KR910001078A - 고형 금속계 물질내에 별개의 고형 분산체를 갖는 복합 재료 및 그의 제조방법 - Google Patents

고형 금속계 물질내에 별개의 고형 분산체를 갖는 복합 재료 및 그의 제조방법 Download PDF

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Abstract

내용 없음.

Description

고형 금속계 물질내에 별개의 고형 분산체를 갖는 복합 재료 및 그의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 실행에 유용한 장치 중 한가지 유형의 단면도이다.
제4도 및 제5도는 본 발명의 실행에 유용한 장치 중 다른 유형의 단면도이다.

Claims (23)

  1. (a) 고형 매트릭스 부분의 전구체인 첫번째 다량의 유동 물질내에 분산체의 농축된 분산물을 형성시키고 : (b) 상기 농축된 분산물의 최소한의 부분을 최종 복합재료의 매트릭스 전구체인 두번째 다량의 유동 물질과 혼합시키고 : (c) 상기 농축된 분산물의 상기 최소한의 부분에 함유된 분산체를 결과 형성된 유동 물질에 분산시키고 : (d) 단계(c)로 부터의 상기 유동물질을 고형화시켜 최종 복합 재료를 형성시키는 것을 포함하는, 고형 매트릭스 물질내에 대다수의 별개의 고형 분산체를 갖는 복합재료를 제조하는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 대다수 분산체의 다공성 충전 층을 형성시키고 분산체의 상기 다공성 충전층을 상기 첫번째 다량의 용도 물질로 침투시키는 방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 다공성 충전 층을 상기 침투전에 제거시키는 방법.
  4. 제1항에 있어서, 단계(b)를 수행하기 전에 상기 농축된 분산물 매트릭스의 최소한의 부분을 고형화시키는 것을 포함하는 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 분산체가 주로 탄화규소, 질화규소, 질화알루미늄, 알루미나, 티타니아, 실리카, 탄화붕소, 붕화물, 탄화물, 규화물, 또는 다이아몬드를 포함하고, 상기 매트릭스 물질이 주로 알루미늄, 알루미늄, 합금, 청동, 구리, 구리합금, 마그네슘, 마그네슘합금, 티탄, 티탄합금, 아연 또는 아연 합금을 포함하는 방법.
  6. 제1항 내지 제5항중 어느 한항에 있어서, 상기 분산체가 주로 탄화규소, 탄화붕소, 질화규소, 또는 질화알루미늄을 포함하는 방법.
  7. 제1항 내지 제6항중 어느 한 항에 있어서, 최종 복합 재료가 5-40v/o의 별개의 분산체 및 5%이하의 기공, 공극 및/또는 기체를 포함하는 방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 분산체가, 농축된 분산물의 형성 온도 및 최종 복합재료의 형성온도에서, 분산체 물질과 상기 유동 물질 사이에 다른 방법으로 일어날 화학 반응을 지체시키는 차단 물질의 표면 층을 갖는 방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 차단층이 주로 금속, 산화금속, 질화금속, 규화금속, 탄화금속, 또는 붕화금속을 포함하는 방법.
  10. 제8항에 있어서, 첫번째 다량의 유동 물질이, 유해한 화학 반응을 촉진시키지 않고 분산체의 습윤을 용이하게 하는 물질을 함유하는 방법.
  11. 제8항 내지 제10항중 어느 한항에 있어서, 결과 형성된 유동 물질이 주로 알루미늄과 12%이하의 규소를 함유하는 방법.
  12. 제8항 내지 제11항중 어느 한항에 있어서, 표면층이 2미크론 이하의 두께를 갖는 상기 차단물질이 구리, 몰리브덴, 니켈, 아연, 주석, 티탄, 실리카, 알루미나, 크로미아, 산화니켈, 산화구리, 멀라이트, 스피넬, 티타니아, 마그네슘 실리케이트, 리듐 실리케이트, 질화규소, 질화티탄, 질화붕소, 질화 알루미늄, 규화 몰리브덴, 규화구리, 또는 규화티탄인 방법.
  13. 제8항 내지 제10항중 어느 한항에 있어서, 상기 차단 물질이 아산화규소를 포함하는 방법.
  14. 제1항 내지 제13항중 어느 한항에 있어서, 농축된 복합 재료의 최소한 한 부분과 두번째 다량의 유동 물질의 혼합공정을 최종 복합 재료 매트릭스의 융점 보다 높은 최소한 70℃에서 수행하는 방법.
  15. 제1항 내지 제14항중 어느 한항에 있어서, 농축된 분산물이 25 내지 85중량%의 분산체 및 75 내지 15중량%의 매트릭스 전구체를 포함하는 방법.
  16. (A) 매트릭스 : (B) 5-40v/o의 별개의 분산체 : 및 (C) 5%이하의 기공, 공극, 및/또는 기체를 포함하는 복합 재료.
  17. 제16항에 있어서, 매트릭스가 알루미늄, 알루미늄합금, 청동, 구리, 구리합금, 마그네슘, 마그네슘 합금, 티탄, 티탄합금, 아연 또는 아연 합금인 복합 재료.
  18. 제16항에 있어서, 분산체가 탄화규소, 질화규소, 질화 알루미늄, 알루미나, 티타니아, 실리카, 탄화붕소, 붕화물, 탄화물, 규화물, 또는 다이아몬드를 포함하는 복합재료.
  19. 제16항 내지 제18항중 어느 한 항에 있어서, 분산체가, 상기 매트릭스 물질과 분산체의 중심에 있는 물질 사이에 다른 방법으로 일어날 화학 반응을 지체시키는 차단 물질의 표면 층을 갖는 복합재료.
  20. 제19항에 있어서, 상기 차단 층이 주로 금속, 산화금속, 질화금속, 규화금속, 탄화금속, 또는 붕화금속을 포함하는 복합재료.
  21. 제19항에 있어서, 표면층이 2미크론 이하의 두께를 갖는 상기 차단 물질이 구리, 몰리브덴, 니켈, 아연, 주석, 티탄, 실리카, 알루미나. 크로미아, 산회니켈, 산화구리, 멀라이트, 스피넬, 티타니아, 마그네슘, 실리케이트, 리튬 실리케이트, 질화규소, 질화티탄, 질화붕소, 질화 알루미늄, 규화물리브덴, 규화붕소, 규화구리, 또는 규화티탄인 복합재료.
  22. 제19항에 있어서, 상기 분산체가 주로 탄화규소이고, 매트릭스가 12%이하의 규소를 함유하는 알루미늄을 주로 포함하는 복합재료.
  23. 제19항에 있어서, 분산체가 주로 탄화규소이고, 매트릭스가 8%이하의 규소를 함유하는 알루미늄을 주로 포함하고, 차단 물질이 이산화규소를 포함하는 복합재료.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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