KR910000116B1 - 이메지 센서 및 그 제조방법 - Google Patents

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KR910000116B1 KR1019860011332A KR860011332A KR910000116B1 KR 910000116 B1 KR910000116 B1 KR 910000116B1 KR 1019860011332 A KR1019860011332 A KR 1019860011332A KR 860011332 A KR860011332 A KR 860011332A KR 910000116 B1 KR910000116 B1 KR 910000116B1
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오사무 시마다
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Abstract

내용 없음.

Description

이메지 센서 및 그 제조방법
제1도는 종래의 이메지 센서를 나타내는 개략도이다.
제2도는 본 발명 이전에 본 발명자에 의해 만들어진 이메지 센서의 평면 개략도이다.
제3a도는 본 발명의 한 예의 이메지 센서를 나타내는 것이다.
제3b도는 제3a도의 선 A-A에 따른 단면 개략도이다.
제4도는 제3a도 및 제3b도의 이메지 센서의 회로를 나타내는 개략도이다.
제5도는 본 발명의 다른 예로서 이메지 센서에 부착된 전극의 평면을 나타내는 개략도이다.
제6도는 본 발명의 다른 예의 이메지 센서의 단면 개략도이다.
제7도는 본 발명의 다른 예의 이메지 센서의 단면 개략도이다.
제8도는 본 발명의 다른 예를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
31 : 기판 32 : 반도체층
33 : 저저항층 34 : 제1전극
35 : 제2전극 36 : 제1와이어
37 : 절연층 38 : 제2와이어
50 : 매트릭스 와이어 지역 52 : 광감지소자 지역
85 : 접착층
본 발명은 이메지 센서(image sensor) 특히 광감지소자 어레이와 매트릭스 와이어를 사용하는 이메지 센서와 그 제조방법에 관한 것이다.
밀착형 이메지 센서와 같은 그러한 긴 이메지 센서는 광도전 효과를 사용하여 만들 수 있다.
제1도는 이러한 이메지 센서의 한 예를 나타내는 것으로서, 유리기판(1)에는 CdS0.2Se0.8:Cu층(2)이 선형으로 배치되어 있고, 그리고 대향하는 전극(3)(4)과 와이어(5)가 NiCr-Au 층으로 형성되어 있다.
각 그룹에 대한 공통 전극으로 전극(3)을 형성시키고 그리고 필름리드(6)를 부착시켰다.
"7"은 폴리이미드 필름을 나타낸다.
이러한 구조에서는 필름리드(6)를 정확하게 부착시키는 것이 불가능하기 때문에 정교하게 만들 수 없으므로 이러한 기술로 폭이 좁은 이메지 센서를 만들기가 어렵다.
제2도는 본 발명 이전에 본 발명가에 의해 만들어진 이메지 센서를 나타내는 개략도이다.
제2도에서, 절연기판(21)위에 수소화 무정형 실리콘(a-Si:H)층과 같은 반도체층(22)과 서로 대향하는 전극(23)(24)이 형성되어 있다.
부분(24')을 포함하고 있는 전극(24)은 광감지 소자용의 공통전극이고, 반대편의 전극(23)은 뻗어서 제2와이어(25)를 형성하고 있다.
제2와이어(25)는 관통 구멍(C)에서 소자의 어레이의 배치방향에 평행으로 형성되어 있는 제1와이어(26)에 연결되어 있고, 상기 구멍(C)은 절연층(27)(예로서 폴리이미드, 에폭시 등)의 제1 및 제2와이어(25)(26)가 교차되는 곳에 형성되어 있다.
원고면에서부터 반사되는 빛이 광감지어레이에 부딪칠 때 그 소자의 전기저항은 어레이에 입사되는 빛의 양에 따라 변화한다.
그러므로 공통전극(24)에다 전압을 계속 적용시키고 그리고 제1와이어(26)에 연속 주사를 함으로써 저항의 변화를 전기신호로 판독하여 원고상의 화상을 판독할 수 있도록 하는 것이 가능하다.
그러나 이러한 이메지 센서에는 후술하는 것과 같은 많은 결함들이 있다.
반도체층(22)이 마스크 플라즈마 CVD 방법 등에 의해 광감지 지역에서 밴드형으로 형성된다.
그러나 반도체층(22)의 폭방향으로 전극(23)에서 돌출된 부분들이 마스크와 기판 사이의 접촉의 불균일에 기인하여 균일하지 않게 된다.
반도체층(22)의 전극(23)에서 돌출된 부분들의 에지의 필름두께가 균일하지 않기 때문에 절연층(28)이 그 부분에 겹쳐지도록 형성되게 되면 그 절연층(28)의 접착은 불완전하게 된다.
그러므로 절연층(28)이 반도체층(22)의 에지에서 겹쳐지지 않게 하기 위하여는 반도체층(22)과 절연층(28) 사이가 충분히 크게 분리되어야 하기 때문에 이메지 센서의 크기가 크게 되어진다.
상기 문제점을 해결하기 위해 기판(21)의 전체 표면에 반도체층(22)을 형성시키고 난 후 예를들어 포토레지스터/에칭(photoresist/etching) 기술을 사용하여 좁은 밴드형과 감지지역을 제외한 지역을 제거하는 것을 고려할 수 있다.
그러나 반도체층(22)의 에칭시은 포토레지스트의 코팅, 노출 및 레지스트의 현상 그리고 리지스트의 제거의 과정을 포함하기 때문에 이러한 단계들은 코스트를 상승시키는 요인이 된다. 더욱이 필요하게 되는 공정의 수가 증가함에 따라 생산량이 또한 감소하게 된다.
그리고 또 처리과정이 복잡하므로 생산성이 저하되는 결점이 있고, 또한 반도체층(22)을 먼저 형성시킬 때 절연층(28)에다 에칭시키는 과정에 기인하여 그 반도체층(22)이 변형되는 결함도 있으며, 절연층(28)을 형성시킨 후 반도체층(22)을 형성시킬 때 절연층(28)용 물질의 영향 때문에 반도체층(22)의 품질을 양호하게 하는 것이 어렵고, 반도체층(22)을 형성시키기 위해 미리 세척하는데 사용되는 과산화수소와 암모니아의 혼합물과 같은 세척용액 때문에 절연층(28)이 손상되는 문제점도 있으며, 또한 전술한 바와 같이 광도전층과 절연층을 향상하는 것이 어렵기 때문에 생산성을 높이고 가격을 절감시키기 위해 제조단계를 감소시키는 것이 요구되고 있다.
또한 제2도의 구조에서 광감지소자 어레이 위에 보호용 절연필름을 부가적으로 형성시키는 것이 바람직하지만 이러한 것은 제조과정을 하나더 추가시키는 결과가 된다.
본 발명의 목적은 개량된 이메지 센서를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 폭이 좁은 개량된 이메지 센서를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 생산성이 양호한 개량된 이메지 센서를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 제조단계를 줄일 수 있는 개량된 이메지 센서를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 이메지 센서를 제조하는 개량된 방법을 제공하는 것이다.
상기의 목적을 달성하게 위하여 본 발명의 한측면에 따라 제공되는 이메지 센서는:적어도 기판의 제1지역에 형성된 반도체층; 일렬로 배치되어 있고, 상기의 제1지역의 반도체층에 전기적으로 연결되어 있는 제1전극; 전극부의 그룹은 각각 공통의 전극을 지니고, 상기의 제1전극의 각각, 제1전극에 대향하는 상기의 공통 제2전극의 부분 및 제1전극과 상기의 공통의 제2전극의 부분 사이에 위치하는 상기의 반도체층은 광감지소자를 포함하고, 일렬로 배치되고 제1지역의 반도체층에 전기적으로 연결되어 있는 제1전극; 제1전극에서 기판의 제2지역까지 각각 뻗어 있는 제1와이어; 광감지소자 및 상기의 제1와이어를 덮어 씌우며, 제1 및 제2지역에 연속적으로 형성된 절연층; 및 상기의 제2지역의 절연층에 평행하게 형성되어 있고, 상기의 절연층에 형성되어 있는 관통구멍에서 상기의 제1와이어에 전기적으로 연결되는 제2와이어로 구성된다.
본 발명의 다른 측면에 따른 이메지 센서는; 기판의 제1지역에 일렬로 배치되어 있고, 각각은 전극쌍과 전극쌍 사이에 배치된 반도체층으로 구성된 다수의 광감지소자; 전극쌍의 한쪽 전극에서부터 기판의 제2지역에까지 각각 뻗어 있는 제1와이어; 제1 및 제2지역에 연속적으로 형성되어서 광감지소자와 제1와이어를 덮고 있는 절연층, 및 제2지역의 절연층에 평행하게 형성되어 있고, 상기 절연층에 형성된 관통구멍에서 제1와이어와 전기적으로 접촉되는 제2와이어로 구성된다.
본 발명에 다른 측면에 따라 이메지 센서를 제조하는 방법은; i) 적어도 기판의 제1지역에 반도체층(32)을 형성하는 단계; ii) 제1 및 제2전극은 상호 대향하여 일렬로 배치되고 상기 제1지역의 상기 반도체층에 전기적으로 연결되며, 제2전극의 각각은 다수의 상기 제1전극에 대향하고, 제1와이어는 제1전극에서 기판상의 제2지역까지 뻗어 있는 제1전극, 제2전극 및 제1와이어를 형성하는 단계; iii) 제1전극, 제2전극 및 제1와이어를 덮어 씌우고 있고, 제1와이어에 해당하는 구멍을 지니는 절연층을 상기의 제1 및 제2지역에 연속적으로 형성하는 단계; iv) 상기의 절연층에 도체층을 형성하는 단계; 및 v) 제2지역의 상기 절연층에 평행하게 형성된 제2와이어를 형성하기 위하여 상기의 도체층을 형성하여 상기의 관통구멍에서 제1와이어에 전기적으로 접촉시키는 단계로 구성된다.
본 발명의 또 다른 측면에 따라 이메지 센서를 제조하는 방법은; i) 기판의 다수의 이메지 센서 지역에 반도체층을 형성하는 단계; ii) 제1 및 제2전극은 일렬로 상호 대향하여 배치되고, 상기 제2전극의 각각은 다수의 상기 제1전극에 인접하며, 상기 제1와이어는 제1전극에 전기적으로 연결되는 제1전극, 제2전극 및 제1와이어를 각각의 이메지 센서 지역에 형성하는 단계; iii) 제1전극 , 제2전극 및 제1와이어를 덮어 씌우는 절연층을 기판에 형성하는 단계; iv) 절연층의 관통구멍에서 상기의 제1와이어에 접촉되는 제2와이어를 평행하게 형성하는 단계; 및 v) 다수의 이메지 센서를 형성하기 위하여 기판을 절단하는 단계로 구성된다.
이하 본 발명을 첨부도면에 의거하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
제3a도는 본 발명에 따른 이메지 센서의 한예를 나타내는 평면도이고, 제3b도는 제3a도의 선 A-A에 따른 단면도이다.
기판(31)은 무알카리 유리기판 또는 글레이즈된 세라믹기판(즉 세라믹 기판의 전체 표면에 형성된 연화점이 높은 유리층) 등으로 구성되어 있다.
기판(31)의 광감지소자 지역(52)(제1지역)에는 반도체층(32)이 형성되어 있다.
반도체층(33)은 수소화 무정형 실리콘(a-Si:H)등으로 즉 5% 이상의 H와 20% 이상의 Si를 포함하고, 두께가 0.5㎛이며, 1010Ω-cm 이상의 고유저항을 가진 고저항층(고유층)으로 되어 있다.
반도체층(32)의 표면에는 P가 도프된 두께 0.005㎛ 내지 0.5㎛인 a-Si:H의 저 저항층(n+-층)(33)이 형성되어 있다.
저 저항층(33)을 형성시키는 이유는 반도체 층(32)에 형성될 금속과 저항접촉이 잘 이루어지도록 하기 위한 것이다.
반도체층(32)에는 제1전극(34)이 일렬과 같은 소정의 배치상태로 배열되어 있고, 제2전극(35)도 역시 일렬로 배치되어 있다.
제2전극(35)은 공통으로 연결된 전극이다.
제1전극(34)의 각각은 제2전극(35)의 부분(35')과 함께 전극쌍을 형성하고, 그들 사이에 위치한 반도체층(33)과 함께 상기 전극쌍은 광감지소자를 형성한다.
제1전극(34)들은 각각 매트릭스 와이어 지역(50)(제2지역)에까지 연장되어서 제1와이어(36)를 형성한다.
또한 절연층(37)이 전체 표면에 형성된다.
제2와이어(38)는 기판(31)의 매트릭스 와이어 지역(50)에 평행하게 형성된다.
전극(34)(35)와 와이어(36)(38)는 각각 Ti로 형성된다.
제2와이어(38)는 절연층(37)에 형성되어 있는 관통구멍(C)을 통해 제1와이어(36)에 연결된다.
제2전극(35)의 각각에는 광감지소자에 대응하는 다수개의 틈(54)이 있다.
각각의 제2전극(35)에는 같은 수의 제1전극(34)과 대향하는 전극부의 그룹(36)을 형성하는 다수의 부분(35')이 있다.
또한 제1전극(35)은 유사한 그룹(58)을 형성한다.
제1전극(34)의 각각은 제2와이어(38)를 경유하여 대응하는 그룹(58)에 연결된다.
제조단계는 다음과 같다:먼저 예를 들어, 과산화수소와 암모니아의 혼합액으로 기판(31)을 세척한 후 마스크 플라즈마 CVD 방법등으로 반도체층(32)의 a-Si:H층과 저저항층(33)의 도프된 a-Si:H층을 침식시킨다.
그후 스퍼터링 또는 증착 그리고 PEP 처리에 의해(photo engraving process) Ti의 같은 층으로 제1 및 제2전극(34)(35)과 제1와이어(36)를 형성시킨다.
그후 저저항층(33)의 노출된 부분을 에칭시킨 다음 절연층(37)을 형성시킨다.
절연층(37)과 재질로서는 폴리이미드, 폴리아미드, 폴리에칠렌계 유기물, 아크릴계 유기물, 에폭시계 유기물, 또는 SiO2, SiOxNy그리고 Ta2O5및 특히 광투과율이 10% 이상인 물질등이 있다.
히드라진 등과 같은 부식제를 사용하여 절연층(37)에 제1와이어(36)와 제2와이어(38)를 접촉시키는 관통구멍(C)을 형성시킨다. 잘연층(37)의 재질로 광감성 폴리이미드를 사용할 경우에 부식제 대신 현상액을 사용할 수 있다.
그 다음에 Ti를 사용하여 증착 또는 스퍼터링 및 그 후속의 PEP 처리에 의해 제2와이어(38)를 형성시킨다.
이 구체적 실시예에서는 제3b도에 도시된 것과 같이 위쪽에서 입사광이 주사되고, 절연층(37)은 광감지소자 어레이용 보호층의 역할을 한다.
제4도는 제3a도와 제3b도에 도시된 이메지 센서용 회로도이다.
제4도로부터 볼 수 있는 것과 같이 제2전극(35)에 구동전압을 계속 인가하여 광감지소자 어레이의 각 그룹(56)을 선택하고, 제2와이어(38)를 통해서 광도전층에 입사되는 빛의 강도에 따라 저항이 변화하는 것에 근거하여 얻어지는 각 그룹(58)의 신호를 연속적으로 판독하는 동작을 반복하여 이메지 신호를 얻는 것이 가능하다.
이 구체적 실시예에 따라 전극(34)(35)과 와이어(36)(38)는 증착 또는 스퍼터링 및 PEP 처리에 의해 만들어지고, 관통구멍에서 접촉된다.
그러므로 폭이 상당히 좁은 이메지 센서를 쉽게 얻을 수 있다.
광감지소자 어레이의 지역에 밴드형으로 반도체층을 형성시키는 경우에 반도체층의 폭방향으로 반도체층의 돌출된 부분들이 불균일하여도 표면 전체에 절연층(37)을 형성시킬 수 있다.
이런 식으로 절연층(37)을 잘 접촉시켜 이메지 센서의 신뢰도를 개선시킬 수 있다.
즉 광감지소자 어레이와 매트릭스 와이어를 서로 인접하게 형성시킬 수 있기 때문에 이메지 센서를 소형으로 만들 수 있다.
반도체층을 먼저 형성시킬 경우에는 상기 반도체층이 절연층을 부식시키는 과정에서 부식제에 의해 변형되는 문제점이 있다.
그러나 본예에 따르면 반도체층이 형성된후 광감지소자 어레이 지역에서부터 매트릭스 와이어 지역에까지 형성되어 있는 절연층(37)에 의해 반도체층이 부식제로부터 보호되기 때문에 상기와 같은 문제점을 발생하지 않게 된다.
또한 제3a도와 제3b도의 구체적 실시에서, 절연층에 역효과를 줌이 없이 기판이 세척가능한 상태로 반도체층을 형성하기 위하여 기판에 먼저 반도체층을 형성시키는 것이 가능하다.
그리고 또 광도전층을 형성시키는 상태에서 기판 표면에 절연층의 역할을 하는 유기물 수지와 같은 물질이 없기 때문에 상기 물질에 의해 영향을 받지 않은 품질이 우수한 반도체층을 형성시킬 수 있다.
더욱이 구체적 실시예에 따라 제1와이어(36)와 제2와이어(38)를 절연시키는 절연층을 형성시킴과 동시에 보호용 절연필름을 형성시킬 수 있기 때문에 추가적인 보호용 절연층을 형성시키는 방법과 비교할 때 공정수를 감소시킬 수 있게 된다.
제5도는 본 발명의 다른 구체적 실시예로서 이메지 센서에 부착된 전극의 평면도를 나타내는 개략도이다.
여기서, 광감지소자 어레이에 있는 대향하는 전극(34)(35)의 형태는 빗살(comb-tooth)형으로 되어 있으며, 이러한 것은 센서의 민감도가 향상되게 된다.
제6도는 본 발명의 다른 구체적 실시예의 이메지 센서의 단면도이다.
반도체층(32)이 제3a도와 제3b도에서는 광감지소자 지역에만 형성되어 있지만 제6도에 도시된 바와 같이 기판(31)의 표면 전체에 반도체층을 형성시킬 수도 있다.
광감지소자 어레이의 소자들 사이의 리이크(leak)(소자사이의 리이크, 주로 제1와이어 사이에서 발생)를 하기와 같이 간주할 수 있다.
이 예에서, p로 도프된 a-Si:H의 저저항층(33)은 제3a도와 제3b도에 도시된 예에서만 같이 광감지소자 지역에서 에칭되어 있다.
즉 제3a도에서, 광감지소자 어레이의 각각의 소자의 저항은 L1/W1에 비례하며, 이때 L1은 대향하는 전극(34)(35) 사이의 틈의 폭이고, W1은 전극(34)와 (35) 사이의 틈의 길이이다.
한편, 소자 사이의 저항은 L2/W2에 비례하며, 이때 L2는 와이어(36) 사이의 간격이고, W2는 와이어(36)의 길이이다.
이 경우에 조건 L1/W1≪L2/W2가 만족되면 소자사이의 리이크를 무시할 수 있게 되기 때문에 반도체층이 제6도에 도시된 바와 같이 기판(31)의 전체 표면에 형성되어 있어도 문제점이 야기되지 않는다.
실시예로서, 예를 들어, L1=6㎛이고, W1=500㎛일 경우 L2=750㎛ 그리고 W2=2MM로 하면 두 종류의 저항의 비율은 31로 되고 이러한 것은 실용성이 좋다.
상기한 조건이 만족되지 않을 경우 매트릭스 와이어 지역(50)에 빛차단 필름을 형성시키든지 또는 광감지소자 지역(52)에만 빛이 입사되게 하는 결상용 렌즈를 사용하여 반도체층(52)의 광감지소자 지역 이외의 다른 지역에 빛이 입사되지 않게 하여 소자 사이의 리이크를 작게 할 수도 있다.
즉 빛이 입사되는 지역의 고유저항이 Rp이고, 빛이 입사되지 않는 지역의 고유저항이 Rd라면 광감지소자 어레이의 소자저항은 Rp×L1/W1에 비례하고 그리고 광감지소자 어레이의 소자 사이의 저항은 Rd×L2/W2에 비례하므로 Rp×L1/W1≪Rd×L2/W2이면 소자간의 리이크는 무시할 수 있게 된다.
소자 사이의 리이크를 무시할 수 있는 다른 방법으로서는 강한 빛을 반도체층(32)의 광감지소자 지역이외의 지역에 미리 조사시켜 소위 광열화(photo-deterioration)효과(즉 Staebler-Wronski 효과)에 의한 고저항으로 상기 지역을 변경시키는 방법이 있다.
또한 기판(31)의 전체 표면에 반도체층(32)을 형성시키는 경우에 제7도에 도시된 바와 같이 전극(34)(35)과 와이어(36)를 형성시킨후 에칭에 의해 제1전극(34), 제2전극(35) 및 제1와이어(36)의 아래쪽 지역에만 저저항층(33)을 남겨둠으로써 광감지소자 어레이의 소자들 사이의 절연저항을 크게할 수 있다.
즉 고저항층(32)은 고유저항이 약 1012Ω-m 정도로 높은 a-Si:H층으로 되어 있기 때문에 상기의 구성에 의해서 절연저항은 충분히 안정적이고, 소자 사이의 리이크는 실제상에 있어서 문제가 야기되지 않을 정도로 억제되어 진다.
전술한 바와 같이 기판(31)의 전체 표면에 반도체층(32)을 형성시키는 것이 가능하고, 그리고 이러한 것은 동일한 기판에 다수의 이메지 센서를 동시에 형성시킬 때 아주 효율적이다.
제8도에 도시된 예에서, 다수(이 경우에 4개)의 이메지 센서(81)(82)(83)(84)(제6도에 도시된 것과 같이 이메지 센서가 완전하게 형성되어 있음)가 기판(31)에 형성되어 있다.
제8도에서 점선으로 표시된 부분을 절단하여 다수의 이메지 센서(81) 내지 (84)를 만들 수 있다.
그러므로 각 이메지 센서 지역에 대응하는 밴드형의 반도체층을 형성시킬 필요가 없으므로 이메지 센서를 대량 생산할 수 있다.
또한 반도체층을 기판에다 연속적으로 형성시킬 수 있다.
제조공정의 수는 전술한 구체실시예와 공통이다.
이 구체적예에서는 절단할 때 반도체층이 분리되지 않도록 그 반도체층의 접착력을 강화시키기 위해 기판(31)과 반도체층 사이에 접착층(85)을 삽입시켰다.
접착층(85)으로서는 질화 실리콘(SiNx,SiNxOy,SiNxH2등)을 주성분으로 하는 층이 가장 좋고, 그리고 Ta,Si,Cr,Al,Ti,V 등의 금속 산화물, 질화물 또는 탄화물이 적당하다.
금속 산화물의 경우, Cr,Al,Ti,V 등의 산화 자유 생성 에너지가 비교적 작은 재료를 기판(31)에 피복시킨 후 그 표면을 양근 산화등으로 산화시키든가 또는 산소 플라즈마로 처리하면 된다.
또한 접착층으로 사용될 Si3N4필름은 스퍼터링 방법이나 플라즈마 CVD 법으로 형성하는 것이 가격면에서 바람직하지만 달리 열 CVD 법, 증착법, MOCVD 법, 이온 플레이팅법, 클라스터 이온 비임법, 광 CVD 법, MBE 법 등의 어느 방법으로 해도 좋다.
또한 기판상에 접착층을 이용하는 경우 기판으로 유리를 사용해도 되고 스테인레스 강철등의 금속을 사용할 수 있다.
본 발명은 상기한 예에만 한정되는 것이 아니다.
예를 들면, 전술한 구체적 실시예에서는 Tirk 전극(34)(36)과 와이어(36)(38)의 재질로 사용되지만 Ti 대신 Cr,Al,Mo,Mn,Nb,V,W,Ta,Sb와 같은 금속이나 Cr-Al(Al 층이 Cr 층에 겹쳐져 있음)과 같은 층이 진(stacked) 금속을 사용할 수 있고, 그리고 Cr-Cu,Cr-Au,Ti-Au,Ti-Ni 등과 같은 층이진 금속도 사용할 수 있다.
또한 상기 예에서는 입사광을 위에서부터 조사시켰지만 기판이 투명한 물질로 되어 있을 경우에는 이메지 센서의 아래에서부터 입사광이 조사되게 할 수도 있다.
본 발명을 본 발명의 범위내에서 다양하게 변형시킬 수도 있다.

Claims (24)

  1. 기판(31); 상기의 기판의 제1지역에 평행하게 형성된 반도체층(32); 소정의 형태로 배치되어 있고 상기의 제1지역의 상기의 반도체층에 전기적으로 연결되어 있는 다수의 제1전극(34); 전극부의 그룹은 각각 공통의 제2전극을 지니고, 상기의 다수의 전극부는 소정 형태를 지니고 상기의 제1의 다수의 전극의 전극에 인접하여 위치하며, 상기의 전극부, 상기의 제1전극 및 그 사이에 위치하는 상기의 반도체층은 광감지 소자를 포함하고, 소정의 형태로 상기의 제1지역의 상기의 반도체층에 전기적으로 연결되어 있는 다수의 전극부(35') 상기의 제1전극에서 상기의 기판의 제2지역까지 각각 뻗어 있는 제1와이어(36); 상기의 광감지소자 및 상기의 제1와이러를 덮어 씌우며, 상기의 제1 및 제2지역에 형성된 절연층(37); 및 상기의 제2지역의 상기의 절연층에 평행하게 형성되어 있고, 상기의 절연층에 형성되어 있는 관통구멍(c)에서 상기의 제1와이어에 전기적으로 연결되는 제2와이어로 구성되는 것을 특징으로 하는 이메지 센서.
  2. 제1항에 있어서, 상기의 반도체(32)이 무정형 실리콘을 포함하는 것을 특징으로 하는 이메지 센서.
  3. 제1항에 있어서, 상기의 반도체 이메지 센서는 상기의 반도츠쳉(32)층과 상기의 제1 및 제2전극(34,35) 사이에 형성된 도핑된 무정형 실리콘의 저저항층(33)을 포함하는 것을 특징으로 하는 이메지 센서.
  4. 제1항에 있어서, 제1전극(34)은 다른 위치에 배치되어 전극부의 그룹의 수에 해당하는 수의 그룹을 형성하고, 이때 제1전극의 각각은 상기의 와이어에 의해 제1전극의 각각의 그룹과 동일한 위치를 지니는 제1전극들 사이에서 공통으로 연결되는 것을 특징으로 하는 이메지 센서.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제2전극(35)의 각각에 상기의 광감지소자에 해당하는 틈이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 이메지 센서.
  6. 제1항에 있어서, 상기의 기판(31)이 유리기판과 글레이즈된 세라믹 기판의 그룹에서 선택된 것을 특징으로 하는 이메지 센서.
  7. 제1항에 있어서, 상기의 제1 및 제2전극(34,35)과 제1 및 제2와이어가 Ti,Cr,Al,Mo,Mn,Nb,V,W,Ta,Sb,Cr-Cu,Cr-Au,Ti-Au 및 Tr-Ni의 층이진 금속의 그룹에서 선택된 금속으로 형성된 것을 특징으로 하는 이메지 센서.
  8. 제1항에 있어서, 상기의 제1 및 제2전극(34,35)이 빗살형 전극의 형태로 되는 것을 특징으로 하는 이메지 센서.
  9. 제1항에 있어서, 상기의 광감지소자는 입사광의 강도에 대응하여 저항이 변화되는 것을 특징으로 하는 이메지 센서.
  10. 제1항에 있어서, 상기의 반도체층(32)이 제1지역에 밴드형으로 형성된 것을 특징으로 하는 이메지 센서.
  11. 제1항에 있어서, 상기의 반도체층(32)이 기판상에서 제1 및 제2지역의 전체에 연속적으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 이메지 센서.
  12. 제11항에 있어서, 적어도 하나의 저저항층(33)이 제1지역을 제외한 상기의 반도체층(32)과 상기의 제1전극(34)의 사이 및 제2전극(35)과 제1와이어(36) 사이에 형성되어 L1/W1≪L2/W2의 관계가 충족되며, 이때 L1은 상기의 제1 및 제2전극 사이의 틈의 폭이고, W1은 상기의 제1 및 제2전극 사이의 틈의 길이이며, L2는 상기의 제1와이어 사이의 스페이스 폭이고, 그리고 W2는 제1와이어의 길이인 것을 특징으로 하는 이메지 센서.
  13. 제11항에 있어서, 적어도 하나의 저저항층(33)이 상기의 반도체층(32)과 상기의 제1전극(34), 제2전극(35) 및 제1와이어(36) 사이에만 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 이메지 센서.
  14. 제11항에 있어서, 입사광이 상기의 제1지역의 상기의 반도체층(32)에만 단지 조사되는 것을 특징으로 하는 이메지 센서.
  15. 제1항에 있어서, 상기의 절연층(37)이 투명한 물질로 된 것을 특징으로 하는 이메지 센서.
  16. 제11항에 있어서, 기판과 반도체층 사이에 형성되는 접착층(85)을 포함하는 것을 특징으로 하는 이메지 센서.
  17. 제16항에 있어서, 상기의 접착층(85)이 질화물, 산화물 또는 카바이드인 것을 특징으로 하는 이메지 센서.
  18. 기판(31); 상기의 기판의 제1지역에 일렬로 배치되어 있고, 전극쌍 및 상기 전극쌍 사이에 위치하는 반도체층(32)을 포함하는 다수의 광감지소자; 상기 전극쌍의 한쪽 전극에서 상기 기판의 제2지역까지 각각 뻗어 있는 제1와이어(36); 상기의 광감지소자 및 상기의 제1와이어를 덮어 씌우고 있고, 상기의 제1 및 제2지역에 연속적으로 형성되어 있는 절연층(37); 및 상기의 제2지역의 상기 절연층에 평행하게 형성되어 있고,상기의 절연층에 형성되어 있는 관통구멍에서 상기의 제1와이어에 전기적으로 접촉하는 제2와이어(38)를 포함하는 것을 특징으로 하는 이메지 센서.
  19. 이메지 센서를 제조하는 방법에 있어서, 상기의 방법은:i) 적어도 기판의 제1지역에 반도체층(32)을 형성하는 단계; ii) 제1 및 제2전극(34,35)은 상호 대향하는 소정의 형태로 배치되어 상기 제1지역의 상기 반도체층에 전기적으로 연결되고, 제2전극의 각각은 다수의 상기 제1전극에 대향하며, 제1와이어(36)는 기판상의 상기 제1전극에서 제2지역에까지 뻗어 있는 상기의 제1전극, 상기의 제2전극 및 상기의 제1와이어를 형성하는 단계; iii) 제1전극, 제2전극 및 제1와이어를 덮어 씌우고 있고, 상기의 제1와이어에 해당하는 구멍을 지니는 절연층(37)을 상기의 제1 및 제2지역에 연속적으로 형성하는 단계; iv) 상기의 절연층에 도체층을 형성하는 단계; 및 v) 상기 제2지역의 상기 절연층에 평행하게 형성된 제2와이어(38)를 형성하기 위하여 상기의 도체층을 형성하여 상기의 관통구멍에서 상기의 와이어에 전기적으로 접촉시키는 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 이메지 센서의 제조방법.
  20. 제19항에 있어서, 상기의 단계 i) 이전에 상기의 반도체층(32)상에 저저항층을 형성하는 단계; 및 상기의 제1지역에 위치한 상기의 저저항층을 에칭하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이메지 센서의 제조방법.
  21. 제19항에 있어서, 상기의 단계 ii) 이전에 상기의 반도체층(32)에 저저항층(33)을 형성하는단계; 및 상기의 제1전극(34), 제2전극(35) 및 제1와이어(36)의 아래쪽을 제외한 상기의 저저항층을 에칭하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이메지 센서를 제조하는 방법.
  22. 제19항에 있어서, 상기의 단계 i) 이전에 상기의 기판에 접착층(85)을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이메지 센서의 제조방법.
  23. 이메지 센서를 제조하는 방법에 있어서, i) 기판(31)의 다수의 이메지 센서 지역에 반도체층(32)을 형성하는 단계; ii) 제1 및 제2전극은 일렬로 상호 대향하여 배치되고, 상기 제2전극의 각각은 다수의 상기 제1전극에 인접하며 상기 제1와이어는 상기의 제1전극에 전기적으로 연결되는 제1전극(34), 제2전극(35) 및 제1와이어를 각각의 이메지 센서 지역에 형성하는 단계; iii) 상기의 제1전극, 제2전극 및 제1와이어를 덮어 씌우는 절연층(37)을 상기의 기판에 형성하는 단계; iv) 상기의 절연층의 관통구멍(c)에서 상기의 제1와이어에 접촉되는 제2와이어(38)를 평행하게 형성하는 단계; 및 v) 다수의 이메지 센서를 형성하기 위하여 상기의 기판을 절단하는 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 이메지 센서의 제조방법.
  24. 제23항에 있어서, 상기의 단계 i) 이전에 상기의 기판상에 접착층(85)을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이메지 센서의 제조방법.
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4655796B2 (ja) * 2005-07-15 2011-03-23 株式会社村田製作所 弾性境界波装置の製造方法及び弾性境界波装置
JP6792438B2 (ja) * 2016-12-14 2020-11-25 浜松ホトニクス株式会社 光検出器

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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JPS59138371A (ja) * 1983-01-27 1984-08-08 Canon Inc フオトセンサアレイ
JPS6042877A (ja) * 1983-08-17 1985-03-07 Mitsubishi Electric Corp 受光素子
JPS60167479A (ja) * 1984-02-10 1985-08-30 Canon Inc フオトセンサアレイ

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