KR920001568Y1 - 마그네트론 - Google Patents

Abstract

내용 없음.

Description

마그네트론

제 1 도는 종래 기술의 개략적인 단면도.

제 2 도는 본 발명을 실시한 마그네트론의 일부 파단면도.

제 3 도는 동 마그네트론의 금속판 사시도.

제 4 도는 각 고조파의파장과 각 파장길이에 따른 슬롯 길이에 대한 도표.

제 5a-f 도는 본 발명의 원리에 따라 설치한 마그네트론에서 금속판의 작용효과를 나타내는 그래프이다.

본 고안은 전자레인지등의 마이크로파 가열기기에 사용되는 마그네트론에 관한 것이다.

이러한 마그네트론은 보통 2450MHZ를 기본파로 하는 마이크로파 발진동작을 하고 그 출력은 마이크로파 출력단자로부터 얻어진다.

마이크로파 출력중에는 기본파 성분과 그 정수배의 주파수를 가지는 고조파 성분이 함유된다.

그리고 특히, 고차의 고조파 성분을 시일드하는 것은 용이하지 않고 이러한 고조파 성분이 만약 장치밖으로 누설되면 통신방해등의 바람직하지 않은 결과를 가져온다.

그래서 고조파 성분 저지용 쵸크부재를 금속관에 부설하는 것이 행하여지고 있다.

그러나, 원통형의 쵸크부재를 관내에 봉입하려고 하면 상당히 넓은 스페이스를 관내에 확보해야 하며, 마그네트론의 단소화가 곤란하게 된다.

이러한 마그네트론으로써 대표적인 것으로써 일본 공개 실용신안 공보 제51-65650호가 있다.

일본 실용에서는 동 등록청구 범위에서와 갈이 출원 안테나에 원판 돌기둥의 어댑터를 설치하고, 이 어댑터에 의하여 안테나의 부하 임피던스를 조정하게 한 것이다.

즉 제 1 도에 도시와 같이 출력안테나(11)에 링형의 원판(2)이 삽입되어 부하 출력 임피이던스를 조정한 것임을 알 수 있다.

이러한 점에 비추어, 출력측에서 보다 금속관과 같은 공진 공동에서의 소정 고조파의 임피이던스를 조정할 수 있다면 출력측에서의 불요 성분파를 제거할 수 있어 바람직하다 할 수 있다.

따라서 이후 기술되는 유형의 마그네트론의 금속관내에 링형의 원판(이후 금속판이라 총칭함)을 설치하게 되면, 이 원판과 금속관에 의하여 필터가 구성되므로, 마이크로파 도출용 도체, 즉 안테나를 전번로로 하여 관밖으로 복사되는 고조파 성분이 상기 금속판과 금속관에 의하여 구성된 필터에 의하여 감쇄 또는 반사하므로 당해 고조파 성분의 관밖으로 복사량을 경감시킬 수 있음을 알게 되었다.

따라서 본 고안은 이러한 종래의 과제를 해결하고자 한 것이다.

본 고안은 금속관과 함께 필터로 형성되는 금속판을 금속관 내에 구비시킨 마그네트론을 제공하는 것을 주목적으로 한다.

또한 본 고안은 해당 고조파를 억제하는 금속판을 금속관에 설치하고, 이 금속판의 금방에 슬롯이 형성되어진 또 다른 금속판을 금속관에 설치한 마그네트론을 제공하는 것을 다른 목적으로 한다.

따라서 본 고안은 양극통체의 한쪽이 개구단부에 금속관 및 절연관을 거쳐서 금속제의 배기관을 봉착하고, 상기 양극통체의 내주면으로부터 음극측에 돌출된 양측베인으로부터 연장된 마이크로파 도출용 도체를 상기 배기관에 접속시켜서 이루어진 마그네트론에 있어서, 상기 마이크로파 도출용 도체에 환상형의 금속판을 가지게 하고, 또한 이 금속판의 근방의 상기 마이크로파 도출용 도체에 슬롯이 형성되어 이루어진 환상형의 금속판을 가지도록 슬롯이 형성되어서 이루어진 금속판과 상기 금속판이 상기 금속관의 내부 영역에 배설되어서 이루어진다.

즉, 금속관내에 배설되어서 슬롯 형성의 공진 캐비티를 형성하고 공진 필터로써 작용하도록 한다.

따라서 상기 금속판에 형성된 슬롯과 상기 금속관에 의하여 선로공진형의 필터가 구성되고 또한 근방에 배설된 금속판에 의하여 필터의 효과가 증대하는 것이므로 즉, 상기 마이크로파 도출용 도체 전번로로서 관밖으로 복사되는 고조파 성분이 상기 금속판에 형성된 슬롯과 상기 금속판에 의하여 구성된 필터에 의하여 감쇄 또는 반사되고, 또한 그 근방에 배설된 금속판에 의하여 필터의 효과가 증대하므로 당해 고조파 성분의 관밖으로의 복사량을 경감할 수가 있다.

본 고안을 첨부 도면에 의거하여 상세히 기술하면 다음과 같다.

제 2 도 및 제 3 도를 참조하며, 원통형의 양극통체(1)에는 음극(2)측에 돌출하여 공진공동을 형성하는 다수의 양극 베인(3)을 내주면에 형성시키고, 양측통체(1)의 상,하개구단부에는 자계수속용의 깔데기형의 제 1 및 제 2의 자극편(4, 5)이 서로 대향하도록 배설시키며 상기 제 1 자극편(4)에는 금속제의 배기관(6)에 세라믹으로 이루어진 절연관(7)을 거쳐서 봉착된 금속관(8)의 플랜지부(8a)를 봉착시키되 상기 금속관(8)내에는 양극 베인(3)으로부터 연장되는 마이크로파 도출용 도체(9)를 상기 배기관(6)에 접속시키고 배기관(6)에는 금속제 모자형의 마이크로파 출력단자(10)를 접착시키며 상기 제2의 자극편(5)을 플랜지로 피복하는 상태로 양극통체(1)의 다른쪽의 개구단부에 봉착된 하나의 금속관(11)과 도시를 생략한 음극단자 도출용 스템을 봉착시켜서 된 마그네트론에 있어서, 상기 금속관(8)의 내부 양극베인(3)으로부터 배기관(6)에 연장 접속된 마이크로파 도출용 도체(9)상에는 고조파 성분 제거를 위한 환형상의 금속판(12)과 환형상의 금속판(13)을 소정거리를 두고 배열 설치하되, 상기 금속판(13)에는 특정주파수에 대하여파장과 소정의 길이(ℓ)를 갖는 슬롯(14)을 형성시켜서 된 것이다.

이와같이 구성된 마그네트론에 있어서는 금속파너(13)에 형성된 슬롯(14)과 금속관(8)에 의하여 선로 공진형과 필터가 구성되므로 당해 고조파 성분을 약 40dB 감쇄시킬 수가 있다.

또한, 금속판(13)의 상부 근방에 배설된 금속판(12)에 의하여 금속판(13)에 평성된 슬롯(14)과 금속관(8)에 의하여 구성된 선로공진형의 필터와의 결합이 강해져서 당해 고조파 성분을 더욱 약 20dB 감쇄시킬 수가 있고, 함께 약 60dB 감쇄될 수 있는 것이며, 이러한 금속판에 슬롯을 복수개 형성함에 따라서 복수의 고조파 성분을 감쇄시킬 수가 있다.

이에 구체적으로 설명하면 즉, 상기 마이크로파 도출용 도체(9)에 부설된 금속판(13)의 슬롯(14)과 상기 금속관(8)에 의하여 선로공진형 필터로써 고조파 성분의 감쇄량을 살펴보면, 상기 금속판(13)의 슬롯(14)을 특정주파수에파장이 되게하고. 이파장에 의한 소정의 길이 (ℓ)로 형성하므로서 제 4 도 및 제 5도의 도면에서와 같이 제2고조파에서는의 파장이 30.6㎜로 되고 슬롯의 길이(ℓ)는 29.1㎜로 되어 제2고조파가 약 50dB의 감쇄된다(제 5a 도).

마찬가지로, 제3고조파에서는의 파장이 20.4㎜로 되고 슬롯의 길이 (ℓ)가 19.4㎜로 되어 제3고조파는 약 45dB 감쇄된다(제 5b 도).

제4고조파에서는의 파장이 15.3㎜로 되고 슬롯의 길이(ℓ)의 길이가 14.5㎜로 되어 제4고조파는 약 45dB 감쇄된다(제 5c 도).

제5고조파에서는의 파장이 12.24㎜로 되고 슬롯의 길이(ℓ)가 11.6㎜로 되어 제5고조파는 약 45dB 감쇄된다(제 5d 도).

제6고조파에서는의 파장이 10.2㎜로 되고 슬롯의 길이(ℓ)가 9.7㎜로 되어 제6고조파는 약 45dB 감쇄된다(제 5e 도).

제7고조파에서는의 파장이 8.74㎜로 되고 슬롯의 길이(ℓ)가 8.3㎜로 되어 제7고조파는 약 40dB 감쇄된다(제 5f 도).

이상에서와 같이 본 고안은 금속관 내부 영역에서의 마이크로파 도출용 도체에 금속판과 슬롯이 형성되어서 이루어진 환형상의 금속판을 가지게 하는 것만으로 편평한 쵸크 작용부가 구비되고, 더우기 마그네트론의 축방향의 단축도 가능하게 된다.

Claims (3)

1. 양극통체(1)의 상,하 개구단부에 제1, 제2자극편(4,5)을 봉착하고 상기 제1자극편(4)에는 금속관(8), 절연관(7)을 거쳐서 금속제의 배기관(6)을 봉착되고, 상기 금속관(8)의 내부에는 양극 베인(3)으로부터 연장된 마이크로파 도출용 도체(9)를 상기 배기관(6)에 접속시켜서 된 마그네트론에 있어서, 금속관(8)내에 마이크로파 도출용 도체(9)상에는 소정의 거리를 두고 공전필터로서 고주파성분 제거를 위한 환형상의 금속판(12)과 슬롯(14)를 구비한 금속판(13)을 각각 배설시켜서 된 것을 특징으로 하는 마그네트론.
2. 제 1 항에 있어서, 상기 금속판(13)의 슬롯(14)을 특정주파수에 대하여파장과, 이파장에 의한 소정길이(ℓ)로 형성하여서 된 것을 특징으로 하는 마그네트론.
3. 제 1 항에 있어서, 상기 슬롯(14)을 구비한 금속판(13)을 하나 이상 배열 설치하여서 된 것을 특징으로 하는 마그네트론.