KR920007848B1 - 저압증기상 성장장치 - Google Patents

저압증기상 성장장치 Download PDF

Info

Publication number
KR920007848B1
KR920007848B1 KR1019900001259A KR900001259A KR920007848B1 KR 920007848 B1 KR920007848 B1 KR 920007848B1 KR 1019900001259 A KR1019900001259 A KR 1019900001259A KR 900001259 A KR900001259 A KR 900001259A KR 920007848 B1 KR920007848 B1 KR 920007848B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
gas
window
gap
translucent
Prior art date
Application number
KR1019900001259A
Other languages
English (en)
Other versions
KR900013101A (ko
Inventor
시게루 미즈노
이사무 모리사꼬
Original Assignee
니찌덴 아넬바 가부시끼가이샤
야스다 스스무
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 니찌덴 아넬바 가부시끼가이샤, 야스다 스스무 filed Critical 니찌덴 아넬바 가부시끼가이샤
Publication of KR900013101A publication Critical patent/KR900013101A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR920007848B1 publication Critical patent/KR920007848B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
    • C23C16/481—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation by radiant heating of the substrate

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

내용 없음.

Description

저압증기상 성장장치
제1도는 본 발명의 저압증기상 성장장치의 실시예의 개략단면도.
제2도는 종래의 저압증기상 성장장치의 개략단면도이다.
본 발명은 감압하에 기판의 겉표면에 박막을 형성하기 위한 저압증기상 성장장치에 관한 것이다.
제2도는 직접 기판가열시스템을 구비한 종래의 저압증기상 성장장치의 개략 단면도인데, 여기서 기판(4) 주위의 모든 부재들은 회전식 대칭형으로 되어 있다.
이 종래장치에서, 기판(4)은 반응실(1)의 외부로 부터 이동되는 작동바아(120)로 상하로 구동되는 환상리프터(12)의 윗쪽에 제공된 환상의 투광성 고정 투울(7)에 의해 투광성 지지베드(5)의 겉표면(도면에서 하면)에 가압되어 고정된다. 반응성기체가 기체공급기(2)를 통해 반응실(1)로 공급되면서 기판(4)은 투광성 지지 베드(5)의 뒷쪽에 배치된 램프(6)에 의해 기판의 배면으로 부터 복사 가열된다. 반응성기체는 기판(4)의 겉표면(도면에서 하면)에서 화학반응하여 기판의 표면 위에 막을 성장시킨다. 미반응된 기체와 반응의 결과로 생성된 기체는 배출기(3)를 통해 배출된다.
투광성 지지 레브(5)를 저온에서 안정하게 유지할 목적으로 투광성 판(10)을 설정하여 판(10)과 투광성 지지 베드(5) 사이에 냉각실(8)을 제공한다. 냉각매체(물) (11)는 냉각실(8)을 통해 흐른다.
이 장치에서 기판(4)으로의 열의 공급은, 투광성지지베드(5)가 상기와 같은 방법으로 냉각되기 때문에, 램프(6)로 부터 기판위로 지향되어 있는 복사 에너지에 의해서만 실행된다.
기판(4)의 겉표면에서 성장하는 막의 두께와 품질의 균일성을 결정하는 요인은 기판(4)의 겉표면의 온도의 균일성이다. 열을 안정하고 균일하게 기판(4)에 공급하기 위해서는 뒷반사판(60)의 형상 뿐만 아니라 램프(6)의 위치와 형상에 있어서의 대칭성이 상기한 냉각실(8)의 형상에 있어서의 대칭성, 냉각매체(11)의 유입과 유출의 대칭과 균일성등을 확실히 하도록 적당히 설계되어야 한다.
그러나, 전술한 종래의 장치에서는 전술한 조건들이 기판(4)에의 복사열의 공급을 균일화하기 위해 모두 이상적으로 만족될지라도 기판(4)의 온도가 투광성 지지 베드(5)에 기판(4)을 고정시키기 위해 사용된 투광성 고정 투울(7) 둘레에서 국소적으로 낮아지는 문제가 있다.
이 문제는 전적으로 기판(4)과 투광성지지베드(5) 간의 온도와 열 전도도의 차이가 큰 것에 기인한다. 더 구체적으로는 단지 기판(4) 만이, 램프(6)에 의해 발생되어 투광성판(10), 냉각 매체(물) (11) 및 투광성 지지베드(5)를 통해 투과되는 복사 에너지로 가열되어 온도가 증가하기 때문에 기판(4)과 투광성 지지베드(5)간의 온도차이가 발생되는 불가피한 경향이 있다. 구체적으로, 기판(4)의 온도는 투광성 지지 베드(5) 보다 훨씬 더 높게 올라간다. 투광성 지지베드(5)는 상기와 같이 항상 냉각되기 때문에 기판(4)과 투광성 지지베드(5)간의 온도차이는 더 커진다. 기판(4)에서 막형성온도가 더높게 설정될수록 상기한 차이는 더 커진다. 따라서, 확대된 온도차이로 인해 기판(4)의 배면으로 부터 투광성 지지베드(5)로 향하는 열유동은 증가된다.
이 열유동은 전적으로 두종류의 열 조건, 즉 기판(4)과 투광성 지지베드(5) 사이에 존재하는 기체를 통한 열전도와 그것들 간의 직접적인 접촉영역을 통한 열전도에 의해 일어난다.
＂존재된 기체를 통한 열전도＂를 먼저 설명하기로 한다. 현미경상에서 고르지못한 기판(4)의 배면과 현미경상에서 고르지못한 투광성 지지베드(5)의 겉표면에 의해 획정되는 틈은 일반적으로 최대 폭이 1㎛이다. 그러므로, 기판(4)과 투광성 지지베드(5) 사이에 존재하는 기체는 증기상 성장에 사용되는 통상의 압력범위 내의 분자 유동의 상태에 있다. 따라서, ＂존재된 기체를 통한 열전도＂의 속도는 기판(4)과 투광성 지지베드(5) 간의 ＂온도차＂와 ＂존재된 기체의 분자수＂ 둘다에 비례한다. 이 열전도율은 기판(4)의 배면 전반에 거쳐 균일한 것으로 생각된다.
이제 기판(4)과 투광성 지지베드(5) 간의 ＂접촉영역을 통한 열전도＂를 설명하기로 한다. 이 종류의 열전도 속도는 ＂그들간의 온도차＂와 ＂유효 접촉영역(effective contact area)＂ 둘다에 비례한다. 이 ＂유효 접촉영역＂은 기판(4)과 투광성 지지베드(5) 간의 접촉압력을 증가시킴에 따라 증가한다.
종래장치에서 투광성 고정 투울(7) 둘레의 기판(4)의 국부적 온도저하는 특히 투광성 고정투울(7) 둘레의 기판(4)과 투광성 지지베드(5) 사이의 유효 접촉 영역의 증가의 결과로서, 상기의 ＂접촉 영역을 통한 열전도＂를 통한 열유동율의 국부적인 증가에 기인한 것으로 생각되며, 유효접촉 영역의 증가는 투광성 고정투울(7)에 의하여 가해진 접촉압력에 의해 야기된다.
더욱이, 투광성 고정투울(7)에 의한 가압은 또한 고정 투울(7) 자체와 기판(4) 간의 유효 접촉영역을 증가시켜 기판(4)으로부터 고정 투울(7)로의 열유동의 증가를 야기하는데, 이것은 또한 고정투울(7) 둘레의 기판(4)의 국부적 온도저하에 기인한다.
본 발명을 요약하면 다음과 같다.
본 발명의 목적은 전술한 문제들을 해결하여 이로써 기판의 균일한 온도 분포를 실현할 수 있는 저압증기상 장치를 제공하여 이로써 기판에 성장된 막의 특성의 균일성을 실현하는 것이다.
상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 장치는 다음의 구조를 갖는다. 종래장치에서 투광성지지베드에 해당하며 투광성 물질로 이루어진(에너지의 흡수없이 에너지를 전도하며 그것을 통해 복사선을 투과할 수 있는) 투광성, 에너지 전도성 창(이하 투광성 창이라함) 반응성기체를 공급하기 위한 기체 공급기, 화학반응후 기체를 뽑아내기 위한 배출기, 복사선을 방출하여 투광성 창을 통해 투과시킴으로써 기판의 복사가열을 실행하기 위한 램프, 그리고 투광성창을 강제 냉각시키기 위한 냉각기구(cooling mechanism)로 이루어지는 저압증기상 성장장치에 있어서, 기체공급기를 통해 공급된 반응성기체가 기판의 겉표면에 화학반응하여 그 위에 박막을 형성하며, 기판과 투광성 창은 그들간의 틈이 기꺼해야 이 틈에 존재하는 기체의 평균자유 행로 폭을 가지면서 상호 접촉없이 유지되는 것을 특징으로 한다.
비활성 기체가 상기한 틈에 존재하는 기체로서 바람직하게 사용된다. 전술한 본 발명의 저압증기상 성장 장치에 있어서, 기판은 종래장치에서와 같이 투광성 창의 뒷쪽에 배치된 램프로부터 방출된 복사선으로 직접 가열되어 온도가 상승된다. 그러나, 냉각되는 투광성창과 기판이 상호접촉된 영역을 갖지 않기 때문에 기판으로 부터 투광성창으로의 열유동은 전부 그들간에 존재하는 ＂기체를 통한 열전도＂를 통해서 일어난다.
따라서, 기체를 통한 열전도가 기판의 반경방향으로 균일하게 실행될때 기판의 온도분포의 균일성이 실질적으로 확보된다. 공지된 바와 같이, ＂기체를 통한 열전도＂는 기판과 투광성창 간의 온도차이와 그들간의 틈에 존재하는 기체 분자의 수에 비례하고 기판과 투광성창간의 거리가 기체의 평균 자유행로와 대략 같거나 더 작아 기체를 분자유동의 상태로 가져올 때 기판과 투광성창간의 거리(틈의 폭)에 무관하다.
그러므로 이러한 경우에, 기판과 투광성창 간의 틈의 폭의 불균일성은 전혀 문제가 되지 않으며 따라서 실질적인 어떠한 불균일한 열유동율에 대한 염려가 없다. 따라서, 기판의 온도분포는 그 표면을 가로질러 전반적으로 균일하게 유지된다.
본 발명의 전술한 목적과 다른 목적들 및 이점은 첨부도면과 관련하여 기술되는 다음 설명을 참고로 더 잘 이해될 것이다.
제1도는 본 발명의 저압증기상 성장장치의 실시예의 개략단면도이다.
제1도에서 제2도와 같은 참고번호는 실질적으로 제2도에서와 같은 구성 부재를 나타낸다. 제2도에서와 같이, 기판(4)은 반응실(1)의 외부로부터 이동되는 작동바아(120)에 의해 상하로 구동되는 환상리프트(12)의 윗쪽에 제공된 환상의 투광성 고정 투울(7)에 겉표면이 아래로 향하면서 가볍게 놓여 있다. 기판(4)과 투광성 창(5)은 상호 접촉없이 유지된다. 이 투광성 창은 예컨대 투명한 수정으로 이루어져 있다. 기판(4)과 창(5)간의 틈의 폭은 틈에 존재하는 기체의 평균자유행로와 대략같거나 더 작도록 설정된다.
더 구체적으로는, 틈에 존재하는 기체가 예를 들어 0.1Torr의 압력을 갖는 Ar일때, 기판(4)과 투광성 창(5) 간의 틈은 Ar원자의 평균자유행로가 약 1㎜이기 때문에 최대 폭의 영역에 있어서도 폭이 기껏해야 약 1㎜가 되도록 설정된다. 기판(4)의 배면에서 막이 성장하는 것을 방지할 목적으로 틈에 존재하는 기체로서 상기한 Ar기체와 같은 정화(purge) 기체를 사용하는 것이 이상적이다. 제1도에 나타낸 장치는 투광성 고정 투울(7) 뿐만 아니라 투광성 창(5)과 기판(4) 간의 틈으로 정화기체를 공급할 수 있는 기체공급구(9)를 갖추고 있다.
틈에 사용되는 정화기체의 생각할 수 있는 예들은 상기한 Ar기체뿐만 아니라 He, Ne 기체와 같은 다른 비활성 기체와 N2기체를 포함한다. 어떤 경우에는 기판(4)과 투광성창(5) 간의 거리가 계산을 통해 기껏해야 기체의 평균자유행로가 되도록 설정되는 것이 필요하다.
이 실시예에서 기판(4)은 종래 장치에서와 같이 고정투울(7)에 놓여 있다. 기판(4)의 고정 투울(7)과의 접촉이 기판(4)으로부터 고정 투울(7)로 약간의 열의 누출을 일으키지만, 고정투울(7)이 종래기술과 같이 기판에 가압되어 있지 않기 때문에 종래장치에서 보다 유효 접촉영역은 훨씬 더 작다. 이것은 종래장치와 비교하여 그들간의 접촉을 통한 기판(4)으로부터 고정투울(7)로의 열유동을 크게 감소시킨다. 그러므로, 기판(4)과 고정 투울(7)간의 접촉은 기판(4)의 온도분포의 균일성을 인식할만큼 손상시키지는 않는다.
감압하의 기판상의 증기상성장 방법은 종래장치에서와 같다. 구체적으로, 기판(4)은 기체공급기(2)를 통해 반응성기체를 공급받으면서, 뒤쪽에 배치된 램프(6)로부터의 복사에너지로 가열된다. 이와 같이하여 기판(4)의 겉 표면에 막이 성장하게 된다. 미반응성기체와 반응의 결과로 생성된 기체는 배출기(3)를 통해 배출된다.
기판의 겉표면에 피막이 형성될때 기판과 투광성, 에너지 전도성 창 사이에 공급되는 정화기체는 기판의 온도분포의 균일성을 확보하도록 할 뿐만 아니라, 반응성기체가 기판의 배면으로 유입되지 못하도록하여 기판 배면에 박막이 형성되는 것을 방지하는데 그 이유는 다음과 같다.
즉, 정화기체의 일부는 기판과 투광성 창 사이에 유입되어 잔류하고, 정화기체의 나머지 부분은 반응실내로 유입되며 이때 상기 정화기체의 나머지 부분은 항상 반응실내로 유입되고 있으므로 반응성기체의 상기 틈으로의 유입이 저지되며 정화기체의 나머지 부분은 반응실내의 반응성기체, 미반응성기체 및 반응결과로 생성된 부산물과 함께 배출기를 통해 배출되기 때문이다. 종래장치에서와 같이, 투광성창(5)을 저온으로 한정하게 유지시키기 위하여 투광성 창(5)은 냉각실(8)을 통해 흐르는 냉각매체(11)로 냉각된다.
이 실시예의 장치에서, 기판(4)의 온도가 투광성 고정투울(7) 둘레에서 국소적으로 저하되는 전술한 종래 장치의 문제점은 실질적으로 제거되어 기판(4)의 대단히 균일한 온도 분포가 확보된다.
본 발명 장치는 또한 기판(4)과 투광성 지지베드(5)가 상호접촉되어 있지 않아 그들간의 열 유동을 감소시키기 때문에 기판(4)을 가열하는 효율을 현저히 개선시키는 2차적 효과를 준다.
상기한 바와 같이, 본 발명의 저압증기상성장장치는 기판의 균일한 온도분포를 제공하여 균일한 증기상 성장 막을 보장한다.

Claims (6)

  1. 투광성, 에너지 전도성 물질로 제조된 창, 반응성기체를 공급하기 위한 기체공급기, 화학반응후 기체를 뽑아내기 위한 배출기, 복사선을 방출하여 상기 투광성, 에너지 전도성 창을 통해 투과시킴으로써 기판의 복사 가열을 실행하기 위한 램프, 및 상기 투광성 에너지 전도성 창을 강제 냉각시키기 위한 냉각기구로 이루어진 저압증기상 성장장치에 있어서, 상기 기판과 투광성, 에너지 전도성 창 사이의 틈이 상기 틈에 존재하는 기체의 평균 자유행로의 폭을 기껏해야 가지면서 상기 기판과 투광성, 에너지 전도성 창이 이격되어 있고, 상기 기체공급기는 상기 기체공급기를 통해 공급된 반응성기체가 상기 기판의 겉표면에서 상기 화학반응을 하여 그 겉표면상에 박막을 형성하도록 위치되어 있고, 상기 냉각기구는 상기 기판과 투광성, 에너지 전도성창 사이의 틈을 흐르는 액체를 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 저압증기상 성장장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 틈 사이에 존재하는 상기 기체로서 비활성 기체가 사용되는 것을 특징으로 하는 장치.
  3. (a) 복사 에너지가 투과되어 상기 기판의 배면에 도달할 수 있도롤 하는 고투광성 물질로 이루어진 창 ;
    (b) 상기 기판을 지지하기 위한 투광성 물질로 이루어진 고정 투울 ;
    (c) 반응성기체를 챔버내로 공급하기 위한 기체공급기 ;
    (d) 챔버로 부터 기체를 뽑아내기 위한 배출기 ;
    (e) 복사선을 상기 창을 통하여 상기 기판의 배면으로 지향시키는 복사선 공급원 ;
    (f) 상기 창을 강제 냉각시키기 위한 냉각기구 ; 및
    (g) 상기 고정 투울은 물론 상기 기판과 상기 창 사이의 틈으로 정화 기체를 공급하기 위한 기체공급구로 구성되어 있는 박막이 형성될 기판을 처리하기 위한 챔버를 포함하는, 저압증기상 성장장치에 있어서, 상기 기판의 배면상에 박막을 형성시키지 않기 위하여, 상기 기판과 상기 창은 서로 접촉하지 않고 있고, 상기 기판의 겉표면상에서 상기 반응성 기체를 화학반응 시킴으로써 상기 기판의 겉표면상에 박막이 형성되는 것을 특징으로 하는 저압증기상 성장장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 정화기체는 He, Ar, Ne 및 N2로 이루어진 군중 하나인 것을 특징으로 하는 장치.
  5. 제3항에 있어서, 상기 투광성 물질이 투명한 수정인 것을 특징으로 하는 장치.
  6. 제3항에 있어서, 상기 틈은 상기 틈에 있는 상기 정화기체의 평균 자유행로를 초과하지 않는 것을 특징으로 하는 장치.
KR1019900001259A 1989-02-14 1990-02-02 저압증기상 성장장치 KR920007848B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1034826A JP2731855B2 (ja) 1989-02-14 1989-02-14 減圧気相成長装置
JP1-34826 1989-02-14

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR900013101A KR900013101A (ko) 1990-09-03
KR920007848B1 true KR920007848B1 (ko) 1992-09-18

Family

ID=12425006

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019900001259A KR920007848B1 (ko) 1989-02-14 1990-02-02 저압증기상 성장장치

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5033407A (ko)
EP (1) EP0383491A3 (ko)
JP (1) JP2731855B2 (ko)
KR (1) KR920007848B1 (ko)

Families Citing this family (56)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5296089A (en) * 1985-12-04 1994-03-22 Massachusetts Institute Of Technology Enhanced radiative zone-melting recrystallization method and apparatus
US5308594A (en) * 1985-12-04 1994-05-03 Massachusetts Institute Of Technology Edge-heat-sink technique for zone melting recrystallization of semiconductor-on-insulator films
US5094885A (en) * 1990-10-12 1992-03-10 Genus, Inc. Differential pressure cvd chuck
US5447570A (en) * 1990-04-23 1995-09-05 Genus, Inc. Purge gas in wafer coating area selection
US5230741A (en) * 1990-07-16 1993-07-27 Novellus Systems, Inc. Gas-based backside protection during substrate processing
US5843233A (en) * 1990-07-16 1998-12-01 Novellus Systems, Inc. Exclusion guard and gas-based substrate protection for chemical vapor deposition apparatus
US5133284A (en) * 1990-07-16 1992-07-28 National Semiconductor Corp. Gas-based backside protection during substrate processing
US5620525A (en) * 1990-07-16 1997-04-15 Novellus Systems, Inc. Apparatus for supporting a substrate and introducing gas flow doximate to an edge of the substrate
US5578532A (en) * 1990-07-16 1996-11-26 Novellus Systems, Inc. Wafer surface protection in a gas deposition process
US5252132A (en) * 1990-11-22 1993-10-12 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Apparatus for producing semiconductor film
US5855687A (en) * 1990-12-05 1999-01-05 Applied Materials, Inc. Substrate support shield in wafer processing reactors
US5304248A (en) * 1990-12-05 1994-04-19 Applied Materials, Inc. Passive shield for CVD wafer processing which provides frontside edge exclusion and prevents backside depositions
US5101764A (en) * 1991-02-20 1992-04-07 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for integrating optical sensor into processor
JPH069297A (ja) * 1991-12-09 1994-01-18 Sumitomo Electric Ind Ltd 成膜装置
FR2686967B1 (fr) * 1992-02-04 1999-04-09 France Telecom Dispositif de refroidissement d'un four de traitement d'un element et four equipe d'un tel dispositif.
JPH0811718B2 (ja) * 1992-02-27 1996-02-07 大同ほくさん株式会社 ガスソース分子線エピタキシー装置
US5534072A (en) * 1992-06-24 1996-07-09 Anelva Corporation Integrated module multi-chamber CVD processing system and its method for processing subtrates
JP3604706B2 (ja) * 1992-07-23 2004-12-22 キヤノン株式会社 成膜方法
US5534069A (en) * 1992-07-23 1996-07-09 Canon Kabushiki Kaisha Method of treating active material
US5318801A (en) * 1993-05-18 1994-06-07 United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Substrate temperature control apparatus and technique for CVD reactors
FR2734284B1 (fr) * 1995-05-19 1997-06-13 Commissariat Energie Atomique Dispositif de traitement chimique superficiel d'un echantillon plat au moyen d'un gaz actif
US6086680A (en) * 1995-08-22 2000-07-11 Asm America, Inc. Low-mass susceptor
US6113702A (en) 1995-09-01 2000-09-05 Asm America, Inc. Wafer support system
WO1997009737A1 (en) * 1995-09-01 1997-03-13 Advanced Semiconductor Materials America, Inc. Wafer support system
US5894887A (en) * 1995-11-30 1999-04-20 Applied Materials, Inc. Ceramic dome temperature control using heat pipe structure and method
US6090211A (en) * 1996-03-27 2000-07-18 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Apparatus and method for forming semiconductor thin layer
US5837058A (en) * 1996-07-12 1998-11-17 Applied Materials, Inc. High temperature susceptor
US5960158A (en) 1997-07-11 1999-09-28 Ag Associates Apparatus and method for filtering light in a thermal processing chamber
US6073366A (en) 1997-07-11 2000-06-13 Asm America, Inc. Substrate cooling system and method
DE69813014T2 (de) 1997-11-03 2004-02-12 Asm America Inc., Phoenix Verbesserte kleinmassige waferhaleeinrichtung
US5970214A (en) 1998-05-14 1999-10-19 Ag Associates Heating device for semiconductor wafers
US5930456A (en) 1998-05-14 1999-07-27 Ag Associates Heating device for semiconductor wafers
US6210484B1 (en) 1998-09-09 2001-04-03 Steag Rtp Systems, Inc. Heating device containing a multi-lamp cone for heating semiconductor wafers
US6957690B1 (en) 1998-09-10 2005-10-25 Asm America, Inc. Apparatus for thermal treatment of substrates
US6108937A (en) * 1998-09-10 2000-08-29 Asm America, Inc. Method of cooling wafers
US6143079A (en) * 1998-11-19 2000-11-07 Asm America, Inc. Compact process chamber for improved process uniformity
EP1142001B1 (en) * 1998-11-20 2007-10-03 Steag RTP Systems, Inc. Fast heating and cooling apparatus for semiconductor wafers
US6461801B1 (en) 1999-05-27 2002-10-08 Matrix Integrated Systems, Inc. Rapid heating and cooling of workpiece chucks
US6259062B1 (en) 1999-12-03 2001-07-10 Asm America, Inc. Process chamber cooling
US20030168174A1 (en) * 2002-03-08 2003-09-11 Foree Michael Todd Gas cushion susceptor system
US6776849B2 (en) * 2002-03-15 2004-08-17 Asm America, Inc. Wafer holder with peripheral lift ring
US6861321B2 (en) 2002-04-05 2005-03-01 Asm America, Inc. Method of loading a wafer onto a wafer holder to reduce thermal shock
JP2005538566A (ja) * 2002-09-10 2005-12-15 アクセリス テクノロジーズ， インコーポレイテッド 温度固定されたチャックを用いた温度可変プロセスにおける基板の加熱方法
US20050170314A1 (en) * 2002-11-27 2005-08-04 Richard Golden Dental pliers design with offsetting jaw and pad elements for assisting in removing upper and lower teeth and method for removing teeth utilizing the dental plier design
US20050037521A1 (en) * 2003-08-15 2005-02-17 Uwe Wellhausen Methods and apparatus for processing semiconductor devices by gas annealing
US20060240680A1 (en) * 2005-04-25 2006-10-26 Applied Materials, Inc. Substrate processing platform allowing processing in different ambients
EP2495212A3 (en) * 2005-07-22 2012-10-31 QUALCOMM MEMS Technologies, Inc. Mems devices having support structures and methods of fabricating the same
US7763869B2 (en) * 2007-03-23 2010-07-27 Asm Japan K.K. UV light irradiating apparatus with liquid filter
US8092606B2 (en) 2007-12-18 2012-01-10 Asm Genitech Korea Ltd. Deposition apparatus
US8801857B2 (en) * 2008-10-31 2014-08-12 Asm America, Inc. Self-centering susceptor ring assembly
USD920936S1 (en) 2019-01-17 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Higher temperature vented susceptor
USD914620S1 (en) 2019-01-17 2021-03-30 Asm Ip Holding B.V. Vented susceptor
CN111446185A (zh) 2019-01-17 2020-07-24 Asm Ip 控股有限公司 通风基座
US11404302B2 (en) 2019-05-22 2022-08-02 Asm Ip Holding B.V. Substrate susceptor using edge purging
US11764101B2 (en) 2019-10-24 2023-09-19 ASM IP Holding, B.V. Susceptor for semiconductor substrate processing
USD1031676S1 (en) 2020-12-04 2024-06-18 Asm Ip Holding B.V. Combined susceptor, support, and lift system

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4913929A (en) * 1987-04-21 1990-04-03 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Thermal/microwave remote plasma multiprocessing reactor and method of use
EP0299244B1 (en) * 1987-07-16 1993-09-08 Texas Instruments Incorporated Processing apparatus and method

Also Published As

Publication number Publication date
JP2731855B2 (ja) 1998-03-25
US5033407A (en) 1991-07-23
JPH02213477A (ja) 1990-08-24
EP0383491A2 (en) 1990-08-22
EP0383491A3 (en) 1990-11-28
KR900013101A (ko) 1990-09-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR920007848B1 (ko) 저압증기상 성장장치
KR100286325B1 (ko) 화학기상증착 장비의 가열장치
US4800105A (en) Method of forming a thin film by chemical vapor deposition
US5493987A (en) Chemical vapor deposition reactor and method
US5027746A (en) Epitaxial reactor having a wall which is protected from deposits
US6720531B1 (en) Light scattering process chamber walls
KR100403078B1 (ko) 매엽식열처리장치
US10077508B2 (en) Multizone control of lamps in a conical lamphead using pyrometers
KR100699104B1 (ko) 열적 처리 챔버용 냉각 윈도우 조립체 및 열적 처리 방법
KR101322217B1 (ko) 기상 성장 장치
EP0519608A1 (en) Substrate holder of thermally anisotropic material used for enhancing uniformity of grown epitaxial layers
US20200045776A1 (en) Multizone lamp control and individual lamp control in a lamphead
JPS60161616A (ja) 半導体ウエハの赤外線加熱装置
WO2009008673A2 (en) Substrate heating apparatus
EP0728850B1 (en) Quasi hot wall reaction chamber
KR0134035B1 (ko) 열처리 장치
US11870003B2 (en) Patterned epitaxial structure laser lift-off device
JP4525871B2 (ja) ウエハ熱処理装置及びそれを用いたウエハの熱処理方法
KR20030059745A (ko) 반사기를 이용한 웨이퍼 온도 보상기
JPH1145859A (ja) エピタキシャル成長装置
US20200283901A1 (en) System and method for gas phase deposition
JP2000021800A (ja) ウエハ処理装置
JPS6185820A (ja) 気相成長容器
JPH0476953B2 (ko)
AU2005202460A1 (en) Metal carbonyl vapour deposition apparatus and process

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20090910

Year of fee payment: 18

EXPY Expiration of term