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본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음As this is a public information case, the full text was not included.
제2도는 본 발명 바이폴라 소자의 공정순서를 나타낸 단면도.2 is a cross-sectional view showing the process sequence of the bipolar device of the present invention.
Claims (1)
실리콘기판에 n+매몰층과 n-에피층을 형성하고 실리콘기판 까지 접하도록 트렌치를 형성하여 이 트렌치내에 실리콘산화막과 다결정 실리콘의 절연물질을 채워 소자격리영역을 형성한 후 이들 소자격리영역 사이에 베이스와 에미터 및 콜렉터를 이온 주입으로 형성하는 소자제조방법에 있어서, 상기의 트렌치 소자 격리영역 형성 후 실리콘 산화막을 입히고 P/R을 사용한 사진 식각방법에 의해 소자격리영역에 접하도록 베이스영역을 정의하여 P형 불순물을 주입하므로 베이스를 형성하고, 이어 사진 식각방법에 의해 소자격리영역에 접하도록 에미터와 콜렉터 영역을 정의하여 n형 불순물을 주입하므로 에미터와 콜렉터를 형성함을 특징으로 하는 바이폴라 소자 제조방법.An n + buried layer and an n - epitaxial layer are formed on the silicon substrate, and a trench is formed so as to contact the silicon substrate. In the device fabrication method of forming the base, the emitter and the collector by ion implantation, after forming the trench isolation region, the base region is defined to be in contact with the device isolation region by a silicon oxide film and a photolithography method using P / R. To form a base by injecting P-type impurities, and then define an emitter and a collector region to contact the device isolation region by a photolithography method, and inject n-type impurities to form an emitter and a collector. Device manufacturing method.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.