KR920022298A - 레벨 변환 출력 회로 - Google Patents

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KR920022298A
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다다히꼬 스기바야시
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원본미기재
니뽄 덴끼 가부시끼가이샤
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    • G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
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Abstract

내용 없음.

Description

레벨 변환 출력 회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도 및 5도는 본 발명에 따른 제1의 양호한 실시예의 레벨 변환 출력 회로내에 제각기 이용된 레벨 변환 회로를 도시한 회로도.

Claims (3)

  1. 제1전원 공급에 의해 동작하는 예정된 회로로부터 입력 신호가 공급되는 제1 및 제2 레벨 변환 회로, 소스-드레인 경로에서 제1전원 공급보다 높은 전압을 공급하는 제2 전원 공급에 접속되고, 게이트에서 제1레벨 변환회로의 출력에 접속되며, 소스-드레인 경로에서 출력 단자에 접속된 제1 MOS 트랜지스터와, 소스-드레인 경로에서 접속되고, 게이트에서 제2 레벨 변환 회로의 출력에 접속되며, 소스-드레인 경로에서 제1MOS 트랜지스터에 공동인 출력 단자에 접속된 제2MOS 트랜지스터를 포함하는데, 상기 제1 레벨 변환 회로는 제1 전원 공급과 접지 사이에서 동작하는 제1CMOS 인버터, 제2 전원 공급과 접지 사이에서 동작하는 제2 CMOS인버터와, 소스에서 제2전원 공급에 접속되고, 드레인에서 제2 CMOS 인버터의 P-MOS 트랜지스터의 게이트에 접속되며, 게이트에서 출력 단자에 접속된 P-MOS 트랜지스터를 포함하는 레벨 변화 출력 회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 레벨 변환 출력 회로는 게이트에서 상기 제1전원 공급에 접속되고, 소스-드레인 경로에서 상기 제1 CMOS인버터의 P-MOS 트랜지스터의 드레인과 상기 제2 CMOS인버터의 상기 P-MOS 트랜지스터의 상기 게이트 사이에 접속된 n-MOS 트랜지스터를 포함하는 레벨 변환 출력 회로.
  3. 제1 전원 공급에 의해 동작하는 예정된 회로로부터 입력 신호가 공급되는 제1 및 2레벨 변환 회로, 소스-드레인 경로에서 제1전원 공급보다 높은 전압을 공급하는 제2 전원 공급에 접속되고, 게이트에서 제1레벨 변환 회로의 출력에 접속되며, 소스-드레인 경로에서 출력 단자에 접속된 제1 MOS 트랜지스터와, 소스-드레인 경로에서 접속되고, 게이트에서 제2레벨 변환 회로의 출력에 접속되며, 소스-드레인 경로에서 제1 MOS 트랜지스터에 공동인 출력 단자에 접속된 제2 MOS 트랜지스터를 포함하는데, 상기제2레벨 변환 회로는 상기 제1 전원 공급과 상기 접지 사이에서 동작하도록 케스케이드-접속된 제1 및 2 인버터를 포함하는 레벨 변환 출력 회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920008273A 1991-05-17 1992-05-16 레벨 변환 회로 KR970001697B1 (ko)

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JP91-141333 1991-05-17

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