KR890005267B1 - A vacuum chemical reaction apparatus - Google Patents
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- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
Abstract
내용 없음.No content.
Description
제 1 도, 제 2 도, 및 제 3 도는 바람직한 제 1구체예를 따르는 진공 화학 반응장치.1, 2, and 3 illustrate a preferred first embodiment.
제 4도 및 제 5 도는 특징적인 구조만을 설명한, 바람직한 제 2 구체예를 따르는 개략도.4 and 5 are schematic diagrams according to a second preferred embodiment, illustrating only the characteristic structures.
제 6 도 내지 제15도는 특징적인 구조만을 설명한, 바람직한 기타 구체예를 따르는 개략도.6-15 are schematic diagrams in accordance with other preferred embodiments, illustrating only characteristic structures.
본발명은 대체로 반응가스를 도입시킨 다음 화학반응을 수행하는 진공화학반응장치에 관한 것이다. 더욱 상세히는, 본 발명은 반도체 기판, 전자성분 및 공학성분을 동시에 가공할 수 있는 진공화학반응장치에 관한 것이다. 진공화학반응장치는 반응성 이온 식각장치, 화학증착장치, 표면처리장치 등으로서 사용될 수 있다.The present invention generally relates to a vacuum chemical reaction apparatus for introducing a reaction gas and then performing a chemical reaction. More particularly, the present invention relates to a vacuum chemical reaction apparatus capable of simultaneously processing a semiconductor substrate, electronic components and engineering components. The vacuum chemical reaction apparatus can be used as a reactive ion etching apparatus, chemical vapor deposition apparatus, surface treatment apparatus and the like.
종래의 기술로서는, 화학반응이 진공조건에서 수행되는 다양한 형태의 진공반응장치가 제안되어 왔다. 이들 진공반응장치중 생산성을 개선하기 위한 가공될 물질(이하 피처리물(기판)이라 칭한다)의 도입에 대하여는 많은 노력이 경주되어 왔다.As the prior art, various types of vacuum reactors in which chemical reactions are carried out under vacuum conditions have been proposed. Much effort has been put into the introduction of materials to be processed (hereinafter referred to as substrates) to improve productivity in these vacuum reactors.
전형적인 종래의 진공반응장치를 요약하면 다음과 같다.A typical conventional vacuum reactor is summarized as follows.
종래의 방법에 따르면 다수의 피처리물을 단일판상, 또는 3차원 호울더의 모든 표면상에 배열한다. 이와 같은 방법은 예컨대 본원의 발명자인 다쓰오 아사마끼가 저술한 책 ["s basic idea of forming a thin film",July 30, 1984, Nikkan kogyo shinbun Publisher, page 1201, Figure 5.24(a)]에 기술되어 있다. 이 도면에는 다량의 피처리물을 박층 원판의 상표면에 위치시킨다. 이와 유사하게 상기 책자의 표 9.4c(194면)에 기재된 바와같이, 다량의 피처리물을 원통형이나 4각 주의 한쪽 표면(내표면 또는 외표면)에 배열한다. 그러나 이들 종래방법에 따르면 피처리물 지지체의 표면상에 배열될 수 있는 피처리물의 수는 비교적 적은수에 제한된다.According to the conventional method, a plurality of workpieces are arranged on a single plate or on all surfaces of a three-dimensional holder. Such a method is described, for example, in the book [s basic idea of forming a thin film], July 30, 1984, Nikkan kogyo shinbun Publisher, page 1201, Figure 5.24 (a), by Asaaki Tatsuo It is. In this figure, a large amount of the workpiece is placed on the label surface of the thin disc. Similarly, as described in Table 9.4c (on page 194) of this booklet, a large amount of the workpiece is arranged on one surface (inner surface or outer surface) of a cylindrical or tetrahedron. However, according to these conventional methods, the number of workpieces that can be arranged on the surface of the workpiece support is limited to a relatively small number.
또다른 종래의 방법은 일본 미심사 특허출원 소59-159532호(1984), 제목 "가스 플라스마 처리장치"에 기술되어 있다. 여기에서는 양전극과 음전극, 또는 이들 두전극(RF 분말의 경우)을 수직방향으로 서로 교대로 적층시킨다. 이방법에 따르면 각재전극의 전면과 후면중의 한면이 대체로 절연물질로 덮혀져 있어서 피처리물은 한표면상에만 배열될 수 있으며 따라서 사용 가능한 피처리물의 숫자가 제한된다.Another conventional method is described in Japanese Unexamined Patent Application No. 59-159532 (1984), titled "Gas Plasma Treatment Apparatus". Here, the positive electrode and the negative electrode or these two electrodes (in the case of RF powder) are alternately stacked in the vertical direction. According to this method, one surface of the front and rear surfaces of the respective electrode is covered with an insulating material so that the workpiece can be arranged only on one surface, thus limiting the number of workpieces available.
본발명의 목적은 이들 종래의 결점을 개선하고, 다량의 피처리물을 한 처리싸이클내에서 배열할 수 있는 대단히 믿을만한 진공화학반응장치를 제공하는 것이다.It is an object of the present invention to ameliorate these conventional drawbacks and to provide a highly reliable vacuum chemical reaction apparatus capable of arranging large amounts of the workpiece in one treatment cycle.
본발명의 또다른 목적은 종래의 진공화학반응장치에서와 동일한 수의 피처리물을 배열시킬 수 있는, 종래의 진공화학반응장치보다 더욱 고 진공성의 진공화학반응장치를 제공하는 것이다.It is still another object of the present invention to provide a vacuum evacuation apparatus of higher vacuum than the conventional vacuum chemical reaction apparatus, which can arrange the same number of workpieces as in the conventional vacuum chemical reaction apparatus.
본발명의 또 하나의 목적은 RF(radio frequency) 출력을 피처리물 지지체에 공급하는 경우나 또는 피처리물 지지체가 고정되는 경우에도 균일한 처리를 수행할 수 있는 진공화학반응장치를 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a vacuum chemical reaction apparatus capable of performing uniform treatment even when the RF (radio frequency) output is supplied to the workpiece support or when the workpiece support is fixed. .
본발명은 요약하면 다음과 같다.The present invention is summarized as follows.
본발명의 상기 목적은 다음과 같은 진공화학반응장치를 제공함으로써 수행되는 바 ; 이장치는, 피처리물, 전자성분 및 공학성분과 같은 다수의 대상물을 진공조건하에 수용하는 진공실 ; 진공실내의 압력을 예정된 압력치까지 낮추도록 하기 위한 진공실 배기기구; 배기기구에 의한 배기조작 완료후 다수의 물질표면과의 화학반응을 수행하기 위한, 진공실에 반응성 가스를 도입하는 기구 ; 다수의 물질을 파지하기 위하여 진공실에 마련된 대상물 파지기구 ; 진공실의 외부로부터 진공실내에 위치된 대상물 파지기구까지 다수의 대상물을 수송하는 기구 ; 로 구성되는 바 ; 이 장치의 특징은, 상기 대상물 파지기구는 캐리어 호울더와 이 캐리어 호울더로부터 돌출된 다수의 캐리어를 포함하며, 상기 캐리어는 , 캐리어의 실질적으로 전표면에 걸쳐서 다수의 대상물을 지지 하도록 다수의 대상물 지지부재를 가지며 ; 상기 캐리어 파지기구는 진공실내에서 가동성 임으로, 상기대상물 지지부재에 의하여 지지되는 적어도 2개의 대상물은 예정된 실질적으로 동일한 면에 걸쳐 수송되고 ; 상기 대상물 지지부재로 실질적으로 동일한 평면상에서 적어도 두 대상물을 받아서 이를 상기 수송기구에 전달하는 기구가 마련되어 있다 ; 는 것이다.The above object of the present invention is carried out by providing a vacuum chemical reaction apparatus as follows; The apparatus includes a vacuum chamber for receiving a plurality of objects such as an object to be processed, an electronic component and an engineering component under vacuum conditions; A vacuum chamber exhaust mechanism for lowering the pressure in the vacuum chamber to a predetermined pressure value; A mechanism for introducing a reactive gas into a vacuum chamber for performing a chemical reaction with a plurality of material surfaces after the exhaust operation by the exhaust mechanism is completed; An object holding mechanism provided in a vacuum chamber for holding a plurality of substances; A mechanism for transporting a plurality of objects from the outside of the vacuum chamber to the object holding mechanism located in the vacuum chamber; Consisting of; A feature of the apparatus is that the object holding mechanism includes a carrier holder and a plurality of carriers protruding from the carrier holder, the carrier supporting a plurality of objects to support the plurality of objects over substantially the entire surface of the carrier. Has a supporting member; The carrier gripping mechanism is movable in a vacuum chamber such that at least two objects supported by the object support member are transported over a predetermined substantially same surface; A mechanism for receiving at least two objects on substantially the same plane as the object support member and delivering them to the transport mechanism; Will.
본발명의 그이상의 특징은 첨부도면과 연관지은 본발명의 바람직한 구체예로부터 더욱 명확히 될 것이다.Further features of the present invention will become more apparent from the preferred embodiments of the present invention in connection with the accompanying drawings.
바람직한 제 1구체예를 상세히 설명하면 다음과 같다.Referring to the first preferred embodiment in detail as follows.
[제 1진공화학반응장치의 배열][Arrangement of the first vacuum chemical reaction device]
바람직한 제 1구체예를 따르는 진공화학방응장치를 도면에 따라 상세히 설명하고져 한다.The vacuum chemical reaction apparatus according to the first preferred embodiment will be described in detail with reference to the drawings.
제 1도는 제 2도의 선 1-1에 따르는 진공화학반응장치의 입면단면도이다. 제 2도는 바람직한 제 1 구체예와 같은 진공화학반응장치의 부분 절개 평면도이고, 제 3 도는 이의 부분단면도 이다. 이들 도면에서 표시번호(10)은 진공실을 나타내고, 번호(11)은 하우징, 번호(12)는 전극 전도용의 절연체, 번호(13)은 배기시스템(화살표로만 표시)과 소통될 배기관을 나타낸다. 또한 표시번호(14)는 플랜지를, 표시번호(15)는 피처리물(41) 내지 (46)을 구공(17)을 경유하여 하우징(11)에 도입시키는 리드를, 표시번호(16)과(19)는0-링을 나타낸다. 표시번호(30)는 미리 선택된 반응성 가스를 전도하는 가스전도 시스템을 나타내며, 제1도에서는 화살표로 표시되 었는바, 이것은 가변누출발브, 또는 유동조절장치에 의하여 연결될 수 있다. 표시번호(31)은 진공시스템에 연결될 연결관이며, 번호(32)는 피처리물 표면에 가스를 균일하게 분포할 가스분포 미캐니즘을 나타내고, 표시번호(33)은 다수의 좁은 구공을 나타낸다. 표시번호(40)은 피처리물군을 표시하는 것으로 가공될 대상물을 나타낸다. 표시번호(41) 내지(46)은 피처리물을 나타내고, 표시번호(50)은 피처리물 호울더로서, 이호울더는 본발명 특징중의 하나이다. 어느 한표면으로부터 돌출되는 다수의 캐리어를 나타낸다. 캐리어 호울더(56)의 주변상에 형성된 이들 돌출캐리어의 측면도 "빗살형"을 이룬다. 표시번호(54)는 피처리물을 냉각 또는 가열시키는 매질용 공간을 나타낸다. 피처리물이 냉각되는 경우 물은 직접 이 공간(54)을 통과한다.FIG. 1 is an elevational sectional view of a vacuum chemical reactor according to line 1-1 of FIG. FIG. 2 is a partial cutaway plan view of a vacuum chemical reaction apparatus as in the first preferred embodiment, and FIG. 3 is a partial cross-sectional view thereof. In these figures,
이와다르게는, 피처리물을 미리 예정된 온도로 냉각 또는 가열한다음 공간(54)에 통과시킨다. 매질의 도입과 배출은 화살표(59)로 표시한 방향으로 수행한다. 표시번호(60)은 전력등의 단자이다. 피처리물을 상기의 경우보다 더욱 가열하는 경우에는 피처리물 호울더의 단면도로 나타낸 바와같이 가열판(61)을 이용하고, 가열파(61)의 배판(rear plate)은 가열기(63) 예를들면 적외선 가열램프, 또는 코일형 가열기에 의하여 가열한다. 표시번호(64)는 가열기 동력원을, 표시번호(62)는 가열판(61)의 방열을 방지하는 박판이다.Alternatively, the workpiece is cooled or heated to a predetermined temperature and then passed through the space 54. Introduction and discharge of the medium are carried out in the direction indicated by
제 1도를 참조하면 캐리어(51)의 실질적으로 전표면상에 위치된 피처리물 지지부재(55)가 도시되어 있다.Referring to FIG. 1, the
표시번호(57)은 본 발명의 또다른 특징으로서의 예정된 기능을 갖는 판을 나타낸다. 피처리물군(40)의 피처리물(41)과(42)가 피처리물 지지부재(55)에 의하여 지지되고 있는 동안 이들 피처리물은 적당한 수송미캐니즘(상세히 도시되지 않았음)에 의하여 화살표방향으로 캐리어 호울더(56)를 이동함으로써 상기 예정된 판(57) 상에 이송된다. 그 결과로 이들은 진공실(10)로부터 이동될 수 있다(제 2 도 참고).
본구체예를 따르면 리드(15)를 개방시킴으로써 피처리물을 이동 시키도록 진공실(10)의 외측에 로보트기구(70)[(70)으로 간략하게 설명되어 있다]가 설치되어 있다. 즉 로보트기구(70)가 캐리어(51) 내지(53)의 정열방향에 따라 이송되는 한편, 피처리물이 도입되어 진공실로부터 취해질 수 있다.According to this embodiment, a robot mechanism 70 (described briefly as 70) is provided on the outside of the
진공화학반응장치내에서의 고도로 정확한 공정진행을 수행하기 위하여는 진공실(10)의 내부를 항상 진공상태에 유지한다. 피처리물 호울더(50)와 이에 따르는 캐리어 호울더(56)가 화살표(58)에 따라 이송되는 이점이 있기 때문에 다수의 피처리물은 상기 피처리물을 쉽게 취출해 낼 수 있는 판(57)상에 이송된다.In order to perform highly accurate process progress in the vacuum chemical reaction apparatus, the inside of the
제 2도에 있어서, 표시번호(8)은 지공실(10)내에서이 자전관(magnetron)방전을 수행하기 위한 자장고정기구이다. 자장의 방향은 화살표(58)와 같은 방향으로 고정된다. 표시번호(81)은 코일을 나타내고, 표시번호(82)는 이 코일(81)에 대한 동력원을 나타낸다.In FIG. 2, the reference numeral 8 is a magnetic field fixing mechanism for performing this magnetron discharge in the
다시 제 1도를 참조하면 RF(radio Frequency) 동력원(90)은 정합상(matching box)(92)을 경유하여 진공화학반응장치에 연결된다.Referring back to FIG. 1, a radio frequency (RF)
본발명에 따르면, 상기한구체예는 그의 용도에 따라 일반적인 반응이온 식각장치, 다양한 형의 식각장치,화학증착(CVD)장치 및 표면처리정치에 유사하게 조작될 수 있다.According to the present invention, the above embodiment can be similarly manipulated to general reaction ion etching apparatuses, various types of etching apparatuses, chemical vapor deposition (CVD) apparatuses and surface treatment politics according to their use.
[반응성 이온 식각장치]Reactive Ion Etching Equipment
상기한 바와같이, 상기의 진공화학반응장치는 반응성 이온 식각장치로서 구체화될 수 있다. 제 1도와 제 2도를 참조하면, 진공실(10)은 배기시스탬(20)에 의하여 배기시켜 예정된 압력에 이르게 한다. 대부분의 경우,진공실(10)은 수위 "초진공"상태로 된다. 배기 조작후 미리 선택된 가스를 가스도입시스템(30)을 통하여 진공실(10)에 도입한다. 다음 진공실(10)의 내압을 예정된 압력에 고정시키고, RF(radio frequency)동력을 이에 공급한다. 그 결과로 음영선(93)으로 도시한 것과 같은 방전 플라스마가 생성되고, 따라서 피처리물등이 반응성-식각된다.As described above, the vacuum chemical reaction device can be embodied as a reactive ion etching device. 1 and 2, the
예정된 플라스마 식각이 진공실(10)내에서 완료되면 RF동력공급을 중단한다. 다음에 질소와 아르곤 가스와 같은 비활성 가스를 진공실(10)에 도입한다. 이와같은 가스도입은 이 진공실(10)의 압력이 정상압(예를들면 1기압)에 달할대까지 계속한다. 그후 리드(15)를 열고 피처리물을 집어 내고, 다른 피처리물은 역시 진공실(10)내에 새로히 도입한다. 피처리물의 이송은 표면, 또는 로보트기구(70)의 판(57)에 따라 수행한다. 가스가 배기된 다음 연속가공을 시작한다. 진공실(10)의 내부를 항상 진공압에 유기시키면서 식각을 수행하는 경우에는 리드(15) 대신에 발브(상세히 도시되지 않았음)를 이용하여, 그다음의 진공실에 연결하는 것이 바람직하다. 즉 상기 구체예에 도시한 것과 같은 진공실은 상기 공보에 있어서제 5.23(b)도 ; 5.23(d)도; 5.24(b)도; 또는 5.24(a)도(119내지 120면) 참조)에 기술된 것에 따라 재설계된 것이다. 발브가 설명되어 있지는 않으나 각 진공실의 소요압력을 미리 설정하기 위하여는 단계적으로 형성된 진공실에 발브를 반드시 연결하여야 한다는 점에 유의하여야 한다. 이와같은 특수경우에 있어서, 피처리물 호울더(50)는 화살표방향(58)으로 이동하고, 피처리물은 3부분으로부터 인출된다. [피처물(41)이 피처리물(42)와 주저인 각으로 교차하면 상기 예정된 판(57)의 총합수는 6개이다] 따라서 피처리물은 6개의 판(57)로부터 취출될 수 있다. 가스분배기구(32)가 이용되지 않는 경우에는 피처리물 호울더(50)는 화살표방향(58)에 수직인 방향으로 더 이동되고, 따라서 피처리물을 취출할 수 있는 위치는 감소 될 수 있다.When the predetermined plasma etching is completed in the
[저압 CVD][Low pressure CVD]
본 발명에 따르면, 반응성 이온 식각방법이외의 방법으로 피처리물을 가공하는 진공화학반응장치의 조작은 상기 구체예에 대단히 유사하다. 그러나 이와같은 반응장치를 저압 CVD(화학증착)장치로서 이용하면 여러가지 구조가 요구된다. 즉 캐리어(51)과 가열판(61)이 제 3 도에 도시된 바와같이 마련되고, 이 가열판(61)은 피처리물을 취출해내는 피처리물 호울더로서 사용된다. 이경우 RF동력은 이 장치에 공급되지 않는다. 그러나 수차례의 CVD공정 싸이클이 수행된 후 판(57) 부근을 세정할 필요가 있는 경우에는 동일한 식각공정을 앞의 구체예에서와 유사하게 수행할 수 있다.According to the present invention, the operation of the vacuum chemical reaction apparatus for processing the workpiece by a method other than the reactive ion etching method is very similar to the above embodiment. However, when such a reaction apparatus is used as a low pressure CVD (chemical vapor deposition) apparatus, various structures are required. That is, the
본구체예에 따르면, 자장이 전장에 수직으로 존재할 수 있으므으로, 저전압과 고출력을 갖는 자전관 방전은 캐리어 호울더(56)의 표면에 따라 형성될 수 있으며, 이에 따라 고도의 반응을 수행할 수 있다. 더우기, 방전전압을 하강시킴으로써 반도체의 화학반응에는 손상이 별로 없다.According to this embodiment, since the magnetic field may be perpendicular to the electric field, the magnetron discharge having a low voltage and a high output may be formed along the surface of the
또한 본발명에 따르면 기타의 설계조건을 진공화학반응장치에 응용할 수 있으면, 이점은 일번장치에서와 동일하다. 예컨대 화학반응의 발생이 피처리물 이외의 어느 장소에서도 요구되지 않는 경우에는 다음과 같은 조건이 있게 된다.In addition, according to the present invention, if other design conditions can be applied to the vacuum chemical reaction apparatus, the advantages are the same as those in the first apparatus. For example, when the occurrence of a chemical reaction is not required at any place other than the workpiece, the following conditions exist.
(1) 방전공정을 이용하는 경우에는 화학반응이 요구되지 않는 장소는 적당한 절연물질로 차례되어야 한다.(1) In the case of using the discharge process, places where chemical reactions are not required are to be turned with suitable insulating materials.
(2) 방전이용이 없는 저압 CVD(화학증착)공정을 이용하는 경우에는 상기 장소는 저온으로 냉각된다. 이미 상세히 기술한 바와같이, 상기한 피처리물 호울더(50)가 이용되고, 피처리물(41) 내지 (46)은 본발명에 따라 캐리어 호울더(56)로부터 돌출되는 다수의 캐리어(51) 내지 (53)의 실질적으로 전체 표면상에 3차원적으로 위치 될 수 있다. 그결과 극히 다수의 피처리물을 적은 공간에 수용할 높는 생산성을 갖는 진공화학반응장치를 제공할 수 있다. 환언하면, 동일한 처리능하에서 종래의 진공화학반응장치 보다도 더욱고도의 진공화학반응장치를 제공할 수 있다는 것이다.(2) In the case of using a low pressure CVD (chemical vapor deposition) process without discharge use, the place is cooled to a low temperature. As already described in detail, the
또한, 피처리물 호울더(56)는 굵은 로드로 제조되어 있고, 따라서 그의 고주파수 임피던스는 인덕턴스치가 적음에 따라 무시할 수 있는 정도임으로, 캐리어(51)상에 위치된 다량의 피처리물상에는 균일한 플라스마가 생성될 수 있다. 이것은 정재파(standing wave)가 생성되지 않고, 인덕턴스에 따르는 전위분포가 발생되지 않기 때문이다. 따라서, 피처리물 처리에 있어서는, 예를 들면 식각공정속도와 필름 형성속도에는 실질적으로 차이가 없으며, 그 결과 다량의 균일하게 처리된 피처리물을 얻을 수 있다. 따라서 자장을 사용하면 공정속도를 높이고, 이용전압을 낮출수도 있다.In addition, the
[기타의 바람직한 구체예][Other Preferred Embodiments]
제 4동(평면도)와 제 5도(정면도)에도 제 2의 바람직한 구체예가 도시되어 있다. 이들 도면으로부터 알 수 있는 바와같이, 피처리물(41)고 새로운 피처리물 호울더(150)만이 도시되어 있고, 가스전도시스템과 같은 기타의 배치물을 간략성을 위하여 생략하였다. 제 1도 내지 제 3도에 도시한것에 동일 내지 유사한 요부에는 동일한 표시 번호를 부여 하였음에 유의하여야 한다.A second preferred embodiment is also shown in the fourth ridge (top view) and in the fifth view (front view). As can be seen from these figures, only the
제 2 구체예에 따르면, 캐리어(151) 내지 (153)의 길이는 캐리어(51) 내지 (53)에 비하여 연당되어 있으며, 따라서 피처리물(41) 내지 (46)의 수는 바람직한 제 1구체예에서보다 증가되어 있다(제1 도와 5도를 참조).According to the second embodiment, the lengths of the
이 구체예에서, 피처리물 호울더(150)를 피처리물 (41) 내지 (46)을 진공실(상세히 도시되지 않았음)로부터 또한 진공실에 수송 하도록 화살표(58)에 따라 활동(滑動) 가능하다. 피처리물 호울더(150)가 화살표 방향(58)(제 4 도 참조)으로 이동하는 경우, 단자(60)는 이 도면의 평면에 수직인 방향으로 점선 원 600(제 5도 참조)으로 표시된 위치에 고정된다. 다음에 피처리물 호울더(150)는 이방향으로 이동된다.In this embodiment, it is possible to act according to
상기 피처리물 호울더(150)의 측면도는 직사각형의 형상이며, 이점은 상기한 피처리물 호울더(50)의형상, 즉 사다리꼴(제 1도와 제 5도 참조)과는 상이하다.The side view of the
제 6도와 제 7도를 참조하여, 바람직한 제 3 구체예를 설명하고져 한다. 제 6도와 제 7도는 평면도이다. 바람직한 제 3 구체예에 따르면 피처리물(241)과 (242)의 형상은 각각 4각주와 원통형이며, 캐리어(251)과(252)의 형상은 각각 피처리물(241)과 (242)의 형상에 적합하게 되어 있고, 따라서 피처리물(241)과(242)는 각각의 캐리어(151)과(152)의 표면을 덮을 수 있다. 캐리어나 피처리물의 형상을, 캐리어상에 고정된 피처리물의 밀도를 보다 높이도록 고려한다면, 캐리어 호울더(256)과(257)에 걸친 캐리어(251)과(252)의 위치설정이 선택가능하다. 피처리물 호울더(250)과(251)의 배치는 가동될 피처리물의 형상에 일치하게 변화될 수 있음으로, 진공화학반응장치는 다양한 형상의 피처리물, 예를들면 다각주, 다각뿔, 원통형 및 원뿔을 가공할 수 있다.With reference to Figs. 6 and 7, a third preferred embodiment will be described. 6 and 7 are plan views. According to the third preferred embodiment, the shapes of the
제 8도, 제 9도 및 제 10도를 참조하면, 바람직한 제 4 구체예가 도시되어 있다. 이들 도면은 피처리물 호울더(350),(450)및 (550)의 사시도이다. 이들 도면에서 (351),(451)및 (551)은 파이트-형의 캐리어 호울더(356),(456)및(556)의 주변으로부터 돌출되어 있고, 다량의 피처리물(41)이 이들 캐리어(351),(451),및(551)의 양표면상에 지지될수 있다. 특히 제10도에 도시한 바람직한 구체예에 따르면, 다량의 큰크기를 갖는 피처리물(541),(543)및 (545)를 캐리어(551)상에 지지할 수 있다는 것이 그 이점이다. 또한 화살표(58)과(59)는 캐리어 호울더(556)의 이송방향을 나타낸다.8, 9 and 10, a fourth preferred embodiment is shown. These figures are perspective views of
이미 기술한 바와같이, 상기 구체예에는 제 4도 내지 제10도에 도시한것과 같이 피처리물 호울더만이 설명되어 있고, 가스전도시스템과 같은 기타 구조는 생략되어 있다.As already described, in the above embodiment, only the workpiece holder as shown in Figs. 4 to 10 is described, and other structures such as gas conduction systems are omitted.
전체 영역에 결쳐서 정확한 피처리물 가공이 요구되고, 가스압이 낮는 경우에는 돌추부(예를들면, 제 1도에 도시한 가스분배기구(32)와 그의팁)를 마련하여 피처리물 표면에 균일한 가스분배와 균일한 전장이 이루어지게 하여야 하며, 이 돌출부도 역시 생략되어 있다는 점에 유의하여야 한다.Accurate processing of the workpiece is required in all areas, and when the gas pressure is low, a projection (for example, the
제11도 내지 제13도를 참조하여 바람직한 제5구체예를 설명하고져 하는바, 이 도면에는 피처리물 호울더와 캐리어가 사시도로서 부분적으로 설명되어 있다. 제11도,제12도 및 제13도에 도시한 상세한 구조는 서로 상이 하지만 일반적인 구조로 되어 있음으로 이들 구성을 제 5 구체예로서 분류한다. 제11도와 제13도에 도시한 이와같은 구체예에 따르면 캐리어(651)과(751)은 각각 캐리어 호울더(656)과(756)의 주변상에 방사상으로 형성되어 있는 것이 보통이며 다량의 피처리물(41),(42)및 (43)은 대응캐리어(651)과(751)상에 위치되어 있다.A preferred fifth embodiment will be described with reference to FIGS. 11 to 13, in which the workpiece holder and the carrier are partially illustrated as a perspective view. The detailed structures shown in FIGS. 11, 12, and 13 are different from each other, but are general structures, and these configurations are classified as the fifth specific example. According to this embodiment shown in FIGS. 11 and 13, the
제11도 내지 제13도로부터 알 수 있는 바와같이 캐리어(651)과(751)의 형상은 정면에서 보았을때 사다리꼴이다. 또한 제 5구체예에 따르면, 피처리물 호울더(650)과(850)은 화설표(58)로 표시한 방향으로(제11도와 제12도 참조) 전도관(660)과(860)의 축 주위로 회전할 수 있다. 그결과 피처리물(41) 내지(43)은 용이한 이동이 가능하다. 따라서 피처리물 소송기구(예를들면 제12도에서(70)으로 표시한것과 같은 로보트기구(70)로 다욱 간략하게 제조할 수 있다. 화살표방향(581)으로 피처리물 호울더(850)를 승강시키는 승강기수(상세히 도시되지 않았음)를 부가적으로 이용하는 경우에는 제12도에 도시한 구체예에 따라서 복수의 캐리어상에 다량의 피처리물을 실을 수 있다. 따라서 더욱 많은 양의 피처리물을 동시에 처리할 수 있다. 제 13도의 표시번호(100)은 피처리물의 호울더(750)의 표면이 방전되는 것을 방지하는 차폐판이다. 마지막으로 피처리물 호울더(950)과(960)의 평면도인 제14도와 15도를 참조하여 또다른 구체예를 요약하면 다음과 같다. 이 구체예의 기본생각은 제11도 내지 13도에 도시한것과 같은 제 5구체예와동일하다. 즉 말하자면 캐리어(951)과(961)은 제14도와 제15도에 설명된 것과 같이 캐리어 호울더(956)과(966)으로부터 방사상으로 돌출되어 있다.As can be seen from FIGS. 11 to 13, the shapes of the
제14a도와 제14b도로부터 알 수 있는 것과 같이, 인접하느 캐리어(951)의 표면(952)와(953)은 서로 평행하다. [제14a도에서는 이들 표면(952)와(953)의연부선만이 나타나 있다.] 캐리어(951)의 형상은 팬이며, 평면도로서 도시되어 있다. 제15도에는 방사성으로 돌출된 캐리어(961)가 적당한 각 "
본발명을 바람직한 구체예에 따라 설명 하였으나, 본분야의 숙련자는 본발명의 진정한 취지와 범위로부터 이탈되지 않는 다양한 변화와 대치부품을 제조할 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 또한 본발명의 주요내용으로부터 이탈됨이 없이, 특수한 소재와 재질을 본발명의 지시에 적합하도록 여러가지 수정을 가할수 있다.While the invention has been described in accordance with preferred embodiments, those skilled in the art will appreciate that various changes and substitutions can be made without departing from the true spirit and scope of the invention. In addition, various modifications may be made to adapt particular materials and materials to the teachings of the present invention without departing from the subject matter thereof.
예컨대 자장의 방향을 일정하게 또는 교번변화하도록 하는 선택이 가능하다. 또한 회전자장을 상기한(57)에 이용할 수 있다. 방전강도를 제어하도록 장(field)의 강도를 변화시키는 것도 가능하다.For example, it is possible to select to change the direction of the magnetic field constantly or alternately. The magnetic field can also be used for the above 57. It is also possible to vary the intensity of the field to control the discharge intensity.
앞에서 상세히 설명한 바와같이 모든 피처리물을 본발명에 따라 안정하고 신빙성 있는 조건하에서 동시처리 하도록, 다량의 치처리물을 진공화학반응장치에 동시 수용할 수 있다. 환언하면, 본발명에 따르면 본발명장치에서와 동일한 수의 피처리물을 처리할 수 있는 종래의 진공화학반응장치보다 더욱 고도이며 신빙성있는 진공화학반응장치를 제공할 수 있다.As described in detail above, a large amount of dental treatment can be simultaneously accommodated in a vacuum chemical reaction device to simultaneously process all the workpieces under stable and reliable conditions according to the present invention. In other words, according to the present invention, it is possible to provide a more advanced and reliable vacuum chemical reaction apparatus than the conventional vacuum chemical reaction apparatus capable of treating the same number of objects as the present invention.
Claims (15)
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP164670 | 1985-07-25 | ||
| JP60-164670 | 1985-07-25 | ||
| JP60164670A JPS6223983A (en) | 1985-07-25 | 1985-07-25 | Vacuum chemical reactor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR870000960A KR870000960A (en) | 1987-03-10 |
| KR890005267B1 true KR890005267B1 (en) | 1989-12-20 |
Family
ID=15797595
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019860006093A KR890005267B1 (en) | 1985-07-25 | 1986-07-25 | A vacuum chemical reaction apparatus |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6223983A (en) |
| KR (1) | KR890005267B1 (en) |
| CN (1) | CN86105600A (en) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10140761B4 (en) * | 2001-08-20 | 2004-08-26 | Infineon Technologies Ag | Wafer handler |
| JP2007284766A (en) * | 2006-04-19 | 2007-11-01 | Shimadzu Corp | Vertical plasma cvd apparatus |
| CN102242352A (en) * | 2010-05-14 | 2011-11-16 | 佛山市奇明光电有限公司 | Organometallic chemical vapor deposition machine |
| CN104178750A (en) * | 2013-05-21 | 2014-12-03 | 常州碳维纳米科技有限公司 | Suspension-type heating system |
| JP7160421B1 (en) * | 2022-02-10 | 2022-10-25 | 株式会社シー・ヴィ・リサーチ | Film forming apparatus, film forming method and gas nozzle |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5117376B2 (en) * | 1971-11-10 | 1976-06-02 | ||
| FR2227640B1 (en) * | 1973-04-27 | 1977-12-30 | Radiotechnique Compelec | |
| JPS5091255A (en) * | 1973-12-12 | 1975-07-21 |
-
1985
- 1985-07-25 JP JP60164670A patent/JPS6223983A/en active Pending
-
1986
- 1986-07-25 KR KR1019860006093A patent/KR890005267B1/en not_active IP Right Cessation
- 1986-07-25 CN CN198686105600A patent/CN86105600A/en active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6223983A (en) | 1987-01-31 |
| CN86105600A (en) | 1987-02-04 |
| KR870000960A (en) | 1987-03-10 |
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