靶和背衬板的方法以及磁性靶 |
US7832619B2 (en) * | 2004-02-27 | 2010-11-16 | Howmet Corporation | Method of making sputtering target |
US7372610B2 (en) | 2005-02-23 | 2008-05-13 | Sage Electrochromics, Inc. | Electrochromic devices and methods |
US7837929B2 (en) | 2005-10-20 | 2010-11-23 | H.C. Starck Inc. | Methods of making molybdenum titanium sputtering plates and targets |
US8449817B2 (en) | 2010-06-30 | 2013-05-28 | H.C. Stark, Inc. | Molybdenum-containing targets comprising three metal elements |
US8449818B2 (en) | 2010-06-30 | 2013-05-28 | H. C. Starck, Inc. | Molybdenum containing targets |
KR20140001246A (ko) | 2011-05-10 | 2014-01-06 | 에이치. 씨. 스타아크 아이앤씨 | 멀티-블록 스퍼터링 타겟 및 이에 관한 제조방법 및 물품 |
CN102554447A (zh) * | 2011-12-26 | 2012-07-11 | 昆山全亚冠环保科技有限公司 | 高纯Al靶焊接方法 |
US9334565B2 (en) | 2012-05-09 | 2016-05-10 | H.C. Starck Inc. | Multi-block sputtering target with interface portions and associated methods and articles |
EP3587626B1 (fr) * | 2018-06-28 | 2023-02-22 | Comadur S.A. | Pièce décorative réalisée par incrustation |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01290765A (ja) * | 1988-05-16 | 1989-11-22 | Toshiba Corp | スパッタリングターゲット |
KR940008020B1 (ko) * | 1988-12-21 | 1994-08-31 | 가부시끼가이샤 도시바 | 스퍼터링장치용 타겟 |
FR2664618B1 (fr) * | 1990-07-10 | 1993-10-08 | Pechiney Aluminium | Procede de fabrication de cathodes pour pulverisation cathodique a base d'aluminium de tres haute purete. |
JPH0539566A (ja) * | 1991-02-19 | 1993-02-19 | Mitsubishi Materials Corp | スパツタリング用ターゲツト及びその製造方法 |
-
1993
- 1993-09-17 TW TW082107645A patent/TW234767B/zh not_active IP Right Cessation
- 1993-09-23 KR KR1019930019368A patent/KR960010166B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1993-09-27 EP EP97118420A patent/EP0848080B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-09-27 EP EP93307621A patent/EP0590904B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-09-27 DE DE69329303T patent/DE69329303T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1993-09-27 EP EP97118493A patent/EP0831155B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-09-27 DE DE69324986T patent/DE69324986T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1993-09-27 DE DE69329124T patent/DE69329124T2/de not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100438002B1 (ko) * | 2001-07-31 | 2004-06-30 | 현우정밀주식회사 | 청동합금계 결합재를 이용한 절삭 가공용 다이아몬드휠과 알루미늄플랜지와의 접합방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0848080B1 (en) | 2000-07-26 |
KR960010166B1 (ko) | 1996-07-26 |
DE69324986D1 (de) | 1999-06-24 |
DE69324986T2 (de) | 1999-09-30 |
EP0831155B1 (en) | 2000-08-23 |
TW234767B (ko) | 1994-11-21 |
EP0848080A1 (en) | 1998-06-17 |
DE69329303T2 (de) | 2000-12-28 |
EP0590904B1 (en) | 1999-05-19 |
DE69329124T2 (de) | 2000-12-14 |
EP0831155A1 (en) | 1998-03-25 |
DE69329124D1 (de) | 2000-08-31 |
EP0590904A1 (en) | 1994-04-06 |
DE69329303D1 (de) | 2000-09-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR940007216A (ko) | 확산접합된 스페터링타게트조립체 및 그 제조방법 | |
US4426033A (en) | Ductile titanium-copper brazing alloy | |
JPH0217509B2 (ko) | ||
US4630767A (en) | Method of brazing using a ductile low temperature brazing alloy | |
CN110666395B (zh) | 用于含钛材料钎焊的钎料、制备方法及钎焊方法 | |
FR2568871A1 (fr) | Produit compact diamante thermostable | |
US4448605A (en) | Ductile brazing alloys containing reactive metals | |
US4447391A (en) | Brazing alloy containing reactive metals, precious metals, boron and nickel | |
US4598025A (en) | Ductile composite interlayer for joining by brazing | |
JPH06108246A (ja) | 拡散接合されたスパッタリングターゲット組立体及びその製造方法 | |
US4623513A (en) | Ductile low temperature brazing alloy | |
US4606981A (en) | Ductile brazing alloys containing reactive metals | |
JP3495770B2 (ja) | セラミックス接合用ろう材 | |
EP0135603A1 (en) | Ductile low temperature brazing alloy | |
CA2368271A1 (en) | Ceramic case assembly for a microstimulator | |
JPH06158296A (ja) | 拡散接合されたスパッタリングターゲット組立体及びその製造方法 | |
US6723213B2 (en) | Titanium target assembly for sputtering and method for preparing the same | |
EP0128356B1 (en) | Homogeneous low melting point copper based alloys | |
US4490437A (en) | Ductile nickel based brazing alloy foil | |
JPH10194860A (ja) | ろう材 | |
US4447392A (en) | Ductile silver based brazing alloys containing a reactive metal and manganese or germanium or mixtures thereof | |
JP2002292474A (ja) | チタン材又はチタン合金材の接合方法 | |
JPH1158072A (ja) | 銅ブレージングシートの製造方法 | |
KR100330025B1 (ko) | 코발트가 함유된 초경합금과 구조용강의 접합을 위한 동계 삽입금속 및 이를 이용한 초경합금과 구조용강의 접합방법 | |
JP4522678B2 (ja) | 薄型Al−Cu接合構造物およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
G160 | Decision to publish patent application | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130705 Year of fee payment: 18 |
|
EXPY | Expiration of term |