KR890003860A - 에너지 중합성 폴리우레탄 전구체 - Google Patents

에너지 중합성 폴리우레탄 전구체 Download PDF

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Abstract

내용 없음

Description

에너지 중합성 폴리우레탄 전구체
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (14)

  1. 폴리우레탄 전구체와 촉매적 유효량의, 유기금속성 착화물 양이온의 이온성염을 함유하며, 상기 유기 금속성 착화물,양이온에서 그 금속은 주기율표 IVB,VB,VIB,VIIB와 VIIIB족의 원소에서 선택됨을 특징으로 하는 에너지 중합성 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 그 폴리우레탄 전구체가 적어도 하나의 폴리이소시아네이트와 적어도 하나의 폴리올 또는 적어도 두개의 이소시아네이트 반응성기를 갖는 다른 이소시아네이트 반응성기-함유 화합물인 것을 특징으로 하는 조성물.
  3. 제1항에 있어서, 그 이온성 염이 하기식(I)을 갖는 것을 특징으로 하는 조성물.
    [((L1)(L2)Mb)b(L3)(L4)]+eX|f(I)
    (이식에서 M은 주기율표 IVB,VB,VIB,VIIB와 VIIIB의 원소에서 선택되며, 식 (I)은 단일핵 또는 2핵 착화물을 나타낸다. L1은 치환 및 비치환된 아시클릭과 시클릭 불포화 화합물 및 기, 치환 및 비치환된 카르보시클릭 방향족 및 헤테로시클릭 방향족 화합물에서 선택된 같거나 또는 다른 리간드일 수 있는, 파이-전자를 제공하는 0,1,2또는 3리간드를 나타내며 그들의 각각은 M의 최외 원자가에 2내지 12개의 파이-전자를 제공할 수 있으며, L2는 모노-,디-및 트리-덴테이트 리간드로 부터 선택된 같거나 또는 동일한, 우수의 시그마-전자를 제공하는 1내지 6리간드로, 그들 각각은 M의 최외원자가 2,4또는 6의 시그마-전자를 제공하며 ; L3는, 각각 두개의 금속 원자 M의 최외 원자가에 2내지 24개 파이-전자를 동시에 줄수 있는 브리지 리간드로 작용할 수 있는 치환 및 비치환된 아시클릭 및 시클릭 불포화 화합물과 기, 치환 및 비치환된 카르보시클릭 방향족 및 헤테로 시클릭 방향족 화합물로 부터 선택된 같거나 다른 리간드 일 수 있는 파이-원자를 제공하는 0,1또는 2의 브리지 리간드이며 ; L4는 각각 두개의 금속원자 M의 최외 원자가에 동시에 2,4 또는 6시그마-전자를 줄수 있는모노-, 디-및 트리-덴테이트 리간드로부터 선택된 같거나 다를 수 있는 우수의 시그마 - 전자를 제공하느 0,1,2또는 3 브리지 리간드를 나타내며, 리간드 L1,L2,L3와 L4에 의해 M에 제공되는 전자 전하수에 M에 대한 이온전하의 b곱을 더한 전체 전하는 그 착화물에 e라는 잉여의 양성 전하를 생기게하며 ; b는 1또는 2의 정수 ; e는 1또는 2의 정수로 착화물 양이온의 잉여 전자 전하;X는 유기 설포네이트 음이온과 금속 또는 메탈로이드의 할로겐 함유 착화물 음이온으로 부터 선택되는 음이온이며; f는 1내지 2의 정수이며, 그 수는 착화물 양이온상의 양성 전하 e를 중성화시키기에 필요한 양이온의 수임).
  4. 제3항에 있어서, 리간드 L1은 접근성 불포화기를 가지며, 100이하의 탄소원자와 질소, 황, 비-과산화산소, 인, 비소, 셀륨, 안티모니, 텔루륨, 실리콘, 게르마늄, 주석 및 보론으로 부터 선택되는 10까지의 헤테로 원자를 가지는 모노덴테이트 리간드와 (b) 금속 M과 함께 그 금속원자외에 약 30까지의 탄소원자와 질소, 황, 비-과산화산소, 인, 비소, 셀레늄, 안티모니, 텔루륨으로 부터 선택된 10까지의 헤테로원자를 함유하는 4-,5-또는 6-탄소원고리의 포화 또는 불포화링을 이룰수 있는 폴리덴테이트 리간드로 부터선택되며 ; 각 이온성염의 리간드 L3는 접근성 불포화기를 가지며, 30까지의 탄소원자와 질소, 황, 비-과산화산소, 인, 비소, 셀레늄, 안티모니, 텔루륨, 실리콘, 게르마늄, 주석 및 보론으로 부터 선택되는 10까지의 헤테로 원자를 가지는 단량체 또는 중합체 화합물에 의해 제공되며; 이온성 염의 브리지 리간드 L4는 100이하의 탄소원자와 질소, 황, 비-과산화산소, 질소, 인, 비소, 셀레늄, 안티모이와 텔루륨으로 부터 선택되는 10까지의 헤테로 원자를 함유하는 모노텐테이트와 폴리덴테이트 화합물에 의해 제공됨을 특징으로 하는 조성물.
  5. 제1항에 있어서, 이온성 염이 하기식(II)를 가지는 것을 특징으로하는 조성물.
    [((L5)(L6)M]+eXf(II)
    (이식에서 M은 주기율표 IVB, VB, VIB, VIIB와 VIIIB의 원자로 부터 선택된 금속을 나타내며; L5는 제 3항에서 식 (I)의 L1의 리간드와 똑 같은 그룹으로 부터 선택된, 같거나 다른 리간드일 수 있는 0,1또는 2의 파이-전자 공여 리간드를 나타내며; L6은 제3항에서의 식(I)의 L2와 똑같은 리간드 그룹으로부터 선택된 우수의 시그마-전자를 공여하는 같거나 다른 리간드일 수 있는 0또는 1내지 6의 리간드이며 ; L5와 L6에 의해 M에 공여되는 전자 전하와 M의 이온성 전하를 더한 것은 그 착화물에 잉여의 양성전하를 상기게 하며; e,f와 x는 제 3항에서의 정의와 같다.)
  6. 제3항에 있어서, 리간드 L1이 히드로카르빌, 히드로카르빌옥시, 히드로카르빌에르캅토, 히드로카르빌카르보닐옥시, 히드로카르빌카르보닐, 히드로카르빌카르본아미도, 페닐, 아조, 보릴, 할로, 히드록시, 시아노, 니트로, 니트로소, 옥소, 디메틸아미노, 디페닐포스피노, 디페닐아르시노, 디페닐스티빈, 트리부틸렌, 메틸세레노, 에틸텔루로, 트리메틸실옥시, 축합링으로 부터 선택된 기로 치환되며, 그 기는 30까지의 탄소 원자와 질소, 황, 비-과산화 산소, 인, 비소, 셀레늄, 안티모니, 텔루륨, 실리콘, 게르마늄, 주석과 보론으로 부터 선택된 10까지의 헤테로 원자를 함유함을 특징으로하는 조성물.
  7. 제2항에 있어서, 상기 폴리이소시아네이트가 지방족, 시클로알리파틱, 아르알리파틱, 방향족 또는 헤테로시클릭 폴리 이소시아네이트 또는 그것의 조합물인 것을 특징으로 하는 조성물.
  8. 제2항에 있어서, 상기 디 또는 폴리이소시아네이트가 식Q(NCO)n를 갖는 것을 특징으로 하는 조성물. (이식에서 n은 2내지 4의 정수이며, Q는 2내지 100탄소원자와 0 내지 50의 헤테로 원자를 함유하는 지방족 탄화수소 라디칼, 4내지 100탄소원자와 0내지 50헤테로 원자를 함유하는 시클로알리파틱 탄소수소 라디칼, 6내지 15탄소원자와 0내지 10헤테로 원자를 함유하는 방향족 탄화수소라디칼 또는 헤테로시클릭 방향족 라디칼 또는 8내지 100탄소원자와 0내지 50헤테로 원자를 함유하는 아르알리파틱 탄화수소 라디칼로 이 라디칼에서 헤테로 원자는 비-과산화산소, 황, 비-아미노 질소; 할로겐, 실리콘, 비-포스핀 인으로부터 선택된다.
  9. 제2항에 있어서, 그 이소시아네이트 반응성 화합물은 히드록실, 티올, 아미노 또는 카르복실기를 함유하는 것을 특징으로 하는 조성물.
  10. 제1항에 있어서, 중합화를 일으키며 경화된 조성물을 제공하기에 충분한 에너지에 적용되어진 것을 특징으로 하는 조성물.
  11. 제1항에 있어서, 유기금속염의 1부당 0.01내지 10중량부의 감광제 또는 광촉진제를 또한 함유함을 특징으로 하는 조성물.
  12. a 제1항 내지 제11항중 어느 한항에 의한 조성물을 혼합하고 (b)그 혼합물을 적어도 하나의 열또는 화학 방사 원으로써 경화시킴을 특징으로 하여, 폴리우레탄 전구체 조성물을 중합시키는 방법.
  13. 제12항에 있어서, 그 경화가 (a)그 이온성 염이 활성화되도록 그 조성물을 방사시키고 (b)활성화된 조성물을 가열시키는 연속 단계를 포함하고 2-단계 방법인 것을 특징으로 하는 방법.
  14. 제1항에 의한 중합화된 조성물을 함유하는 성형품.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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