KR920005038Y1 - 고체 촬영소자의 단위 화소 - Google Patents
고체 촬영소자의 단위 화소 Download PDFInfo
- Publication number
- KR920005038Y1 KR920005038Y1 KR2019890018747U KR890018747U KR920005038Y1 KR 920005038 Y1 KR920005038 Y1 KR 920005038Y1 KR 2019890018747 U KR2019890018747 U KR 2019890018747U KR 890018747 U KR890018747 U KR 890018747U KR 920005038 Y1 KR920005038 Y1 KR 920005038Y1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- photodiode
- region
- polycrystalline silicon
- buried
- unit pixel
- Prior art date
Links
- 239000007787 solid Substances 0.000 title description 8
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-NJFSPNSNSA-N silicon-30 atom Chemical compound [30Si] XUIMIQQOPSSXEZ-NJFSPNSNSA-N 0.000 claims description 8
- 230000005570 vertical transmission Effects 0.000 claims description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14806—Structural or functional details thereof
- H01L27/14812—Special geometry or disposition of pixel-elements, address lines or gate-electrodes
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
내용 없음.
Description
제 1 도는 종래의 고체촬영 소자의 단위화소 단면도.
제 2 도는 본 고안의 고체촬영 소자의 단위화소 단면도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
21 : n형 기판 22 : 얇은접합의 P-웰
23 : 깊은 접합의 P-웰 24 : 채널 스탑 지역
25 : 수직전송 CCD 26 : 광다이오드 n지역
27 : 전달 게이트 28 : 매몰형 광다이오드를 위한 P지역
29 : 광다이오드 지역의 P지역과 다결정 실리콘과의 간격
30 : 수직전송용 다결정 실리콘 31 : 차광막
본 고안은 고체 촬영소자의 단위 화소에 관한 것으로서, 더욱상세하게는 광다이오드 지역과 수직전송 전하결합소자(Charge Coupled Device, 이하 CCD라 칭함) 지역사이에 단차를 두어 광다이오드의 형성을 용이하게 하는 고체 촬영소자의 단위화소에 관한 것이다.
제 1 도는 종래의 고체촬영소자의 단위화소 단면도로서, 도면중 부호 (1)는 n형 기판을 나타낸 것이다.
이와같은 종래의 고체촬영소자의 단위화소는 n형 기판(1)위에 P형 불순물을 이온 주입하고 드라이브-인(Drive-in)확산을 하면 얕은 접합의 P-웰(2)이 형성 되고, 다시 P형 불순물을 주입한 후 상기 P-웰(2)보다 깊게 드라이브-인 확산을 하여 깊은 접합의 P-웰(3)을 형성한다.
P-웰(2)(3)을 순차적으로 형성한 다음 하이 도핑(High Doping)된 P형 불순물을 주입하여 채널 스탑 지역(4)을 형성한다. 다음, 하이 도핑된 N형 불순물을 이온 주입하여 광 다이오드 지역(6)을 형성하고, 전달 게이트(7)를 사이에 두고 수직전송 CCD(5)를 형성한다.
상기 광다이오드 지역(6)위에 매몰형 광다이오드를 위한 P지역(8)을 형성한 후 다결정 실리콘(10)과 차광막(11)을 순차적으로 형성한다.
그러나, 광다이오드의 용량을 높이기 위해, 또는 수직 오버플로우 드레인 샤타 동작을 가능하게 하기 위해 매몰형 광다이오드를 위한 P채널지역을 도핑한다.
이때, 광다이오드 지역의 P채널과 다결정 실리콘과의 간격이 커지면 잡음이 많아지게 되는데 이를 위해 간격을 조절하는 것이 불가능 하여 수율(생산성)이 줄어든다.
왜냐하면, 매몰형 광다이오드를 위한 P채널과 전달게이트 지역이 붙어 버리면 제동작을 수행하지 못하게 되기 때문이다.
본 고안은 상기한 바와같은 종래의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 고안의 목적을 광다이오드 지역과 수직전송 CCD지역 사이에 단차를 두어 매몰형 광다이오드의 형성을 용이하게 하는 고체 촬영소자의 단위 화소를 제공하는데 있다.
상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 고안은, 광다이오드를 매몰형으로 형성하는 고체 촬영소자의 단위 화소에 있어서, 다결정 실리콘을 마스크로하여 매몰형 광다이오드를 위한 P지역을 형성하며, 매몰형 광다이오드를 위한 P지역과 전달 게이트가 붙지 않게 하기 위하여 광다이오드를 지역을 수지 전송용 다결정 실리콘으로 약간 넣고, 광다이오드를 위한 P지역과 다결정 실리콘 과의 간격을 조절하여 광다이오드 지역과 수직전송 CCD 사이의 높낮이의 차를 두는 것을 특징으로 하는 고체촬영소자의 단위 화소를 제공한다.
이하, 본 고안의 바람직한 실시예를 첨부된 도면에 따라 상세히 설명한다.
제 2 도는 본 고안의 고체촬영소자의 단위 화소의 구조의 단면도를 나타낸 것이다.
차광망(31)이 없을때는 다결정 실리콘(30)을 마스크로하여 매몰형 광다이오드를 위한 P지역(28)을 쉽게 형성하며, 매몰형 광다이오드를 위한 P지역(28)과 전달 게이크(27)가 붙지 않게 하기 위하여 광다이오드 지역(26)을 수직 전송용 다결정 실리콘(30) 밑으로 약간 넣고, 광다이오드를 위한 P지역(28)과 다결정 실리콘(30)과의 간격(29)을 조절하는 것은 수직 방향이 용이하므로 광다이오드 지역(26)과 수직전송 CCD(25)사이의 높낮이의 차를 두어 실행한다.
즉, 수직전송 CCD(25)와 광다이오드 지역(26)의 간격(29)을 될 수 있는대로 작게하는 것이 유리한데, 이것은 수직방향으로 조절한다. 왜냐하면, 광다이오드 지역(26)과 다결정 실리콘(30) 사이의 커패시터 문제가 있기 때문이다.
광다이오드 지역(26)과 수직전송 CCD(25)사이의 단차의 기울기로 매몰형 광다이오드를 위한 P지역(28)과 전달게이트(27) 사이의 간격이 조절 가능하게 된다.
이와같이 단차를 둠으로서 수직전송 CCD(25)지역이 낮게 되어 다결정 실리콘(30)과 차광막(31)이 올라가도 전체 높이가 낮게 되어 칼라 필터의 작업시 균일코팅(Uniformity)이 좋아진다.
상기한 바와같이 본 고안에 의하면, 매몰형 광다이오드 지역이 다결정 실리콘에 의한 셀프-얼라인 공정이 가능하므로 제작하기가 쉬워져 수율을 높일 수 있고, 다결정 실리콘이 있는 지역의 높이를 낮출 수 있어 고체촬영소자의 칼라 필터 작업시에 코팅을 균일하게 할 수 있는 효과가 있다.
Claims (1)
- 광다이오드를 매몰형으로 형성하는 고체 촬영소자의 단위 화소에 있어서, 다결정 실리콘(30)을 마스크로하여 매몰형 광다이오드를 위한 P지역(28)을 형성하며, 매몰형 광다이오드를 위한 P지역(28)과 전달게이트(27)가 붙지 않게 하기 위하여 광다이오드 지역(26)을 수직 전송용 다결정 실리콘(30) 밑으로 약간 넣고, 광다이오드를 위한 P지역(28)과 다결정 실리콘(30)과의 간격(29)을 조절하여 광다이오드 지역(26)과 수직전송 CCD(25)사이의 높낮이의 차를 두는 것을 특징으로 하는 고체촬영소자의 단위 화소.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2019890018747U KR920005038Y1 (ko) | 1989-12-11 | 1989-12-11 | 고체 촬영소자의 단위 화소 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2019890018747U KR920005038Y1 (ko) | 1989-12-11 | 1989-12-11 | 고체 촬영소자의 단위 화소 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR910013042U KR910013042U (ko) | 1991-07-30 |
| KR920005038Y1 true KR920005038Y1 (ko) | 1992-07-25 |
Family
ID=19293043
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR2019890018747U KR920005038Y1 (ko) | 1989-12-11 | 1989-12-11 | 고체 촬영소자의 단위 화소 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR920005038Y1 (ko) |
-
1989
- 1989-12-11 KR KR2019890018747U patent/KR920005038Y1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR910013042U (ko) | 1991-07-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8541825B2 (en) | Image sensor with improved charge transfer efficiency and method for fabricating the same | |
| US6617174B2 (en) | Fieldless CMOS image sensor | |
| CN101211833B (zh) | Cmos图像传感器及其制造方法 | |
| CN102544042A (zh) | 高速cmos图像传感器的像素单元及其制作方法 | |
| US7776638B2 (en) | Two epitaxial layers to reduce crosstalk in an image sensor | |
| US6403994B1 (en) | Solid-state imaging device and method of fabricating the same | |
| KR920005038Y1 (ko) | 고체 촬영소자의 단위 화소 | |
| KR20030042303A (ko) | 시모스 이미지센서 및 그 제조방법 | |
| KR930000914B1 (ko) | Ccd 영상센서에서 포토 다이오드의 ofd 억제를 위한방법 | |
| KR0136924B1 (ko) | 씨씨디(ccd) 영상소자의 제조방법 | |
| US6774444B2 (en) | Semiconductor, solid-state imaging device, and method for making the same | |
| JP2964541B2 (ja) | 縦型オーバーフロードレイン型固体撮像素子 | |
| JP2573582B2 (ja) | 固体撮像子の製造方法 | |
| JPH08264747A (ja) | コンテナ側方オーバーフロードレインインプラントを有する固体画像化器及びその製造方法 | |
| JPH02304974A (ja) | 固体撮像素子の製造方法 | |
| KR940008027B1 (ko) | Ccd 고체촬상소자 및 그 제조방법 | |
| JPS63155759A (ja) | イメ−ジセンサ | |
| KR20000034227A (ko) | 고체 촬상 소자의 제조방법 | |
| KR930008877B1 (ko) | Cmos 소자 제조방법 | |
| JPH0685233A (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
| KR0156166B1 (ko) | 고체촬상소자 | |
| JPH01207964A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPS6224665A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP3729537B2 (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
| JPH03289173A (ja) | 電荷移送型固体撮像素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| REGI | Registration of establishment | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20030609 Year of fee payment: 12 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |