KR940004900A - 반도체 레이저 제조방법

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본 발명은 반도체 레이저 제조방법에 관한 것으로, 종래에는 전류제한층 성장 후 화학적 에칭으로 그 전류제한층을 패턴구조로 제조하여 2차성장시 산화 및 계면에서의 결함이 발생하여 소자의 특성을 저하시키는 문제점이 있었다.

본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 감안하여 성장방지층을 성장 후 패턴을 형성하여 선택적 에피택시 방법으로 전류제한층을 형성한 후 상기 성장방지층을 제거하여 2차성장시에 발생하는 산화문제와 계면사이에서의 결함을 방지하여 소자의 특성을 개선하는 효과가 있다.

반도체 레이저 제조방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제2도의 (가) 내지 (마)는 본 발명의 반도체 레이저 제조공정을 보인 단면도.

기판(1)위에 버퍼층(11), 클래드층(2), 활성층(3), 클래드층(4)과 산화방지층(5) 및 성장방지층(7)을 연속 성장 후 상기 성장방지층(7)을 패턴구조로 형성한 다음 상기 산화방지층(5) 위에 전류제한층(8)을 선택적 에피택시 성장법으로 성장시킨 후 그 성장방지층(8)을 선택적 에피택시 성장법으로 성장시킨 후 그 성장방지층(7)을 제거하고 클래드층(10) 캡층(9)을 연속성장시킨 후 그 캡층(9)과 기판(1)에 전극(12)(12′)을 형성하여 제조하는 반도체 레이저 제조방법.
제1항에 있어서, 성장방지층(7)은 AlN으로 제조하는 반도체 레이저 제조방법.
제1항에 있어서, 성장방지층(7)은 절연막으로 제조하는 반도체 레이저 제조방법.