KR930003676B1 - 액정표시소자의 화소 스위칭장치 - Google Patents
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내용 없음.
Description
제 1 도는 종래 액정표시소자의 화소스위칭 장치의 개략적 발췌 단면도.
제 2 도는 본 발명에 따른 액정표시소자의 화소스위칭 장치의 개략적 발췌 단면도.
제 3 도는 제 2 도 A부분에 해당되는 도면으로서 본 발명의 다른 실시예의 발췌 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
10 : 기판 20 : 박막트랜지스터
21 : 게이트전극 22 : 반도체층
23 : 오믹층 24 : 드레인전극
25 : 소오스전극 26 : 절연층
27,27a,27b : 화소전극
본 발명은 액정표시소자의 화소스위칭 장치에 관한 것으로서, 특히 화소전극의 구조가 개량된 것에 관한 것이다.
일반적으로 화상표시용 액정표시소자는 X-Y매트릭스 구동방식의 다수화소를 가지는데 상기 화소는 제 1 도에 도시된 바와 같이, 기판(10)상에 형성되는 박막트랜지스터(20)와, 이의 드레인전극(24)에 접속되는 화소전극(27)을 구빈한다.
이상과 같은 박막트랜지스터(20)와 화소전극(27) 그 최상위의 배향막(oriention layer ; 30)에 의해 절연되는데, 상기 박막트랜지스터(20)는 최하위의 게이트전극(21)으로 부터 절연층(26), 반도체층(22)이 순차적층되고, 상기 반도체층(22)의 표면 양측에는 오믹층(23)(23)을 통하여 소오스전극(25)과 드레인전극(24)이 적층되는 구조를 가지며, 상기 회소전극(27)은 박막트랜지스터(20)의 일측(도면에서 오른쪽)에 위치되어 상기 드레인전극(24)과 부분적으로 중첩되어 전기적으로 접속된다.
이상과 같은 구조의 화소를 가지는 종래 형광표시관은 상기 화소전극(27)과 드레인전극(24)간의 접촉불량에 의한 불양화가 빈번히 초래되게 되는데, 이는 상기 드레인전극(24)과 화소전극(27)의 소재가 다르기 때문에 주로 발생되며 경우에 따라서는 화소전극의 자체결합에 의해서도 야기된다.
그러나 구조적으로 상기 화소전극(27)은 빛이 투과하여야 하는 관계로 투광성을 가지는 재료, 예를들면 ITO로 형성되어야 하는 제한을 받기 때문에 금속을 소재로 하는 드레인전극과는 별도로 ITO막을 그대로 사용되면서도 이들간의 접촉불량을 최소화할 수 있는 방안이 모색될 필요가 있다.
본 발명은 화소전극과 드레인 전극간의 접촉결함을 효과적으로 보상할 수 있도록 된 액정표시소자의 화소스위칭 장치를 제공함에 그 목적이 있다.
상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 게이트전극, 절연층, 반도체층, 소오스전극, 드레인전극을 포함하는 박막트랜지스터와, 상기 박막트랜지스터에 이웃하여 형성되어 상기 드레인전극과 전기적으로 접속되는 화소전극이 기판상에 형성되도록 된 액정표시소자의 화소스위칭 장치에 있어서, 상기 화소전극이 제 1 화소전극과 제 2 화소전극으로 구분형성되되, 상기 제 1 화소전극과 제 2 화소전극이 상기 절연층을 개재하여 결리된 채 위치되며, 절연층의 저부에 위치된 제 1 화소전극은 상기 절연층에 마련된 스루우홀을 통하여 상기 드레인전극과 전기적으로 직접 접속된 상기 제 2 화소전극 또는 상기 드레인전극에 전기적으로 접속되도록 하여 된 점에 그 특징이 있다.
이하 첨부된 도면중 제 2 도를 참조하여서 본 발명의 한 실시예를 상세히 설명한다.
본 발명의 화소스위칭 장치는 제 2 도에 도시된 바와 같이, 기판(10)상에 인접되게 형성되는 박막트랜지스터(20)와 화소전극(27)을 구비한다. 상기 박막트랜지스터(20)는 일반적인 것과 마찬가지로 기판(10)상의 최하위층의 게이트전극(21)과, 이의 상부의 절연층(26)과 절연층(22) 상부의 반도체층(22)과, 반도체층(22)표면 양측의 소오스전극(25)과 드레인전극(24), 상기 반도체층(22)과, 소오스전극(25) 및 반도체층(22)과 드레인 전극(24)들의 사이에 개재되는 오믹층(23)(23)으로 구성된다. 그리고 상기 화소전극(27)은 상기 절연층(26)을 사이에 둔 제 2 화소전극(27a)과 제 2 화소전극(27b)으로 구성되는데, 이들 양화소전극(27a)(27b)은 상기 절연층(26)에 형성된 스루우 홀(26a)을 통하여 접촉된다. 이때에 상기 제 2 화소전극 (27b)는 상기 드레인전극(24)와 부분적으로 중첩되어 전기적으로 접속된다. 그리고 이상과 같은 구조의 박막트랜지스터(20)와 화소전극(27)의 상부에 배향막(30)이 전체적으로 적층형성된다.
이상과 같은 구조를 가지는 본 발명의 화소의 스위칭 수단에 있어서는 2중의 화소전극을 가짐으로써 일측의 화소전극에 결함이 발생되어 타측의 화소전극에 의해 보상되게 된다. 즉, 본 발명에 있어서는 상호보완적 관계를 가지는 제 1 화소전극과 제 2 화소전극을 가진다는 점에 그 특징이 있는데, 화소전극과 드레인전극간의 접촉불량을 감안하여서는 제 3 도에 도시된 바와 같은 형태로 형성될 수 있다. 즉, 제 1 화소전극(27a)과 제 2 화소전극(27b)은 서로 엇갈리게 형성되고 이들 사이에 개재된 절연층(26)에는 상기 제 2 화소전극(27b)이 형성되지 않은 드레인전극(24)의 저부로 형성되어 스루우홀(26b), 드레인전극(24)과 제 1 화소전극(27a)이 직접 접촉된다. 그리고 상기 드레인전극(24)은 상기 제 2 화소전극(27b)의 가장자리 부위에도 일부 중첩되어 이와 전기적으로 직접 접속되게 된다.
이상에서와 같이 본 발명은 화소전극의 이중으로 형성하여, 화소전극과 드레인전극의 접속부위에서의 결함을 상호 보완적인 관계를 통하여 해소하도록 하는 것인바, 결과적으로는 제품을 불량률을 크게 저감하게 된다.
Claims (1)
- 게이트전극, 절연층, 반도체층, 소오스전극, 드레인전극을 포함하는 박막트랜지스터와 ; 상기 박막트랜지스터와 이웃하여 형성되어 상기 드레인전극과 전기적으로 접속되는 화소전극이 기판상에 형성되도록 된 액정표시소자의 화소스위칭 장치에 있어서, 상기 화소전극이 제 1 화소전극과 제 2 화소전극으로 형성되되, 상기 제 1 화소전극과, 제 2 화소전극이 상기 절연층에 의해 격리된 채 위치되며, 상기 절연층의 저부에 위치된 제 1 화소전극은 상기 절연층에 마련된 스루우 홀을 통하여 상기 드레인전극과 전기적으로 직접 접속된 상기 제 2 화소전극 또는 상기 드레인전극에 전기적으로 접속되도록 하여 된 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 화소스위칭 장치.
Priority Applications (1)
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KR1019900017771A KR930003676B1 (ko) | 1990-11-02 | 1990-11-02 | 액정표시소자의 화소 스위칭장치 |
Applications Claiming Priority (1)
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KR1019900017771A KR930003676B1 (ko) | 1990-11-02 | 1990-11-02 | 액정표시소자의 화소 스위칭장치 |
Publications (2)
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KR920010333A KR920010333A (ko) | 1992-06-26 |
KR930003676B1 true KR930003676B1 (ko) | 1993-05-08 |
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ID=67739303
Family Applications (1)
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KR1019900017771A KR930003676B1 (ko) | 1990-11-02 | 1990-11-02 | 액정표시소자의 화소 스위칭장치 |
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TW295652B (ko) * | 1994-10-24 | 1997-01-11 | Handotai Energy Kenkyusho Kk |
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1990
- 1990-11-02 KR KR1019900017771A patent/KR930003676B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
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KR920010333A (ko) | 1992-06-26 |
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