KR900002479A - 반도체 다이오드 레이저 - Google Patents

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반 에스-스피크만 빌마
파울루스 게라르두스 몰스 페트루스
알베르티나 프란스 마리에떼 밸레 잉그리드
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에프.제이.스미트
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Abstract

내용 없음

Description

반도체 다이오드 레이저
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1도는 본 발명에 따른 반도체 다이오드 레이저의 제1실시예를 부분적으로 도시한 투시도 및 횡단면도,
제 2도는 제1도의 반도체 다이오드 레이저를 Ⅱ-Ⅱ라인상에 도시한 부분도,
제 3도는 점 A의 지역에서 제2도의 횡단부에서 반도체 다이오드 레이저의 굴절 지수의 윤곽을 도시한 도면,
제4도는 위상층(d3)의 다른 두께의 값에 대해 제1도의 반도체 다이오드 레이저에서 효과적인 방사의 모듈(|reff|)과 위상을 극 다이어그램으로 도시한 도면.

Claims (9)

  1. pn 접합을 가진 반도체 몸체를 포함하고 매개체에 의해 둘러싸여진 반도체 다이오드 레이저에 있어서, 이러한 반도체 다이오드 레이저는 충분히 큰 전류 강도로 공진 공동내에 위치된 막대형의 활성 영역에서 순방향과 일치하는 전자기 방사를 발생시킬 수 있으며, 상기의 공진 공동은 경선 방향에서 효과적인 굴절 지수로 주기적인 방사에 의한 최소한 그 길이의 부분에 구성되고, 반사 방지 코팅으로 제공된 최소한 일부 및 활성 영역으로 대체로 직각에 되는 표면에 의해 경계되어지며, 상기 반도체 다이오드 레이저는 위상층을 지칭하는 층을 반사 방지 코팅에 인가하므로서, 이 반사 방지에 의해 발생된 방사의 최소한 일부에서 공진 공동으로 배면 제공되고, 상기 층의 굴절율 및 두께는 단일 모드 동작에 대한 최적의 위상을 유효 반사가 제공하도록 선택하는 것을 특징으로 하는 반도체 다이오드 레이저.
  2. 제1항에 있어서, 상기 반사 방지 코팅은 반도체 몸체로부터, 이 반도체 몸체의 굴절율과 매개체의 굴절율 사이에 놓인 고 굴절율 및 저 굴절율을 연속적으로 갖는 두 레이지와, 이 레이저에 의해 발생된 방사에 대해 1/4 파장의 광학 경로에 일치하는 두께를 갖는 두 층을 포함하는 반면에, 상기 위상 코팅은 반도체 몸체의 굴절율과 매개체의 굴절율 사이에 존재하는 굴절율 및 방사 코팅의 제2층의 굴절율보다 큰 굴절율을 갖는 층을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 다이오드 레이저.
  3. 제2항에 있어서, 상기 방지 코팅의 제1층 및 위상층은 제1재료를 구성되는 반면에, 반사 방지 코팅의 제2층의 제2재료를 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 다이오드 레이저.
  4. 제3항에 있어서,상기 제1재료는 하프늄 산화물(HfO2)이고, 제2재료는 실리콘 이산화물(SiO2)인 것을 특징으로 하는 반도체 다이오드 레이저.
  5. 제1항 내지 제4항에 있어서, 상기 위상층에 반사 코팅을 인가하므로서, 레이저에서 발생하는 방사의 유효 반사를 위상과 관계없이 조정되는 것을 특징으로 하는 반도체 다이오드 레이저.
  6. 제5항에 있어서, 상기 반사 코팅은 반도체와 매개체 사이에 존재하는 굴절율을 갖는 층을 포함하며, 그 수는 짝수이고, 그 두께는 반도체 다이오드 레이저에 의해 발생하는 방사에 대해 1/4파장의 광학 경로 길이와 일치하고, 저 굴절율 및 고 고절율을 가지며, 이들 층의 제1층은 위상층 보다 낮은 굴절율을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 다이오드 레이저.
  7. 제6항에 있어서, 상기 반사 코팅은 2개의 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 다이오드 레이저.
  8. 제6항에 있어서, 상기 반사 코팅은 4개의 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 다이오드 레이저.
  9. 제6항 내지 제8항중 어느 한 항에 있어서, 상기 반사 코팅의 층을 구성하는 재료는 반사 방지 코팅의 층과 위상층을 구성하는 재료와 같은 재료인 것을 특징으로 하는 반도체 다이오드 레이저.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019890009149A 1988-07-01 1989-06-30 반도체 다이오드 레이저 KR0142437B1 (ko)

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