KR930005298A - 반도체 레이저 다이오드의 제조방법 - Google Patents
반도체 레이저 다이오드의 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
내용 없음.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래 반도체 레이저 다이오드의 구조도,
제2도는 본 발명 반도체 레이저 다이오드의 구조도,
제3도의 (A) 내지 (E)는 본 발명에 따른 반도체 레이저 다이오드의 제조방법.
Claims (1)
- GaAs기판(10)위에 제1도전형의 AlGaAs클래드(11), 활성층(12), 제2도전형의 캘래드층(13) 및 제1도전형의 GaAs 전류제한층(14)을 순차적으로 성장시킨 후, 상기 전류제한층(14)위에 유전제막을 증착시켜 선택적으로 에칭하고 상기 에칭된 부위의 전류제한층(14)을 멜트벡시킨 후 상기 멜트벡된 부분에 제2도전형의 AlGaAs층과 제2도전형의 GaAs층을 연속적으로 성장시키고, 다시 유전체막을 제거하고, 제2도전형의 GaAs금속접속층(15)을 성장시켜 상기 금속접촉층(15)과 상기 기판(10)에 전극(16)(17)을 형성하여 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910013660A KR930005298A (ko) | 1991-08-07 | 1991-08-07 | 반도체 레이저 다이오드의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910013660A KR930005298A (ko) | 1991-08-07 | 1991-08-07 | 반도체 레이저 다이오드의 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR930005298A true KR930005298A (ko) | 1993-03-23 |
Family
ID=67310278
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019910013660A KR930005298A (ko) | 1991-08-07 | 1991-08-07 | 반도체 레이저 다이오드의 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR930005298A (ko) |
-
1991
- 1991-08-07 KR KR1019910013660A patent/KR930005298A/ko not_active Application Discontinuation
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