Claims (20)
알루미늄 기판, 하나 이상의 기판 면에 대해 상기 기판을 양극 처리하여 얻은 알루미나 막으로 구성되는 절연재 및 화학적 에칭에 의해 도전망으로 변형되는 하나이상의 금속막을 구비하는 절연금속기질에 있어서, 상기 알루미나 막은 알루미늄에 부착되는 500㎜를 초과하는 두께의 균인 컴팩트존과 외부표면이 거치른 다공성층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 절연금속기질.An insulating metal substrate having an aluminum substrate, an insulating material composed of an alumina film obtained by anodizing the substrate to at least one substrate surface, and at least one metal film deformed into a conductive network by chemical etching, wherein the alumina film is attached to aluminum. Insulated metal substrate, characterized in that formed of a porous layer passed through the outer surface and the compact zone is equal to the thickness of more than 500mm.
제1항에 있어서, 컴팩트 존의 두께는 500 내지 1000㎜인 것을 특징으로 하는 절연금속기질.The insulating metal substrate according to claim 1, wherein the compact zone has a thickness of 500 to 1000 mm.
제1항에 있어서, 다공성 층의 두께는 5 내지 50㎛인 것을 특징으로 하는 절연금속기질.The insulating metal substrate according to claim 1, wherein the porous layer has a thickness of 5 to 50 mu m.
제3항에 있어서, 다공성 층의 두께는 15 내지 30㎛인 것을 특징으로 하는 절연금속기질.The insulating metal substrate of claim 3, wherein the porous layer has a thickness of 15 to 30 μm.
제1항에 있어서, 막은 접착제에 의해 다공성 알누미나 층으로 부터 분리되는 것을 특징으로 하는 절연금속기질.2. The insulating metal substrate of claim 1, wherein the membrane is separated from the porous alumina layer by an adhesive.
제5항에 있어서, 접착제는 부식된 회로에 의해 받는 열 사이클에 의해 산출되는 전도체의 상대적 변위에 대항할 수 있는 것을 특징으로 하는 절연 금속 기질.6. The insulated metal substrate of claim 5 wherein the adhesive is capable of countering the relative displacement of the conductor produced by thermal cycles received by the corroded circuit.
제5항에 있어서, 접착제는 아크릴수지와 에폭시 수지의 그룹으로 부터 선택되는 것을 특징으로 하는 절연금속 기질.6. The insulating metal substrate of claim 5, wherein the adhesive is selected from the group consisting of acrylic resins and epoxy resins.
제1항에 있어서, 알루미늄은 알루미늄협회 규격에 의한 시리이즈 1000에서 선택되는 것을 특징으로 하는 절연 금속 기질.The insulating metal substrate of claim 1, wherein aluminum is selected from Series 1000 according to the Aluminum Association Standard.
제1항에 있어서, 알루미늄 기판은 평면형상인 것을 특징으로 하는 절연 금속 기질.The insulating metal substrate of claim 1, wherein the aluminum substrate is planar.
제9항 있어서, 알루미늄 기판은 그 직경과 위치가 최종사용과 일치하는 구멍을 갖는 것을 특징으로 하는 절연 금속 기질.10. The insulating metal substrate of claim 9 wherein the aluminum substrate has holes whose diameters and positions coincide with end use.
제1항에 있어서, 알루미늄 기판은 일체 형상인 것을 특징으로 하는 절연 금속 기질.The insulated metal substrate of claim 1, wherein the aluminum substrate is integrally shaped.
제11항에 있어서, 알루미늄 기판은 그 형상이 최종 사용과 관련되는 구멍들을 갖는 것을 특징으론 하는 절연 금속 기질.The insulating metal substrate of claim 11, wherein the aluminum substrate has holes whose shape is related to the end use.
제1항에 있어서, 금속막을 구리로 된 것을 특징으로 하는 절연 금속 기질.The insulating metal substrate according to claim 1, wherein the metal film is made of copper.
제1항에 있어서, 금속막은 콘스탄탄과 크롬-니켈 합금으로 구성되는 그룹에 속하는 것을 특징으로 하는 절연 금속 기질.The insulating metal substrate according to claim 1, wherein the metal film belongs to a group consisting of constantan and a chromium-nickel alloy.
알루미늄 기판, 하나 이상의 기판 면에 대해 상기 기판을 양극처리하여 얻은 알루미나 막으로 구성되는 절연재 및 화학적 에칭에 의해 도전망으로 변형되는 하나 이상의 금속막을 구비하며, 상기 알루미나 막은 500㎚를 초과하는 두께를 갖는 알루미늄에 부착되는 균일 컴팩트 존과 외부 표면이 거치른 다공성 층으로 형성되는 절연금속기질을 제조하는 방법에 있어서, 알루미늄 기판의 하나의 면 이상을 다공성 양극처리 조에서 처리한 후 베리어 양극처리 조에서 처리하는 것을 특징으로 하는 절연 금속 기질의 제조방법.An aluminum substrate, an insulating material consisting of an alumina film obtained by anodizing the substrate with respect to at least one substrate surface, and at least one metal film deformed into a conductive network by chemical etching, the alumina film having a thickness exceeding 500 nm. A method of manufacturing an insulating metal substrate formed of a uniform compact zone attached to aluminum and a porous layer having an outer surface thereof, wherein at least one surface of an aluminum substrate is treated in a porous anodizing bath and then treated in a barrier anodizing bath. Method for producing an insulated metal substrate, characterized in that.
제15항에 있어서, 다공성 양극처리조는 황산, 술포 살리실산, 크롬산, 인산 및 산들중 두가지 이상을 화합한 것으로 구성되는 산의 그룹에 속하는 전해질로 형서되는 것을 특징으로 하는 절연 금속 기질의 제조방법.16. The method of claim 15, wherein the porous anodizing bath is in the form of an electrolyte belonging to a group of acids consisting of a combination of two or more of sulfuric acid, sulfosalicylic acid, chromic acid, phosphoric acid and acids.
제16항에 있어서, 다공성 양극처리 조는 술포 살리실산으로 형성되는 것을 특징으로 하는 절연 금속 기질의 제조방법.17. The method of claim 16, wherein the porous anodization bath is formed of sulfo salicylic acid.
제15항에 있어서, 양극처리조는 주석산 암모늄, 붕산 암모늄, 크롬산 칼륨, 시트르산 암모늄 및 상기 염들중 두개 이상을 화합한 것으로 구성되는 수용액 중의 염의 그룹에 속하는 전해질로 형성되는 것을 특징으로 하는 절연금속기질의 제조방법.16. The insulating metal substrate according to claim 15, wherein the anodizing tank is formed of an electrolyte belonging to a group of salts in an aqueous solution composed of ammonium stannate, ammonium borate, potassium chromate, ammonium citrate and at least two of the salts. Manufacturing method.
제18항에 있어서, 양극처리조는 붕산 암모늄으로 형성되는 것을 특징으로 하는 절연금소기질의 제조방법.19. The method of claim 18, wherein the anodizing bath is formed of ammonium borate.
제1항에 있어서, 금속 막은 물리적 진공 침전후 전해질의 재충전으로 얻어지는 것을 특징으로 하는 절연 금속 기질의 제조방법.The method of claim 1, wherein the metal film is obtained by refilling the electrolyte after physical vacuum precipitation.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.