KR930702702A - 2층구조레지스트의 제조방법 및 제조장치 - Google Patents

2층구조레지스트의 제조방법 및 제조장치

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KR930702702A
KR930702702A KR1019930701111A KR930701111A KR930702702A KR 930702702 A KR930702702 A KR 930702702A KR 1019930701111 A KR1019930701111 A KR 1019930701111A KR 930701111 A KR930701111 A KR 930701111A KR 930702702 A KR930702702 A KR 930702702A
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resist
polyacetylene
conjugated polymer
catalyst
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중 쯔카모토
치카라 이치죠오
에미 이마즈
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마에타 카쯔로수케
토오레 카부시키가이샤
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Abstract

폴리아세틸렌, 폴리피롤, 폴리티오펜, 폴리페닐렌비닐렌, 폴리티오펜비닐렌 및 이들의 유도체등으로 형성된 공역계중합체를 주성분으로 하는 박막과 레지스트로 이루어지는 것을 특징으로 하는 2층구조레지스트에 관하여 본 발명에 의하면 이들 박막을 형성하는 공역계중합체는 반사방지효과, 차광효과, 막의 균일성에 우수하며 에칭에 의한 패턴가공이 용이한 특징을 보유하고 있으므로 미세하고도 가공성이 안정된 레지스트패턴을 부여하는 2층구조감방사선성레지스트를 제공할 수 있다.

Description

2층구조레지스트의 제조방법 및 제조장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 박막제조장치를 위에서 본 개략도이다.

Claims (22)

  1. 공역계중합체를 주성분으로 하는 박막과 레지스트로 이루어지는 것을 특징으로 하는 2층구조레지스트.
  2. 제1항에 있어서, 공역계중합체가 폴리아세틸렌, 폴리피롤, 폴리티오펜, 폴리페닐렌비닐렌, 폴리티오펜비닐렌 및 이들의 유도체에서 선택되는 것을 특징으로 하는 2층구조레지스트.
  3. 제1항에 있어서, 공역계중합체가 폴리아세틸렌 및 치환폴리아세틸렌에서 선택되는 것을 특징으로 하는 2층구조레지스트.
  4. 제3항에 있어서, 치환폴리아세틸렌이 폴리시아노아세틸렌, 폴리메틸아세틸렌, 폴리페닐아세틸렌 및 폴리플로로아세틸렌에서 선택되는 것을 특징으로 하는 2층구조레지스트.
  5. 제1항 내지 제4항중 어느 한 항에 있어서, 박막의 광선반사율이 30% 이하인 것을 특징으로 하는 2층구조레지스트.
  6. 기판상에 공역계중합체를 주성분으로 하여 이루어지는 박막을 설치하고 계속하여 레지스트를 설치하는 것을 특징으로 하는 2층구조레지스트의 제조방법.
  7. 제6항에 있어서, 박막이 기상중합법에 의하여 형성되는 것을 특징으로 하는 2층구조레지스트의 제조방법.
  8. 제6항에 있어서, 공역계중합체 및 그 중간체에서 선택되는 적어도 1개를 함유하는 용액을 도포하므로서 박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 2층구조레지스트의 제조방법.
  9. 제6항에 있어서, 공역계중합체가 폴리아세틸렌, 폴리피롤, 폴리티오펜, 폴리페닐렌비닐렌, 폴리티오펜비닐렌 및 이들의 유도체에서 선택되는 것을 특징으로 하는 2층구조레지스트의 제조방법.
  10. 제6항에 있어서, 공역계중합체가 폴리아세틸렌및 치환폴리아세틸렌에서 선택되는 것을 특징으로 하는 2층구조레지스트의 제조방법.
  11. 제10항에 있어서, 치환폴리아세틸렌이 시아노아세틸렌, 메틸아세틸렌, 페닐아세틸렌 및 플로로아세틸렌에서 선택되는 모노머를 중합하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 2층구조레지스트.
  12. 제6항에 있어서, 촉매의 존재하에서 기판상으로 공역계중합체를 중합하므로서 그 박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 2층구조레지스트의 제조방법.
  13. 제6항에 있어서, 공역계중합체의 모노머를 플라즈마중합하므로서 박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 2층구조레지스트의 제조방법.
  14. 제6항또는 제12항에 있어서, 촉매를 기화하고 기판표면상으로 흡착시킨 후, 그 위에 모노머가스를 접촉시키므로서 그 촉매가 흡착된 기판표면상으로 박막을 성막하는 것을 특징으로 하는 2층구조레지스트의 제조방법.
  15. 제12항 또는 제14항에 있어서, 촉매가 아민화합물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 2층구조레지스트의 제조방법.
  16. 기판상에 중합체박막을 화학기상법에 의하여 성막하는 박막제조장치에 잇어서, (A) 촉매를 기화시키고 그 기화된 촉매를 기판표면상으로 흡착시키는 부분과, (B) 촉매가 흡착된 기판을 모노머가스에 접촉시켜서 기판표면상에서 중합체박막을 성막하는 부분 등을 보유하는 것을 특징으로 하는 박막제조장치.
  17. 제16항에 있어서, 성막된 중합체박막을 열처리하는 부분을 보유하는 것을 특징으로 하는 박막제조장치.
  18. 제16항 또는 제17항에 있어서, 모노머가스가 폴리아세틸렌, 폴리피롤, 폴리티오펜 및 이들의 유도체에서 선택되는 폴리머를 중합할 수 있는 모노머를 주성분으로 하는 것을 특징으로 하는 박막제조장치.
  19. 제16항 내지 제18항중 어느 한 항에 있어서, 모노머가스가 아세틸렌 또는 치환아세틸렌을 주성분으로 하는 것을 특징으로 하는 박막제조장치.
  20. 제19항에 있어서, 치환아세틸렌이 시아노아세틸렌, 메틸아세틸렌, 페닐아세틸렌 및 플로로아세틸렌에서 선택되는 것을 특징으로 하는 박막제조장치.
  21. 제16항 내지 제20항중 어느 한 항에 있어서, 촉매가 아민화합물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막제조장치.
  22. ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930701111A 1991-08-13 1992-08-12 2층구조레지스트의 제조방법 및 제조장치 KR930702702A (ko)

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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0773479A1 (en) * 1995-11-13 1997-05-14 Motorola, Inc. Method of polymer conversion and patterning of a PPV derivative
EP1007349B1 (en) * 1995-11-22 2004-09-29 THE GOVERNMENT OF THE UNITED STATES OF AMERICA, as represented by THE SECRETARY OF THE NAVY Patterned conducting polymer surfaces and process for preparing the same and devices containing the same
JP4247643B2 (ja) * 2004-03-16 2009-04-02 日産化学工業株式会社 硫黄原子を含有する反射防止膜
JP4507759B2 (ja) * 2004-08-18 2010-07-21 株式会社リコー 有機材料のパターン形成方法
US7375172B2 (en) * 2005-07-06 2008-05-20 International Business Machines Corporation Underlayer compositions containing heterocyclic aromatic structures
JP4843710B2 (ja) 2007-03-20 2011-12-21 富士通株式会社 導電性反射防止膜形成用材料、導電性反射防止膜の形成方法、レジストパターン形成方法、半導体装置、及び磁気ヘッド

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5643220A (en) * 1979-06-25 1981-04-21 University Patents Inc Method of using novel nonlinear optical substance and diacetylenes
DE3277759D1 (en) * 1981-09-18 1988-01-07 Fujitsu Ltd Semiconductor device having new conductive interconnection structure and method for manufacturing the same
JPS5866938A (ja) * 1981-10-19 1983-04-21 Hitachi Ltd 遠紫外光感応材料被膜の形成方法
US4617252A (en) * 1983-07-01 1986-10-14 Philip A. Hunt Chemical Corporation Antireflective coatings for use in the manufacture of semi-conductor devices, methods and solutions for making such coatings, and the method for using such coatings to absorb light in ultraviolet photolithography processes
US4535053A (en) * 1984-06-11 1985-08-13 General Electric Company Multilayer photoresist process utilizing cinnamic acid derivatives as absorbant dyes
JPS61231011A (ja) * 1985-04-08 1986-10-15 Agency Of Ind Science & Technol アセチレン誘導体を原料とする重合体の製造方法
JPS62108244A (ja) * 1985-11-06 1987-05-19 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> ２層用ポジ型感光性組成物及びパタ−ン形成方法
JPS63155044A (ja) * 1986-12-19 1988-06-28 Fujitsu Ltd レジストパタ−ン形成方法
JPS6444927A (en) * 1987-08-13 1989-02-17 Oki Electric Ind Co Ltd Resist pattern forming method
JP3028816B2 (ja) * 1988-03-02 2000-04-04 アジレント・テクノロジーズ・インク フォトレジストシステムおよびフォトエッチング方法
JPH02103547A (ja) * 1988-10-13 1990-04-16 Fujitsu Ltd 導電性層の形成方法
JPH03261953A (ja) * 1990-03-13 1991-11-21 Fujitsu Ltd 微細パターンの形成方法

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JP3019506B2 (ja) 2000-03-13
DE69223233T2 (de) 1998-04-16

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