KR910010674A - 타원형 이온비임의 배출방법 및 장치 - Google Patents
타원형 이온비임의 배출방법 및 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR910010674A KR910010674A KR1019900018009A KR900018009A KR910010674A KR 910010674 A KR910010674 A KR 910010674A KR 1019900018009 A KR1019900018009 A KR 1019900018009A KR 900018009 A KR900018009 A KR 900018009A KR 910010674 A KR910010674 A KR 910010674A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- ion
- ions
- implantation system
- chamber
- hole
- Prior art date
Links
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 title claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 12
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 8
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims 32
- 229910001423 beryllium ion Inorganic materials 0.000 claims 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims 2
- 238000002513 implantation Methods 0.000 claims 2
- 230000005596 ionic collisions Effects 0.000 claims 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 claims 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims 1
- 210000003734 kidney Anatomy 0.000 claims 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/08—Ion sources; Ion guns
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J27/00—Ion beam tubes
- H01J27/02—Ion sources; Ion guns
- H01J27/20—Ion sources; Ion guns using particle beam bombardment, e.g. ionisers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3171—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for ion implantation
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Combustion & Propulsion (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
내용 없음.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 실리콘 웨이퍼를 비임처리 하기에 알맞는 이온이식시스템의 개략도.
제2도는 타원모양의 이온비임을 제공하는 이온비임소오스와 추출전국 구조를 나타내는 단면도.
제3도는 제2도의 선 3-3에서 본 단면도.
Claims (12)
- 이온제한실(16)을 연결하는 구조를 갖는 이온소오스(10), 에너지 전자를 이온제한실내의 가스분자와 충돌시켜 이 가스분자를 이온화시키는 이온실내에 설치된 전자소오스(18), 이온비임을 차단시커 적당한 질량의 이온을 공작물의 충돌비상경로에 방출시키는 질량분석기 수단(22), 이온충돌비상 경로를 따르는 이온들을 이용하여 이온비임 처리해야 할 하나이상의 공작물이 위치한 공작물 이식저장소(35)를 형성하는 구조, 이온들을 바람직한 에너지로 가속시켜 공작물 이식 저장소에서 하나이상의 공작물과 충돌시키는 비임가속수단(32) 등을 포함하는 이온비임을 이동로를 따라 충돌시키는 상기 이온 이식시스템에 있어서, 이온제한실은 이온을 이온제한실에서 방출시키는 타원모양의 구멍(50)을 포함하여 타원모양의 이온비임을 형성하는 것을 특징으로 하는 상기 이온이식시스템.
- 제1항에 있어서, 추출 전극 어셈블리(21)이 이온을 타원모양의 구멍을 통해 가속시켜 그 이온을 두개이상의 서로 다른 모양을 한 연속하는 구멍의 세트중 하나에 통과시키게끔하는 상기 세트를 형성하는 이온 소오스에 대해 위치되어 있는 것을 특징으로 하는 이온이식 시스템.
- 제1항에 있어서, 타원모양의 구멍(50)은 바깥 모서리 주위의 제1두께에서 타원모양의 구멍에 연결된 얇은 두께부분으로 기울어진 바깥모서리 주위에 제1두께를 갖는 이온실의 벽부재(54)에 형성된 것을 특징으로 하는 상기 이온이식시스템.
- 제3항에 있어서, 타원모양의 구멍이 형성된 벽부재(54)는 벽부재의 두 측면에서 안으로 경사진 것을 특징으로 하는 상기 이온이식시스템.
- 이온을 이온 제한실에서 배출시켜 이온비임을 형성하는 이온배출구멍(50)을 포함하는 이온제한실(16)을 연결하는 구조를 갖는 이온소오스(10), 에너지전자를 이온제한실내의 가스분자와 충돌시켜 이 가스분자를 이온화시키는 이온실내에 설치된 전자소오스(18), 비임내의 이온을 이온소오스로 가속시키는 비임 추출수단(20), 이온비임을 차단시켜 적당한 질량의 이온을 공작물의 충돌비상경로에 방출시키는 질량분석기 수단(22), 이온충돌비상경로를 따르는 이온들을 이용하여 이온 비임처리해야 할 하나이상의 공작물이 위치한 공작물 이식저장소(35)를 형성하는 구조등을 포함하는 이온비임을 이동로를 따라 공작물에 충돌시키는 이온이식시스템에 있어서, 배출구멍을 중심부분이 최대나비이고 최대나비에서 굽은 끝쪽으로 좁아지는 신장술롯을 특징으로 하는 상기 이온이식시스템.
- 제5항에 있어서, 추출수단은 이온을 배출구멍을 통해 배출시켜 그 이온을 두개이상의 서로 다른 모양을 한 연속하는 구멍(67), (68)의 세트중 하나에 통과시키게끔 대해 위치한 추출전극 어셈블리(60) ,(62)를 포함하는 것을 특징으로 하는 상기 이온이식 시스템.
- 제5항에 있어서, 배출구멍(50)은 벽의 바깥 모서리 주위의 제1두께에서 배출구멍의 신장술롯이 연결된 부분으로 기울어진 이온실의 벽(54)에 형성된 것을 특징으로 하는 상기 이온이식 시스템.
- 제5항에 있어서, 배출구멍의 최대나비는 신장술롯의 길이 1/10 보다 작은 것을 특징으로 하는 이온이식시스템.
- 제7항에 있어서, 구멍을 형성하는 이온실벽은 벽의 양측면에서 신장슬롯을 연결하는 부분 안쪽으로 기울어진 것을 특징으로 하는 상기 이온이식시스템.
- 제9항에 있어서, 벽의 배출측면을 형성하는 안쪽으로 기울어진 벽의 단면은 구멍을 연결하고 구멍부분에서 부분적으로 전기장을 형성하는 트로프(120)을 형성하는 것을 특징으로 하는 상기 이온이식시스템.
- 고 에너지 전자를 이온화 가스로 충만된 영역으로 방출시켜 가스분자를 이온화시키고 그 영역에서 발생한 이온을 상기 영역에서 타원모양으로된 여러나비를 갖는 신장배출구멍(50)을 통해 배출시키고, 슬롯을 갖는 두개이상의 공간을 둔 추출전극(60), (62)의 세트를 바이어스 하므로서 배출구멍과 이온을 가속시키는 추출전극 사이에 가속전기장을 형성하여 배출구멍을 방출된 이온들을 슬롯들에 주입시키는 단계를 포함하는 이온비임을 발생하는 방법.
- 제11항에 있어서, 두개이상의 추출전극의 두개이상의 세트는 지지대 구조에 설치되어 있으며 두개이상의 세트중 적당한 한 세트는 이온들을 상기 세트중 적당한 세트에 주입시키는 배출구멍에 대해 위치된 것을 특징으로 하는 이온비임을 발생하는 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US436296 | 1989-11-13 | ||
US436,296 | 1989-11-13 | ||
US07/436,296 US5026997A (en) | 1989-11-13 | 1989-11-13 | Elliptical ion beam distribution method and apparatus |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR910010674A true KR910010674A (ko) | 1991-06-29 |
KR950009618B1 KR950009618B1 (ko) | 1995-08-25 |
Family
ID=23731892
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019900018009A KR950009618B1 (ko) | 1989-11-13 | 1990-11-08 | 타원형 이온비임의 배출방법 및 장치 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5026997A (ko) |
EP (1) | EP0428319B1 (ko) |
JP (1) | JP2961326B2 (ko) |
KR (1) | KR950009618B1 (ko) |
DE (1) | DE69018018T2 (ko) |
Families Citing this family (35)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5196706A (en) * | 1991-07-30 | 1993-03-23 | International Business Machines Corporation | Extractor and deceleration lens for ion beam deposition apparatus |
US5245192A (en) * | 1991-10-07 | 1993-09-14 | Houseman Barton L | Selective ionization apparatus and methods |
US5177366A (en) * | 1992-03-06 | 1993-01-05 | Eaton Corporation | Ion beam implanter for providing cross plane focusing |
US5306920A (en) * | 1992-11-23 | 1994-04-26 | Motorola, Inc. | Ion implanter with beam resolving apparatus and method for implanting ions |
US5420415A (en) * | 1994-06-29 | 1995-05-30 | Eaton Corporation | Structure for alignment of an ion source aperture with a predetermined ion beam path |
US5531420A (en) | 1994-07-01 | 1996-07-02 | Eaton Corporation | Ion beam electron neutralizer |
US5523652A (en) * | 1994-09-26 | 1996-06-04 | Eaton Corporation | Microwave energized ion source for ion implantation |
DE69703031T2 (de) * | 1996-02-16 | 2001-05-03 | Axcelis Technologies, Inc. | Erzeugung eines gleichmässigen ionenstrahls grosser oberfläche |
US5895923A (en) * | 1996-02-16 | 1999-04-20 | Eaton Corporation | Ion beam shield for implantation systems |
US5825038A (en) * | 1996-11-26 | 1998-10-20 | Eaton Corporation | Large area uniform ion beam formation |
US5811823A (en) * | 1996-02-16 | 1998-09-22 | Eaton Corporation | Control mechanisms for dosimetry control in ion implantation systems |
US5661308A (en) * | 1996-05-30 | 1997-08-26 | Eaton Corporation | Method and apparatus for ion formation in an ion implanter |
US5703372A (en) * | 1996-10-30 | 1997-12-30 | Eaton Corporation | Endcap for indirectly heated cathode of ion source |
US5763890A (en) * | 1996-10-30 | 1998-06-09 | Eaton Corporation | Cathode mounting for ion source with indirectly heated cathode |
US5821677A (en) * | 1996-12-05 | 1998-10-13 | Eaton Corporation | Ion source block filament with laybrinth conductive path |
US6452338B1 (en) | 1999-12-13 | 2002-09-17 | Semequip, Inc. | Electron beam ion source with integral low-temperature vaporizer |
US7064491B2 (en) * | 2000-11-30 | 2006-06-20 | Semequip, Inc. | Ion implantation system and control method |
JP3727050B2 (ja) * | 2001-01-19 | 2005-12-14 | 住友イートンノバ株式会社 | イオン注入装置及びそのイオンソース系の調節方法。 |
EP1255277B1 (en) * | 2001-05-01 | 2007-09-12 | TEL Epion Inc. | Ionizer for gas cluster ion beam formation |
KR100553716B1 (ko) * | 2004-08-02 | 2006-02-24 | 삼성전자주식회사 | 이온 주입 설비의 이온 소스부 |
US7446326B2 (en) * | 2005-08-31 | 2008-11-04 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Technique for improving ion implanter productivity |
US7453074B2 (en) * | 2005-12-06 | 2008-11-18 | Axcelis Technologies, Inc. | Ion implanter with ionization chamber electrode design |
GB0608528D0 (en) | 2006-04-28 | 2006-06-07 | Applied Materials Inc | Front plate for an ion source |
KR100836765B1 (ko) * | 2007-01-08 | 2008-06-10 | 삼성전자주식회사 | 이온빔을 사용하는 반도체 장비 |
US7915597B2 (en) | 2008-03-18 | 2011-03-29 | Axcelis Technologies, Inc. | Extraction electrode system for high current ion implanter |
US8089052B2 (en) | 2008-04-24 | 2012-01-03 | Axcelis Technologies, Inc. | Ion source with adjustable aperture |
US7888662B2 (en) * | 2008-06-20 | 2011-02-15 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Ion source cleaning method and apparatus |
US8716682B2 (en) * | 2011-04-04 | 2014-05-06 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Apparatus and method for multiple slot ion implantation |
US20140319994A1 (en) | 2013-04-25 | 2014-10-30 | Neil K. Colvin | Flourine and HF Resistant Seals for an Ion Source |
US9543110B2 (en) | 2013-12-20 | 2017-01-10 | Axcelis Technologies, Inc. | Reduced trace metals contamination ion source for an ion implantation system |
JP6344973B2 (ja) * | 2014-05-22 | 2018-06-20 | 住友重機械工業株式会社 | マイクロ波イオン源 |
US20150357151A1 (en) | 2014-06-10 | 2015-12-10 | Axcelis Technologies, Inc. | Ion implantation source with textured interior surfaces |
JP6388520B2 (ja) * | 2014-10-17 | 2018-09-12 | 住友重機械イオンテクノロジー株式会社 | ビーム引出スリット構造、イオン源、及びイオン注入装置 |
US10714296B2 (en) | 2018-12-12 | 2020-07-14 | Axcelis Technologies, Inc. | Ion source with tailored extraction shape |
US11810746B2 (en) | 2021-09-13 | 2023-11-07 | Applied Materials, Inc. | Variable thickness ion source extraction plate |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2700107A (en) * | 1950-01-10 | 1955-01-18 | John S Luce | Ion source |
US4146810A (en) * | 1977-12-29 | 1979-03-27 | International Business Machines Corporation | Radiation heated acceleration |
JPS5852297B2 (ja) * | 1979-06-04 | 1983-11-21 | 株式会社日立製作所 | マイクロ波イオン源 |
JPS6191921A (ja) * | 1984-10-12 | 1986-05-10 | Nec Corp | 半導体装置の製造装置 |
US4831270A (en) * | 1987-05-21 | 1989-05-16 | Ion Implant Services | Ion implantation apparatus |
JPH0750595B2 (ja) * | 1987-06-12 | 1995-05-31 | 日本電子株式会社 | 荷電粒子ビ−ム装置用アパチャ板及びその作成方法 |
JPH01236561A (ja) * | 1987-11-28 | 1989-09-21 | Fuji Electric Co Ltd | イオンビーム装置 |
-
1989
- 1989-11-13 US US07/436,296 patent/US5026997A/en not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-11-07 DE DE69018018T patent/DE69018018T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-11-07 EP EP90312164A patent/EP0428319B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-11-08 KR KR1019900018009A patent/KR950009618B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1990-11-13 JP JP2306988A patent/JP2961326B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0428319A2 (en) | 1991-05-22 |
DE69018018T2 (de) | 1995-10-26 |
DE69018018D1 (de) | 1995-04-27 |
US5026997A (en) | 1991-06-25 |
KR950009618B1 (ko) | 1995-08-25 |
JP2961326B2 (ja) | 1999-10-12 |
EP0428319B1 (en) | 1995-03-22 |
EP0428319A3 (en) | 1991-11-13 |
JPH03165433A (ja) | 1991-07-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR910010674A (ko) | 타원형 이온비임의 배출방법 및 장치 | |
RU2279769C2 (ru) | Плазменный ускоритель | |
US5117107A (en) | Mass spectrometer | |
TW428204B (en) | Acceleration and analysis architecture for ion implanter | |
DE60112427D1 (de) | Gitterlose fokussierungsvorrichtung zur extraktion von ionen für einen flugzeitmassenspektrometer | |
JPH04229996A (ja) | 閉電子ドリフトを持つプラズマ加速器 | |
CA2227806A1 (en) | Spectrometer provided with pulsed ion source and transmission device to damp ion motion and method of use | |
SE8700017L (sv) | Jonplasmaelektrokanon | |
KR100350615B1 (ko) | 수증기를사용하여이온빔을중화시키기위한시스템및방법 | |
US20080203286A1 (en) | Apparatus and method for cooling ions | |
EP0531949B1 (en) | Fast atom beam source | |
KR0158875B1 (ko) | 전자비임 여기(勵起) 이온 원(源) | |
JPWO2019155530A1 (ja) | イオン化装置及び質量分析装置 | |
BR9609349A (pt) | Método e aparelho para purificar uma mistura gasosa incluindo moléculas e/ou células de substância tóxicas ou poluentes | |
TR199701532A2 (xx) | Labirent �ekilli iletken g�zergah� haiz iyon olu�turma kayna�� blok filamenti. | |
JP4571003B2 (ja) | クラスターイオンビーム装置 | |
JPH07183001A (ja) | イオン性アルミニウムの製造方法及び装置 | |
RU2005125537A (ru) | Ионный ускоритель | |
US2839706A (en) | Pulsed ion source | |
KR100735014B1 (ko) | 이온주입장치의 매니플레이터 | |
JPH0353402Y2 (ko) | ||
SU908193A1 (ru) | Источник ионов | |
RU2183985C2 (ru) | Способ промышленного электромагнитного разделения изотопов химических элементов | |
US5003226A (en) | Plasma cathode | |
JP2003257360A (ja) | 電子衝撃型イオン源 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
G160 | Decision to publish patent application | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20070710 Year of fee payment: 13 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |