KR890004531Y1 - 로직체크 및 집적소자 불량 감지회로 - Google Patents

Abstract

내용 없음.

Description

로직체크 및 집적소자 불량 감지회로

제1도는 본 고안의 회로도.

제2(a)도는 본 고안 로직 체크부의 구동상태 테이블, 제2(b)도는 본 고안 주파수 체크부의 구동상태 테이블, 제2(c)도는 본 고안 쓰리스테이프 체크부의 구동상태 테이블.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

10 : 로직체크부 20 : 주파수 체크부

30 : 쓰리스 테이트 체크부 R₁,R₂,R₃: 저항

L₁, L₂, L₃,.....L_i: 발광다이오드 FF : 플립플롭부

I₁, I₂, I₃, I₄: 인버터 DD : 데코더부

SW₁: 스위치 TR : 트랜지스터

본 고안은 간이형 오실레스코프의 기능을 수행할 수 있게한 휴대용 로직 체크 및 집적소자 불량 감지회로에 관한 것이다.

현재 디지탈회로에 대한 파형 체크나 디지탈 집적 소자의 불량을 감지하는 계측기의 종류가 많이 나와 있으나 계측 장비가 고가이며 휴대하기가 불편하며 실험실이나 일반 가정에서는 사용하기가 곤란한 것이었다.

본 고안은 이와같은 점을 감안하여 각각의 논리소자와 발광다오드로써 구성된 휴대용 계측기를 제공하여 발광다이오드이 점등에 따라 간단한 로직체크, 주파수체크, 쓰리스테이프체크를 행할 수 있게함으로써 집적소자의 체크를 손쉽게 할 수 있게 한것으로 입력단자에서 인버터를 통하여 일측으로 데코더 및 발광 다이오드로 구성된 로직체크부를 구성하고 타측으로 플립플롭 및 발광다이오드로 주파수 체크부를 구성시킨후 트랜지스터의 에미터측에 발광다이오드를 통하여 인버터와 연결되게 쓰리스 테이프 체크부를 구성시켜 된 것이다.

이를 첨부도면에 의하여 상세하 설명하면 다음과 같다.

제1도는 본 고안의 회로도로서 입력단자(A) (B)에 인가되는 상태신호가 로직체크브(10)의 데코더부(DD)입력단자(A₁) (B₁)에 인버터(I₁) (I₂)를 통하여 인가되게 구성시키고 출력단자(Y₁₁-Y₃)에 저항(R₁-R₄)을 통하여 발광다이오드(L₁-L₄)가 연결되게 구성시킨다.

그리고 입력단자(A) (B)에서 인버터(I₁)(I₂)를 통한 상태 신호가 플립플롭부(FF)의 클럭단자(CK₁)(CK₂)및 입력단자(D₁)(D₂)에 인가되게 구성시키며 출력단자(Q₁)(Q₂)에 발광다이오드(L₅)(L₆)를 연결시킨후 리셋트단자(PRE)에 접지된 스위치(SW₁)와 병렬로 콘덴서(C₁)를 연결구성시켜 주파수 체크브(20)를 구성하고 입격단자(A)에 저항(R₈)을 통하여 트랜지스터(TR)의 베이스측과 연결되게 구성하며 인버터(I₁)에서 인버터(I₄)를 통하여 발광다이오드(L₇)를 접속시킨후 트랜지스터(TR)의 에미터측과 연결되게 쓰리스테이트 체크부(30)를 구성한 것이다.

여기서 스위치(SW₁)는 주파수 체크후 원상태로 환원하기 위한 스의치며 쓰리스테이트 체크시에는 압력단자(A)에 인가되는 상태신호로써 정상 유무를 판단할 수 있게 구성한 것이다.

이와같이 구성된 본 고안에서 입력단자(A) (B)에 모두 저전위 상태신호(0레벨)가 인가되면 인버터(I₁)(I₂)를 통하여 로직체크부(10)의 데코더부(DD)의 입력단자(A₁)(B₁)에는 모두 고전위 상태신호(1레벨)가 입력되어 제2(a)도와 같이 데코더 칩이 구동되므로 출력단자(Y₀)로 저전위 상태 신호가 출력되어 전원(Vcc)이 발광다이오드(L_i)만 점등시키게 된다.

그리고 제2(a)도와 같이 입력단자(A)에는 저전위 상태신호, 입력단자(B)에는 고전위 상태 신호가 인가될때에는 데코더부(DD)를 통하여 발광다이오드(L₂)만 점등되고 입력단자(A)에는 고전위상태신호, 입력단자(B)에는 저전위상태 신호가 인가되면 데코더부(DD)를 통하여 발광다이오드(L₃)가 점등되며 발광다이오드 (L₄)는 입력단자(A) (B)가 모두 고전위 상태 신호일때만 점등된 상태를 유지하게 된다.

따라서 입력단자(A) (B)에 고전위 상태 신호와 저전위상태 신호가 반복되어 인가되는 경우에는 (클럭신호)발광다이오드(L₃)(L₄)가 동시에 듀티 싸이클 만큼의 시간 간격을 두고 깜박거리게 되는 것으로 로직체크부(10)에서 여러가지 게이트의 로직이나 클럭발생기의 고정 유무를 확인할수가 있으며 입력단자(A) (B)에 동시에 고전위 상태신호가 인가될때에는 발광다이오드(L₄)만 점등되어 IC칩의 불량을 확인할수가 있는 것이다.

그리고 주파수 체크부(20)는 입력단자(A) (B)에 인가되는 상태신호에 따라 제2(b)도와 같이 구동되는 것으로 입력단자(A)에 포지티브 에이지 신호가 인가될때에 입력단자(B)의 입력이 고전위 상태이면 발광다이오드(L₅)가 점등되고 발광다이오드(L₆)는 소등된 상태를 유지하게 되며 입력단자(A)가 네가티브 에이지 상태신호가 인가될때에 입력단자(B)에 고전위 상태 신호가 인가되면 발광다이오드(L₆)만 점등하게 된다.

또한 입력단자(A)에 포지티브 에이지 상태 신호가 인가되고 입력단자(B)에 저전위 상태 신호가 인가될때에는 발광다이오드(L₆)는 차단상태를 유지하게 되며 입력단자(A)에 네가티브 에이지 상태 신호가 인가될때에 입력단자(B)에 저전위 상태 신호가 플립플롭(FF)에 인가되며 출력단자(Q₂)로 고전위 출력신호를 나타내 발광다이오드(L₆)가 차단되게 된다.

따라서 주파수 체크부(20)의 플립플롭(FF)으로 포지티브 및 네가티브 펄스가 발생되는 것을 확인할수가 있으며 생플링 주파수 체크시 발광다이오드(L₅)(L₆)은 온-오프 주기로 알 수 있는 것으로 주파수가 높을때에는 발광다이오드(L₅)(L₆)가 거의 「온」상태를 유지된 상태로 인식된다.

그리고 쓰리스테이트 체크부(30)는 입력단자(A)의 상태신호가 인가될때에 제2(c)도와 같이 구동되는 것으로 입력단자(A)에 쓰리스테이트상태 신호가 인가되면 저항(R₈)(R₉)으로 분배된 고전위 상태 신호가 인버터(I₁)를 통하여 저전위 상태 신호가 인가되어 인버터(I₄)를 통한 고정위 상태 신호 발광다이오드(L₇)에 인가하게 된다.

그리고 저항(R₈)에는 분배된 전원으로 NPN트랜지스터(TR)의 바이어스 구동전원(=3V)만 인가되므로 트랜지스터(TR)가 도통하여 발광다이오드(L₇)가 점등되어 쓰리스테이지 상태임을 인지시키게 되는 것이다.

이상에서와 같이 본 고안은 입력단자(A) (B)에 인가되는 상태 신호로써 각각의 논리 소자를 구동시켜 발광다이오드의 점등 여부에 따라 직접 소자내의 논리체크, 주파수체크, 쓰리스체이트체크를 행할수가 있는 것으로 회로가 단순한 동시에 휴대용으로 사용할 수 있는 이점이 있어 단순한 집적 소자의 불량을 검사하는데 별도의 계측장비없이도 널리 사용될수가 있는 것이다.

Claims (1)

1. 입력단자(A) (B)에 인버터(I₁)(I₂)를 구성시켜 일측으로 데코더부(DD)및 발광다이오드(L₁-L₄)로 구성된 로직체크부(10)를 구성하고 타측으로 플립플롭부(FF)를 통하여 발광다이오드(L₅)(L₆)와 연결시킨 후 리셋트 단자(PRE)에 스위치(SW₁)와 콘덴서(C₁)를 병렬로 구성시킨 주파수체크부(20)를 구성시키며 인버터(I₁)와 저항(R₉)사이에 트랜지스터(TR)의 에미터측에 발광다이오드(L₇)를 통하여 인버터(I₄)와 연결되게 쓰리스테이트체크부(30)를 구성시킨 로직 체크 및 집적소자 불량 감지회로.