KR890004676Y1 - 정전시 데이타 유지회로 - Google Patents
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Abstract
내용 없음.
Description
제1도는 본 고안의 블럭다이어그램.
제2도는 본 고안의 회로도.
제3(a)도는 초기전원 투입시 본 고안 회로도의 각부파형도, 제3(b)도는 전원 차단시에 본 고안회로도의 각부 파형도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 인버터 2 : 리셋트 펄스 발생부
3 : 저전압 검출부 4 : 마이콤
5 : 절연형 정전원부 ZD : 제너다이오드
D1,D2,D4: 다이오드 C1,C2,C3,C4: 콘덴서
Q1,Q2,Q3: 트랜지스터
본 고안은 절연형 전원회고에서 정전시에도 마이콤의 데이타를 유지시킬수 있는 정전시 데이타 유지회로에 관한 것이다.
일반적으로 전자기기에는 CMOS마이콤을 사용하고 있으며 또한 CMOS마이콤의 고유 특성인 저소비전류를 특성을 이용하여 AC전원이 정전되었을때 정전된 당시의 데이타를 장시간 유지하므로써 전원이 복귀되었을때 사용자가 다시 데이타를 재입력 시켜야 하는 불편함을 해소시키는 것이었다.
이같이 정전시 데이타를 유지시키기 위한 일반적인 방법으로 재충전 밧데리나 큰 충전 용량의 콘덴서를 사용하여 전원을 백업시킴으로써 해결하고 있으나 이는 장시간 데이타 유지가 곤란하고 또한 부품 가격이 높다는 단점이 있었다.
이를 감안하여 최근의 CMOS마이콤에서는 저전압 검출부(정전 검출부)를 내장하여 정전에 의한 전원 전압을 검출하여 정전시 마이콤의 데이타 유지를 위한 프로그램 모우드로 전환시키게 하고있으며 이때 마이콤의 전원 전압 단자로 유입되는 전류는 정상 동작시 수 mA에 비해서 정전시에는 수 nA로 감소시킬 수 있다.
이같이 정전시에 데이타 유지를 위한 마이콤의 소비전류가 급격히 줄어들게 되어 낮은 용량의 콘덴서로도 3-4일 정도의 데이타 유지가 가능하게 되는 것이다.
이때 정전을 감지하는 종래의 저전압 검출부는 교류 전원을 정류해서 평활한비 절연부의 맥류 전압으로부터 마이콤에 인가하기 위하여 낮은 전압으로 변환한 신호를 저전압 검출신호로 이용하였으나 이는 AC정전을 순간적으로 감지할 수 있는 있으나 절연형 전원회로를 채택하는 전자 기기 에서는 사용할 수 없는 단점과 함께 부품 구성 원가가 상승되는 단점이 있는 것이었다.
본 고안은 이와 같은 점을 감안하여 CMOS마이콤에 전원 전압의 정전을 검출하는 저전압 검출부 간단한 부품으로 구성한후 리셋트 펄스 발생부에서 초기 전원 인가시의 리셋트 동작과 정전시 백업 전원을 공급할 수 있게 함으로써 절연형 전원회로에 사용할수 있는 정전시 데이타 유지회로를 제공하고자 하는 것이다.
이와 같은 본 고안을 첨부 도면에 의거 상세히 설명하면 다음과 같다.
제1도는 본 고안이 블럭다이어그램으로써 절연형 정전원부(5)의 전원은 CMOS마이콤(4)의 전원 입력단자(VDD)에 이가되고 또한 리셋트 펄스발생부(2)에 인가되어 초기전원 인가시 리셋트 펄스를 인버터(1)를 통하여 리셋트단자(RT)에 인가시킴과 동시에 정전시 백업 전원을 마이콤(4)에 공급시키게 구성하며 저전압 검출부(3)에서는 정전압을 검출하여 홀드단자(HD)에 인가되는 전압을 제어하므로써 정전시 클럭발진을 정지하고 데이타 유지를 위한 프로그램 모우드를 수행하게 구성한다.
그리고 제2도는 본 고안의 회로도로써 제1도의 절연형 정전원부(5)의 출력이 단자(6)를 통하여 입력되어 콘덴서(C4)에서 충전되어 평활된 후 다이오드(D1)(D4)를 통하여 출력되게 구성하되 다이오우드(D1)를 통하여 일측으로 마이콤(4)의 전원 입력단자(VDD)에 인가되게 구성하고 타측으로 콘덴서(C2)및 저항(R3)으로 구성된 미분회로에 인가되어 저항(R2)및 다이오드(D2)가 연결되게 리셋트 펄스 발생부(2)를 구성하며 상기 리셋트 펄스 발생부(2)의 리셋트 펄스는 인버터(1)의 트랜지스터(Q1)를 통하여 반전된 후 마이콤(4)의 리셋트단자(RT)에 인가되게 구성하다.
또한 다이오드(D4)를 통한 출력은 제너다이오우드(ZD)와 저항(R4)(R5)을 통하여 트랜지스터(Q2)의 베이스에 인가시킴과 동시에 저항(R6)(R7)을 통하여 트랜지스터(Q3)의 베이스에 인가되게 구성하고 트랜지스터(Q2)와 상호 역구동하게 구성된 트랜지스터(Q3)의 콜렉터측에서 다이오드(D4)를 통과한 출력이 저항(R8)(R9)과 콘덴서(C3)를 통한후 마이콤(4)의 홀드단자(HD)에 인가되게 저전압 검출부(3)를 구성한다.
이때 홀드단자(HD)에 하이레벨이 인가될때 (정상전원 인가시)에는 정상동작을 수행하게하며 홀드단자(HD)에 로우레벨이 인가될때 (정전시) 에는 클럭 발진을 멈추고 데이타 유지를 위한 프로그램 모우드를 수행하게 된다.
이와 같이 구성된 본 고안에서 초기에 AC전원이 투입되면 절연형 정전원부(5)에서는 직류 전압을 출력시키게 되며 이러한 절연형 정전원부 (5)에 출력되는 직류전원 중 다이오드(D1)를 통한 직류 정원은 마이콤(4)의 전원공급단자(VDD)에 인가됨과 동시에 리셋트 펄스 발생부(2)의 콘덴서(C2)및 저항(R3)에 의하여 미분되게 되며 콘덴서(C2)와 저항(R3)에 의해서 미분된 출력 펄스는 저항(R2)을 통하여 트랜지스터(Q1)베이스측에 공급되므로 트랜지스터(Q1) "턴온"되어 미분 펄스가 인가되는 기간동안 마이콤(4)의 리셋트단자(RT)에는 로우레벨신호가 인가되게 된다.
한편 다이오드(D4)를 통한 직류 전압은 초기에 제3(a)도에서와 같이 상승되게 되나 전원전압(VDD)이 트랜지스터(Q2)의 구동전압인 VZD(제너다이오드 전압) + VR5+ VBE(Q2)(Q2의 베이스에미터간 전압) 이하일때 (제3(a)도의 t1기간)에는 저항(R6)(R7)을 통하여 트랜지스터(Q3)를 "턴온"시키므로 마이콤(4)의 홀드단자(HD)가 제3(a)도에서와 같이 로우벨로 유지된다.
그러나 전원전압(VDD)이 제3(a)도에서와 같이 점차 상승되어 다이오드(D4)의 캐소드측으로 출력되는 전압이 트랜지스터(Q2)의 구동전압인 VZD+ VR5+ VBE(Q2)이상으로 상승하게 되면 트랜지스터(Q2)가 "턴온"되게 되고 트랜지스터(Q2)가 "턴온"되면 트랜지스터(Q3)가 "턴오프"되어 이제까지 로우레벨을 유지하던 마이콤(4)의 되고 트랜지스터(Q2)가 "턴온"되면 트랜지스터(Q3)가 "턴오프"되어 이제까지 로우레벨을 유지하던 마이콤(4)의 홀드단자(HD)에 하이레벨이 인가되게 된다.
즉, 제3(a)도에서와 같이 t1은 저전압검출부(3)에서 직류 전압이 충분히 상승되어 트랜지스터(Q2)를 구동시키기까지의 시간이며 t2은 리셋트 펄스 발생부(2)의 콘덴서(C2)및 저항(R3)에 의한 시정수로 결정되는 시간으로써 t2는 마이콤(4)의 전원 공급단자(VDD)에 직류 전원이 공급되고 홀드단자(HD)에 하이레벨 신호가 입력된후 마이콤의 명령속도(통상1-2μ sec)의 수배 이후에 리셋트가 걸리도록 설정 하여야만 마이콤의 오동작을 배제할 수 있게된다.
이와 같은 초기 전원 투입시의 동작을 다시 살펴본다.
단자(6)에는 초기 전원 투입시 제3(a)도에서와 같은 직류전원이 인가되어 전원공급단자(VDD)에 인가됨과 동시에 리셋트 펄스 발생부(2)와 저전압 검출부(3)에 인가되게 된다.
리셋트 펄스 발생부(2)에서는 콘덴서(C2)와 저항(R3)으로 미분시켜 인버터(1)의 트랜지스터(Q1)에서 반전시킨후 마이콤(4)의 리셋트단자(RT)에 인가시킴으로써 리셋트단자(RT)에는 콘덴서(C2)와 저항(R3)에 의한 시정수 시간t2가 지난후에 제3(a)도에서와 같이 하이레벨로 인가되어 리셋트가 걸리게 된다.
그리고 저전압 검출부(3)에서 초기 전원 투입시 전압이 제3(a)도에서와 같이 상승되나 트랜지스터(Q2)의 구동전압 VZD+ VR5+ VBE(Q2)을 넘지 않을때 (제3(a)도의 t1시간)까지는 트랜지스터(Q2)가 "턴오프"트랜지스터(Q3)가"턴온"되어 마이콤(4)의 홀드단자(HD)에 로우레벨이 인가되게 되고 점차 전원 전압이 상승하여 VZD+ VR5+ VBE(Q2)를 넘게 되면 (제3(a)도의 t1시간이후)트랜지스터(Q2)는 "턴온"되고 트랜지스터(Q3)는 "턴오프"되어 홀드단자(HD)에는 제3(a)도에서와 같이 하이레벨로 인가되게 된다.
이와 같이 초기 전원 투입시 콘덴서(C4)에서의 충전으로 인하여 제3(a)도에서와 같이 전원 전압이 상승하게 되며 이에 따라 리셋트 펄스 발생부(2)에서 리셋트 펄스를 발생시켜 마이콤(4)에 인가시킴과 동시에 저전압 검출부(3)에서 전원 전압이 상승되어 정상적으로 인가됨을 검출하여 마이콤(4)의 홀드단자(HD)에 하이레벨을 인가시킴으로써 세트는 정상구동 상태가 된다.
한편 상기와 같이 전원 전압이 정상적으로 투입되어 정상동작을 수행하는 도중에 정전으로 인하여 전원 전압이 차단될때 데이타가 유지되는 과정을 살펴본다.
정전이 되면 콘덴서(C4)의 충전 전압이 급격히 낮아지기 시작하므로 다이오드(D4)의 캐소우드측으로 출력되는 전압도 낮아져 VZDKVR5+ VBE(Q2)전압이하로 낮아지는 순간에 트랜지스터(Q2)는 "턴오프"되고 트랜지스터(Q2)의 "턴오프"로 트랜지터(Q3)가 "턴온"하여 홀드단자(HD)에는 즉각 로우레벨 상태 신호가 인가되어 마이콤(4)은 내부의 클럭발진을 멈추고 정전되기 이전까지 수행하던 데이타를 유지하기 위한 내부 프로그램 모우드로 전환되며 마이콤 (4)의 전원공급단자(VDD)로 흐르는 공급 전류량도 급격히 감소되게 된다.
즉 AC전원이 차단되는 정전이 되면 콘덴서(C4)의 충전전하와 함께 다이오드(D4)의 캐소드측 전압도 급격히 낮아지게 되어 VZD+ VR5+ VBE(Q2)이하가 되는 순간 트랜지스터(Q2)는 "턴오프", 트랜지스터(Q3)는 "턴온"시켜 마이콤(4)의 홀드단자(HD)에 로우레벨을 인가시킴으로써 클럭발진을 멈추고 정전동작 이전의 수행 데이타를 유지하기 위한 프로그램 모우드로 전환되게 되는 것이다.
이때부터 리셋트 펄스 발생부(2)의 콘덴서(C2)에 충전된 전압이 방전되어 전원공급단자(VDD)에 인가되므로 마이콤(4)내부의 단자(Vss)에서 접지를 통하여 다이오드(D2)로 흐르는 C2→VDD→VSS→D2의 폐회로가 형성되므로 마이콤(4)은 수행중이던 데이타를 유지하게 된다.
즉, 콘덴서(C2)의 용량값에 의하여 데이타 유지 시간이 결정되며 콘덴서(C2)가 0.3VDD만큼 방전하게 될때 마이콤(4)을 리셋트시켜 주어 데이타를 기억하지 못하는 초기 상태로 환원시키는 것으로 다이오드(D1)는 콘덴서(C2)가 전원 공급단자(VDD)이외의 다른 경로를 통하여 방전되는 것을 방지하게 된다.
이상의 동작을 파형도를 살펴보면 제3(b)도의 파형도와 같다.
즉 제3(b)도의 파형에서 정전시부터 t3시간후에 마이콤(4)의 홀드단자(HD)에 로우레벨이 인가되는 것을 보여주고 있으며 이때 로우레벨로 떨어지는 시점은 콘덴서(C4)의 충전 전압이 VZD+ VR5+ VBE(Q2)이하로 떨어지는 시점으로 이같은 t3의 기간이 짧을수록 정전시 마이콤(4)의 데이타 유지프로그램 모우드 전환이 빠르고 데이타 유지 시간도 그만큼 길어지게 된다.
이상에서와 같이 본 고안은 절연형 정전원부로 부터 정전 여부를 검출해내는 저전압 검출부의 구동에 따라 리셋트 펄스 발생부의 소형 전해 콘덴서(C2)로도 장시간 마이콤에서 수행중인 데이타를 유지할수가 있는 것으로 저소비 전류를 사용하는 CMOS마이콤을 내장하는 전자기기의 정전시 데이타 유지회로에 있어서 회로 구성을 간단히 할수 있는 잇점과 함께 큰 용량의 콘덴서 대신 낮은 용량의 콘덴서를 사용하므로 생산원가가 하락되는 이점이 있는 것이다.
Claims (1)
- 콘덴서(C4)를 통하여 인가되는 직류 전원은 일측으로 다이오드(D1)를 통하여 마이콤(4)의 전원 입력단자(VDD)에 인가됨과 동시에 리셋트 펄스 발생부(2)의 콘덴서(C2)와 저항(R3)에 의해 미분되어 저항(R2)과 다이오드(D2)를 통한후 인버터(1)를 통하여 마이콤(4)의 라셋트 단자(RT)에 인가되게 구성하며 타측으로 다이오드(D4)를 통한 직류 전원은 제너다이오드(ZD)와 저항(R4)(R5)이 연결된 트랜지스터(Q2)와 저항(R6)(R7)이 연결된 트랜지스터(Q3)의 베이스에 인가됨과 동시에 트랜지스터(Q2)와 역구동되는 트랜지스터(Q3)의 콜렉터에서 콘덴서(C3)을 통한 후 마이콤(4)의 홀드단자(HD)에 인가되게 저전압 검출부(3)를 구성시킨 정전시 데이타 유지회로.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2019860010576U KR890004676Y1 (ko) | 1986-07-19 | 1986-07-19 | 정전시 데이타 유지회로 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2019860010576U KR890004676Y1 (ko) | 1986-07-19 | 1986-07-19 | 정전시 데이타 유지회로 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR880003053U KR880003053U (ko) | 1988-04-11 |
| KR890004676Y1 true KR890004676Y1 (ko) | 1989-07-15 |
Family
ID=19253949
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR2019860010576U KR890004676Y1 (ko) | 1986-07-19 | 1986-07-19 | 정전시 데이타 유지회로 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR890004676Y1 (ko) |
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1986
- 1986-07-19 KR KR2019860010576U patent/KR890004676Y1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR880003053U (ko) | 1988-04-11 |
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