KR930003446A - Method of manufacturing semiconductor light emitting device - Google Patents

Abstract

내용 없음.No content.

Description

반도체 발광소자 제조방법Method of manufacturing semiconductor light emitting device

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음Since this is an open matter, no full text was included.

제3도는 본 발명에 따른 반도체 발광소자의 구조도,3 is a structural diagram of a semiconductor light emitting device according to the present invention;

제4도 (가) 및 (라)는 제3도의 제조공정의 흐름도.4 (a) and (d) are flowcharts of the manufacturing process of FIG.

Claims (1)

GaAs기판(1)위에 발광다이오드 클래드층, 레이저 다이오드 버퍼층인 제1도전형의 Al_xa_1-xAs층(2), 발광다이오드 활성층, 레이저 다이오드 클래드층인 제1도전형의 Al_xa₁-_xAs(3), 레이저 다이오드 활성층인 제1도전형의 Al_xa₁-_xAs(4), 레이저 다이오드 클래드층인 제2도전형의 Al_xa₁-_xAs(5)을 차례로 성장하고 포토공정을 통해 발광다이오드 활성층인 Al_xa₁-_xAs(3)의 일부분까지 화학 에칭을 하고 난 뒤에 레이저 다이오드의 클래드층인 Al_xa₁-_xAs(6)을 성장시킨 다음 발광다이오드와 레이저 다이오드를 분리하는 화학 에칭을 행한 후 발광다이오드와 레이저 다이오드의 제2도전형의 클래드층 상부와 기판 하부에 전극을 형성한 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조방법.Emission over a GaAs substrate 1, a diode-cladding layer, of the first conductivity type laser diode buffer layer Al _x a _1-x As layer (2), a light emitting diode active layer, a laser diode cladding layer of a first conductivity type Al _x a ₁ - _x As (3), a laser diode active layer of a first conductivity type Al _x a _1, - _x As (4), the laser diode cladding layer of the second conductivity type Al _{x a. 1} - _x As and then growing a 5 After chemical etching to a part of Al _x a ₁ - _x As (3) which is a light emitting diode active layer through a photo process, Al _x a ₁ - _x As (6), which is a cladding layer of a laser diode, is grown, and then a light emitting diode And performing a chemical etching for separating the laser diode, and then forming an electrode on the cladding layer and the lower substrate of the second conductive type of the light emitting diode and the laser diode. ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.