JP2941364B2 - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
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Description
面に反射率制御用膜を有し発振されるレーザ光の高出力
化が図られている半導体レーザ装置に関する。
な断面図である。
ド層12、活性層14、p−型クラッド層16、キャップ層1
8、及びp−型オーミック電極20が順次形成され、n−
型基板10の裏面にはn−型オーミック電極22が形成され
ており、さらに二つの端面24A及び24Bにより共振器24が
構成されている。端面24A及び24Bの一方、図では24B側
に反射率制御用膜25が設けられ、発振されるレーザ光の
出力を高めている。反射率制御用膜25は屈折率の異なる
2種類の薄膜26及び28を交互に二層以上積層させること
によって高反射膜化することにより、さらにレーザ光の
出力を高められる。
接する薄膜26は屈折率nの小さい薄膜材料で構成され、
例えばSiO2(n1.5)、Al2O3(n1.7)、Si3
N4(n1.8)が良く用いられる。又、薄膜28は屈折
率の大きい薄膜材料で構成され、例えばアモルファスSi
(n≧3.2)を用いることが一般的である。又、SiO2を
薄膜26に用いた場合には、薄膜28にAl2O3やSi3N4
を用い、例えば4層以上の多層な反射率制御用膜を構成
して高反射膜化した例もある。
法は、真空蒸着法(SiO2)、スパッタ法(Al2O3、S
i3N4、アモルファスSi)が用いられる。
ムでは、一定の光出力を得るために光取出し面とは反対
側にモニタ用受光素子を設け、これにより、APC(Auto
Power Control)駆動を行っている。例えば第2図に示
す半導体レーザ装置であると、光取出し面は端面24A側
であり、もう一方の端面24B側にモニタ用受光素子が設
けられる。即ち、反射率制御用膜側にモニタ用受光素子
が設けられる。
ニタ用受光素子に対して放射される光出力は減少する。
このためにモニタ用受光素子を、反射率制御用膜に、よ
り近づけなければならなくなる。例えば反射率が80%程
度の半導体レーザ装置に、モニタ用受光素子として通常
のInGaAs系PINフォトダイオードを設けた場合、0.05[m
A]以上のモニタ電流を得るためには、半導体レーザ装
置の端面28と図示せぬモニタ用受光索子の受光面との距
離を1[mm]未満となるように設計しなければならな
い。これは光学設計上、大きな制約となる。
反射率制御用膜を構成する薄膜の一つにアモルファスSi
を用いた場合、二層構造膜であったとしても反射率は80
%を超えてしまうので、光学設計上、上記のような制約
を受ける。
きるが、スパッタ法よりスループットの良い真空蒸着法
でアモルファスSiを形成すると、蒸着速度や屈折率の制
御が困難であり、化学的、物理的にも不安定な膜とな
る。このため、信頼性の面で劣る半導体レーザ装置が製
造されてしまう。
は実用的でない。
が難しいものであり、さらに屈折率も1.7〜1.8と小さい
ため、4層程度以上積層しないと反射率向上の効果が少
ない。形成される薄膜の総数は、膜の均一性、膜間応
力、歩留り、工程時間等を考慮すると極力少ないことが
望ましい。(参考文献:特開昭64−33987、特開平1−1
84893) (発明が解決しようとする課題) 以上説明したように従来の反射率制御用膜を共振器端
面に有する半導体レーザ装置では、反射率制御用膜を構
成する薄膜に屈折率の大きいアモルファスSiが用いられ
ているため、反射率が高くなりすぎ光学設計上の制約を
提起する。又、Al2O3やSi3N4を用いると、これら
の材料の屈折率が小さいために反射率が低くなりすぎ、
所望の反射率にするには多層に積層させる必要が生じ
る。しかも、これらのアモルファスSi、Al2O3、Si3
N4は、スループットが良好な真空蒸着法による形成が
難しく、これらの形成にあたり真空蒸着法を選択しずら
いといった問題があった。
その目的は、反射率制御用膜を共振器端面に有する半導
体レーザ装置において、光学設計における制約を緩和で
きるとともに、膜の均一性の向上、膜間応力の低減、歩
留りの向上、および工程時間の短縮を図れ、かつ真空蒸
着法による形成も容易な反射率制御用膜を有した半導体
レーザ装置を提供することにある。
御用膜を共振器端面に有する半導体レーザ装置におい
て、前記反射率制御用膜が、酸化シリコンからなる第1
の薄膜と、酸化ジルコニウム、酸化セシウム、および硫
化亜鉛のいずれか一つからなる第2の薄膜との二層構造
から成り、前記第1の薄膜の膜厚は、前記半導体レーザ
装置の発振波長をλ、前記第1の薄膜の屈折率をnとし
た時(λ/4n)に設定され、かつn≦1.8であり、前記第
2の薄膜の膜厚は、前記半導体レーザ装置の発振波長を
λ、前記第2の薄膜の屈折率をnとした時(λ/4n)に
設定され、かつ1.9≦n≦2.6であり、前記反射率制御用
膜の反射率が40〜70%に制御され、前記反射率が40〜70
%に制御された反射率制御用膜が前記共振器のモニタ側
端面のみに形成され、前記共振器の光取出し側の端面が
へき開面のままとされていることを特徴としている。
のモニタ側の端面に形成された反射率制御用膜を、屈折
率がn≦1.8、膜厚が(λ/4n)の酸化シリコンからなる
第1の薄膜と、屈折率が1.9≦n≦2.6、膜厚が(λ/4
n)の、酸化ジルコニウム、酸化セシウム、および硫化
亜鉛のいずれか一つからなる第2の薄膜との二層構造に
より構成し、かっ反射率を40〜70%に制御した。
することで、モニタ側端面から、十分な光出力を得るこ
とができる。よって、半導体レーザ装置とモニタ用受光
素子との間隔を従来より拡げても、充分なモニタ電流を
得ることができ、光学設計上の制約を緩和できる。
成される薄膜の総数を少なくできる。よって、膜の均一
性の向上、膜間応力の低減、歩留りの向上、および工程
時間の短縮を図ることができる。
リコン、第2の薄膜を酸化ジルコニウム、酸化セシウ
ム、および硫化亜鉛のいずれか一つにより構成した。よ
って、反射率制御用膜を、スループットが良好な真空蒸
着法を用いて形成することができる。特に、 酸化ジルコニウム:屈折率約2.0 酸化セシウム:屈折率約2.2〜2.5 硫化亜鉛:屈折率約2.2〜2.3 以上の物質は、いずれも真空蒸着法により形成されて
も、蒸着速度や屈折率の制御性が良い。しかも化学的、
物理的にも安定な膜である。
する。
置の概略的な断面図である。
ド層12が形成されており、クラッド層12上には活性層14
が形成されている。活性層14上にはp−型クラッド層16
が形成されており、クラッド層16上にはキャップ層18が
形成されている。キャップ層18上にはp−型オーミック
電極20形成され、一方、n−型基板10の裏面にはn−型
オーミック電極22が形成されている。
れる。共振器端面24A及び24Bの一方、図では24B側に反
射率制御用膜30が設けられ、発振されるレーザ光の出力
が高められる。反射率制御用膜30は屈折率の異なる2種
類の第1層薄膜32及び第2層薄膜34によって構成され、
共振器端面24Bに接する第1層薄膜32には屈折率nが小
さい薄膜を、第2層薄膜34には屈折率nが大きい薄膜
を、それぞれ用いる。
に、次のような式により表わされる。
第1層薄膜32の屈折率、n2は第2層薄膜34の屈折率を
それぞれ表している。
約1.5であり、活性層14をInP系やGaAs系で構成した場
合、n0は約3.2程度である。この点を考慮し、反射率
Rとして最適な40%〜70%を実現するためには、(1)
式より、第2層薄膜34の屈折率n2が1.9≦n2≦2.6の
範囲にあることが望ましい。
1.5)を、一方、第2層薄膜34には、酸化ジルコニウム
(以下ZrO2と称す;屈折率n2.0)を用いる。
とした時、それぞれλ/4nとなるように設定する。例え
ば半導体レーザ装置の発振波長λを1.3[μm]と仮定
すると、第1層薄膜32(SiO2)の膜厚は2170[Å]に
設定され、第2層薄膜34(ZrO2)の膜厚は1630[Å]
に設定される。
膜34にZrO2を、それぞれ用いることにより反射率制御
用膜30自体の反射率に約55%が得られる。そして、半導
体レーザ装置の端面28と図示せぬモニタ用受光素子の受
光面との距離が1.5[mm]程度あっても、0.1[mA]以上
のモニタ電流が確保されている。
を発振できるように各種半導体層、例えば上記のクラッ
ド層、活性層、キャップ層等を順次積層形成した後、基
板の表面上方及び裏面に電極を形成する。電極形成後、
レーザ・バー、あるいはチップ状に劈開することにより
共振器を得る。次いで、共振器の一方の端面に、真空蒸
着法、例えば電子ビーム蒸着法を用いてSiO2から成る
第1層薄膜32を形成し、次いで、第1層薄膜32上に、例
えば電子ビーム真空蒸着法を用いてZrO2から成る第2
層薄膜34を形成することにより、この実施例に係わる半
導体レーザ装置が製造される。
着注であってもスパッタ法のいずれでも形成でき、いず
れの方法とも蒸着速度、屈折率とも制御性が良好であ
る。
料である。この点を証明する例としては、大気中で430
[℃]、5分間の加熱を行なっても屈折率には全く変化
が見られないといった実験結果が得られている。又、フ
ッ化アンモニウム溶液中でのエッチング速度において
も、SiO2やSi3N4に比較して約1/3〜1/5といった実
験結果も得ている。
真空蒸着法でもスパッタ法のいずれの方法でも蒸着速
度、屈折率とも制御性を良好として形成できることによ
る。又、第1層薄膜32にSiO2を用いることで、第1層
薄膜32〜第2層薄膜34の形成を、共に真空蒸着法で形
成、あるいは共にスパッタ法で形成、いずれかの形成方
法を選択可能ともなり製造上の自由度が高まる。
製造上の双方において、自由度が高く、しかも、反射率
制御用膜は化学的、物理的にも極めて安定な薄膜により
構成される。これにより、高信頼性で汎用性に富む半導
体レーザ装置となる。
いたが、これに限られることはなく、例えばSi3N4等
のような屈折率が1.8以下の材料であっても良い。一
方、第2層薄膜34もZrO2に限られることはなく、屈折
率が1.9≦n2≦2.6の範囲にあり、望ましくは真空蒸着
法、スパッタ法のいずれの方法でも蒸着速度、屈折率と
も制御性良く形成でき、しかも化学的、物理的に安定な
材料であれば良い。
料としてはZrO2の他、例えば酸化セシウム(CeO2;屈
折率n≦2.2〜2.5)、硫化亜鉛(ZnS;屈折率n≦2.2〜
2.3)等が挙げられる。これらの材料を薄膜34に用いて
も、反射率制御用膜30自体の反射率を40〜70%程度の好
適な範囲に設定できる。
1.9≦n2≦2.6であると、反射率制御用膜30を第1層薄
膜32と第2層薄膜34との二層構造だけで反射率40〜70%
が実現される。これにより、形成される薄膜の総数を少
なくすることができ、膜の均一性の向上、膜間応力の低
減、歩留りの向上、工程時間の短縮等も併せて実現でき
る。
膜を共振器端面に有する半導体レーザ装置において、反
射率制御用膜を構成する薄膜にその屈折率が適当であ
り、しかもスパッタ法、真空蒸着法による形成が双方と
も容易、かつ化学的、物理的にも安定である薄膜が用い
られ、高出力なレーザ光を発振でき、しかも高信頼性で
光学設計における制約も少ない半導体レーザ装置を提供
できる。
の概略的な断面図、第2図は従来の半導体レーザ装置の
概略的な断面図である。 24…共振器、24A,24B…共振器端面、30…反射率制御用
膜、32…第1層薄膜、34…第2層薄膜。
Claims (1)
- 【請求項1】反射率制御用膜を共振器端面に有する半導
体レーザ装置において、 前記反射率制御用膜が、酸化シリコンからなる第1の薄
膜と、酸化ジルコニウム、酸化セシウム、および硫化亜
鉛のいずれか一つからなる第2の薄膜との二層構造から
成り、 前記第1の薄膜の膜厚は、前記半導体レーザ装置の発振
波長をλ、前記第1の薄膜の屈折率をnとした時(λ/4
n)に設定され、かつn≦1.8であり、 前記第2の薄膜の膜厚は、前記半導体レーザ装置の発振
波長をλ、前記第2の薄膜の屈折率をnとした時(λ/4
n)に設定され、かつ1.9≦n≦2.6であり、前記反射率
制御用膜の反射率が40〜70%に制御され、 前記反射率が40〜70%に制御された反射率制御用膜が前
記共振器のモニタ側端面のみに形成され、前記共振器の
光取出し側の端面がへき開面のままとされていることを
特徴とする半導体レーザ装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2160929A JP2941364B2 (ja) | 1990-06-19 | 1990-06-19 | 半導体レーザ装置 |
US07/717,322 US5144635A (en) | 1990-06-19 | 1991-06-18 | Semiconductor laser device having reflectance control film formed on end facet of oscillator |
KR1019910010150A KR940005762B1 (ko) | 1990-06-19 | 1991-06-19 | 반도체레이저장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2160929A JP2941364B2 (ja) | 1990-06-19 | 1990-06-19 | 半導体レーザ装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0451581A JPH0451581A (ja) | 1992-02-20 |
JP2941364B2 true JP2941364B2 (ja) | 1999-08-25 |
Family
ID=15725312
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2160929A Expired - Lifetime JP2941364B2 (ja) | 1990-06-19 | 1990-06-19 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5144635A (ja) |
JP (1) | JP2941364B2 (ja) |
KR (1) | KR940005762B1 (ja) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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ES2635492T3 (es) | 2008-02-21 | 2017-10-04 | Mitsui Chemicals, Inc. | Proceso para la producción de 2-propanol |
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JP2023032405A (ja) | 2021-08-27 | 2023-03-09 | グローブライド株式会社 | スプールを制動する制動装置及びこれを備えた魚釣用リール |
JP2023032403A (ja) | 2021-08-27 | 2023-03-09 | グローブライド株式会社 | スプールを制動する制動装置及びこれを備えた魚釣用リール |
JP2023032404A (ja) | 2021-08-27 | 2023-03-09 | グローブライド株式会社 | スプールを制動する制動装置及びこれを備えた魚釣用リール |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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Title |
---|
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Publication number | Publication date |
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KR920001787A (ko) | 1992-01-30 |
KR940005762B1 (ko) | 1994-06-23 |
US5144635A (en) | 1992-09-01 |
JPH0451581A (ja) | 1992-02-20 |
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