KR920022029A - Mim형 소자 어레이 및 이러한 어레이를 형성하는 표시 소자 제조 방법 및 능동 메트릭스 어드레스드 표시 소자 - Google Patents

Mim형 소자 어레이 및 이러한 어레이를 형성하는 표시 소자 제조 방법 및 능동 메트릭스 어드레스드 표시 소자 Download PDF

Info

Publication number
KR920022029A
KR920022029A KR1019920008151A KR920008151A KR920022029A KR 920022029 A KR920022029 A KR 920022029A KR 1019920008151 A KR1019920008151 A KR 1019920008151A KR 920008151 A KR920008151 A KR 920008151A KR 920022029 A KR920022029 A KR 920022029A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
layers
substrate
array
pad electrode
Prior art date
Application number
KR1019920008151A
Other languages
English (en)
Inventor
마신 샤넌 존
Original Assignee
프레데릭 얀 스미트
엔. 브이. 필립스 글로아이람펜파브리켄
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 프레데릭 얀 스미트, 엔. 브이. 필립스 글로아이람펜파브리켄 filed Critical 프레데릭 얀 스미트
Publication of KR920022029A publication Critical patent/KR920022029A/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/1365—Active matrix addressed cells in which the switching element is a two-electrode device
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

내용 없음.

Description

MIM형 소자 어레이 및 이러한 어레이를 형성하는 표시 소자 제조 방법 및 능동 메트릭스 어드레스드 표시 소자
제1도는 행 및 열 어드레스 전도체 사이에 MIM형 소자형태인 두 단자의 비선형 스위칭 소자와 직렬로 각각 연결되는 다수 화소들을 도시한 일부의 액정 표시 소자를 도시하는 개략 회로도,
제2도와 제3도는 각각 표시소자의 일실시예 부분의 평면도와 제2도의 Ⅲ- Ⅲ선을 따라 절취한 단면도,
제4a내지 4g도는 표시 소자의 기판상에 전형적인 MIM형 소자와 어드레스 전도체 및 패드전극을 제조하는 여러단계를 예시하는 단면도,
제5도는 하나의 제조 단계에서 표시 소자의 기안부분을 도시하는 평면도,
제6도는 MIM헝 표시 소자를 나타내는 등가회로도,
제7a 내지 7d도는 변형된 방법을 사용하여 MIM형 소자, 어드레스 전도체와 패드전극을 제조하는 여러단계를 나타내는 도면.

Claims (11)

  1. 공통기판상에서 어드레스 전도체와 적어도 하나의 MIM형 소자를 통하여 그와 관련된 상기 어드레스 전도체에 연결되는 패드 전극과 더불어 MIM형 소자의 어레이를 제조하는 방법으로서, 기판 표면상에 선택적으로 에칭 가능한 전도성 물질의 제1층과 상기 제1층에 중첩하는 선택적으로 에칭 가능한 상이한 제2층을 제공하는 단계와; 마스크를 이용하여 상기 제1 및 제2층을 패턴하여 상기 패드 전극 및 어드레스 전도체들과 상기 각 패드 전극과 그와 관련된 어드레스 전도체를 브릿지하는 비교적 좁은 부분을 형성하는 두층구조의 영역을 남기는 단계와; 상기 제1 및 제2층과는 상이한 선택적으로 에칭 가능한 제3층을 침착하여 상기 두층구조의 영역과 그 사이 영역을 피복하는 단계와; 선택적 에칭을 행하여 중첩하는 물질을 리프트 오프한 채로 상기 브릿지 부분에서의 제1 및 제2층 부분을 제거함으로써 기판의 하부표면 영역을 노출시키는 단계와; 상기 기판상에 각각의 절연 물질 및 전도물질을 구비하는 제4 및 제5층을 연속하여 침착하는 단계와; 선택적 에칭으로 상기 중첩 물질과 더불어 상기 제2 및 제3창의 남은 영역을 제거하여 패드 전극과 어드레스 전도체를 구성하는 제1층 영역과 상기 기판의 상기 표면상의 각 패드 전극과 그와 연관된 어드레스 전도체 사이에서 연장하는 중첩된 제4 및 제5층 물질의 브릿지를 제거함으로서 패드전극이 어드레스 전도체에 연결되는 MIM형 소자를 형성하는 단계를 구비하는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 브릿지 부분에서의 제1 및 제2층 부분과 중첩 물질을 제거하는 선택적 에칭과 리프트 오프단계는, 각 브릿지 부분에서 제3층과 중첩하는 리프트 오프 부분인 불연속 부분을 제2층내에 헝성하기 위하여 상기 제2층의 물질을 선택적으로 에칭하는 단계와 상기 불연속 부분에 의해 노출된 상기 제1층 부분을 에칭으로 제거하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 포토레지스트층이 상기 두층상에서 패턴하는 과정에 사용되고 이러한 공정에 의해 형성된 상기 두층구조의 나머지 영역을 피복하는 상기 포토레지스트층의 영역은 제3, 제4 및 제5층을 침착하는 동안 제위치에 그대로 남아 있으며, 그후 상기 포토레지스터층은 제거되어 제2층의 하부영역 표면을 노출하는 것을 특징으로 하는 방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 선택적 에칭 및 리프트 오프를 행하여 불연속 부분을 형성하고 상기 브릿지 부분에서 제1층의 부분을 제거하는 단계를 수행한 후 제4층을 침작하는 단계를 행하기 전에 상기 제2층의 물질을 더 선택적 에칭하여 상기 불연속 부분의 단부들에 인접한 제2층의 또다른 부분이 제거됨으로서 상기 불연속 부분의 대향 단부들에서 상기 제1층 영역의 각 상부표면 에지부분을 노출하는 것을 특징으로 하는 방법.
  5. 제4항에 있어서, 패턴 과정에 의해 형성된 상기 두층구조의 브릿지 부분영역의 단부들은 상기 브릿지 부분의 중앙 부분에 비해 폭이 증가되는 것을 특징으로 하는 방법.
  6. 제4항 또는 제5항에 있어서, 상기 제4 및 제5층이 침착된 후 제2층과 동일한 물질의 제6층이 기판상에 침착되고. 상기 중첩물질의 리프트 오프부분을 가지는 레지스트물질을 제거하는 단계를 수행한 이후 잔존하는 제2 및 제3층 영역을 제거하는 단계의 수행전에 금속이면서 상기 제1, 제2, 제3층 물질과 상이한 제7층을 기판상에 침착하는 것을 특징으로 하는 방법.
  7. 상기 청구항들중의 어느 한 항에 있어서, 상기 제1층은 투명한 전도물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 방법.
  8. 상기 청구항들중의 어느 한 항에 있어서, 상기 제2, 제3 및 제5층은 각각 금속으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 방법.
  9. 두개의 이격된 기판들이 마주보는 표면에 부착된 제1 패드 전극과 제2 반대 전극을 각각 구비하는 화소의 메트릭스를 구비하며, 상기 기판들은 그들 사이에 전기 광학 물질을 가지며, 각각의 상기 화소의 패드 전극은 최소한 하나의 MIM형 소자를 하나의 기판 지지부상에 한 세트의 어드레스 전도체들중의 관련된 하나의 어드레스 전도체에 연결되는 능동 메트릭스 어드레스 표시 소자가 MIM형 소자와 상기 세트의 어드레스 전도체들 및 패드 전극들이 상기 하나의 기판상에서 상기 제1항 내지 8항중의 어느 한 항의 방법으로 제조되는 것을 특징으로 하는 능동 메트릭스 어드레스드 표시 소자.
  10. 제9항에 있어서, 상기 전기 광학 물질은 액정 물질인 것을 특징으로 하는 능동 메트릭스 어드레스드 표시소자.
  11. ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920008151A 1991-05-17 1992-05-14 Mim형 소자 어레이 및 이러한 어레이를 형성하는 표시 소자 제조 방법 및 능동 메트릭스 어드레스드 표시 소자 KR920022029A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB919110737A GB9110737D0 (en) 1991-05-17 1991-05-17 Method of fabricating mim type device arrays and display devices incorporating such arrays
GB9110737.5 1991-05-17

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR920022029A true KR920022029A (ko) 1992-12-19

Family

ID=10695191

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019920008151A KR920022029A (ko) 1991-05-17 1992-05-14 Mim형 소자 어레이 및 이러한 어레이를 형성하는 표시 소자 제조 방법 및 능동 메트릭스 어드레스드 표시 소자

Country Status (7)

Country Link
US (1) US5258864A (ko)
EP (1) EP0513911B1 (ko)
JP (1) JPH07168207A (ko)
KR (1) KR920022029A (ko)
AT (1) ATE126398T1 (ko)
DE (1) DE69203948T2 (ko)
GB (1) GB9110737D0 (ko)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19538128C1 (de) * 1995-10-13 1997-02-27 Lueder Ernst Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Schaltelementes
US6704133B2 (en) 1998-03-18 2004-03-09 E-Ink Corporation Electro-optic display overlays and systems for addressing such displays
US7075502B1 (en) 1998-04-10 2006-07-11 E Ink Corporation Full color reflective display with multichromatic sub-pixels
US6473072B1 (en) 1998-05-12 2002-10-29 E Ink Corporation Microencapsulated electrophoretic electrostatically-addressed media for drawing device applications
US7202847B2 (en) 2002-06-28 2007-04-10 E Ink Corporation Voltage modulated driver circuits for electro-optic displays
CN1323321C (zh) * 2003-06-30 2007-06-27 高通Mems科技公司 光干涉式显示单元的制造方法
CN1308764C (zh) * 2003-07-18 2007-04-04 高通Mems科技公司 光干涉式显示器面板及其制造方法
CN100367080C (zh) * 2003-08-27 2008-02-06 高通Mems科技公司 光干涉式显示面板以及其制造方法
US20080296562A1 (en) * 2007-05-31 2008-12-04 Murduck James M Methods and apparatus for fabricating carbon nanotubes and carbon nanotube devices
CN102971784B (zh) * 2010-07-02 2016-08-03 株式会社半导体能源研究所 液晶显示装置及驱动液晶显示装置的方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4396458A (en) * 1981-12-21 1983-08-02 International Business Machines Corporation Method for forming planar metal/insulator structures
JPS59131974A (ja) * 1983-01-18 1984-07-28 セイコーエプソン株式会社 液晶表示装置
DE3436527A1 (de) * 1984-10-05 1986-04-10 Vdo Adolf Schindling Ag, 6000 Frankfurt Multiplexbare fluessigkristallzelle
FR2579809B1 (fr) * 1985-04-02 1987-05-15 Thomson Csf Procede de realisation de matrices decommande a diodes pour ecran plat de visualisation electro-optique et ecran plat realise par ce procede
US4895789A (en) * 1988-03-29 1990-01-23 Seiko Instruments Inc. Method of manufacturing non-linear resistive element array
GB2244860A (en) * 1990-06-04 1991-12-11 Philips Electronic Associated Fabricating mim type device array and display devices incorporating such arrays

Also Published As

Publication number Publication date
ATE126398T1 (de) 1995-08-15
GB9110737D0 (en) 1991-07-10
DE69203948T2 (de) 1996-03-21
EP0513911B1 (en) 1995-08-09
DE69203948D1 (de) 1995-09-14
JPH07168207A (ja) 1995-07-04
EP0513911A1 (en) 1992-11-19
US5258864A (en) 1993-11-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100223153B1 (ko) 액티브 매트릭스 액정표시장치의 제조방법 및 액티브매트릭스액정표시장치
KR100248124B1 (ko) 박막트랜지스터액정표시장치및그제조방법
JP4131297B2 (ja) 液晶表示装置の製造方法
US5998230A (en) Method for making liquid crystal display device with reduced mask steps
JP2004341550A (ja) 液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法
KR960018698A (ko) 전극기판, 그 제조방법 및 이를 사용한 표시장치
KR0145902B1 (ko) 박막트랜지스터 액정디스플레이 소자의 저항부 및 그 제조방법
US7462516B2 (en) Liquid crystal display and method of manufacturing the same
KR980003736A (ko) 액정표시장치의 제조방법
KR920022029A (ko) Mim형 소자 어레이 및 이러한 어레이를 형성하는 표시 소자 제조 방법 및 능동 메트릭스 어드레스드 표시 소자
JP2004515045A (ja) 透明導電層の導電率の増大方法
JP4516518B2 (ja) 薄膜トランジスタを用いた液晶表示装置及びその製造方法
KR100233151B1 (ko) 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법
KR100222896B1 (ko) 액정 표시 장치의 전극 배선 형성방법
KR100690000B1 (ko) 액정표시소자 및 그 제조방법
KR100529555B1 (ko) 액정표시장치및그제조방법
KR0158642B1 (ko) 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
JP2006053567A (ja) Ｔｆｔ−ｌｃｄの画素構造及びその製造方法
US7006166B2 (en) Liquid crystal display having a member for preventing electrical shorting
KR100646780B1 (ko) 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR19990048366A (ko) 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법
JP2500231B2 (ja) 表示装置用基板
JP2629743B2 (ja) 薄膜トランジスタの製造方法
KR19990017668A (ko) 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 제조 방법
KR100206554B1 (ko) 박막 트랜지스터 액정 표시 장치의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application